实验四晶体管级CMOS反相器设计..docxVIP

实验四 晶体管级CMOS反相器设计 刘翔、实验内容与要求。 实验内容： （1）学习基本CMOS逻辑电路的仿真设计方法。 （2）学习基本逻辑门电路的设计参数估算方法。 （3）学习基本逻辑电路的仿真验证方法。 实验要求： （1）用CMOS电路结构实现反相器的晶体管级电路。 （2）调整电路中每个晶体管的W和L，使工作频率最高达到1GHz以上。 （3）对所设计电路进行整体仿真及参数测量（传输特性曲线、电压门限、传输时间、上升/下降时间等），评价设计结果，改进设计。 （4）记录操作步骤，截取相应图片，完成实验报告。 二、实验环境。 Tanner（S-Edit、T-Spice、W-Edit）。 三、实验流程框图。四、实验步骤。 1.根据设计要求，计算参数。 （1）根据反相器的原理图，画出其简化的数字模型。 （2）在计算参数之前，用记事本方式查看所用工艺库的.lib文件（上华库：h05mixddst02v13.lib文件），找到相关参数值。nvn和nvp分别表示NMOS管和PMOS管，参数如下：（3）计算管子的宽长比。转换点电压为，即2.5V，则。如果上升时间和下降时间是相等的，则。又，，将的公式代入，并依据，，，如果选择，则：，得，又由于，得，如果取，则。计算得到的值是上升时间刚好为0.5ns时的管子尺寸，只有取长度小于2.34um的管长都能满足要求。 2.在S-Edit中搭建反向器电路。点击图标，打开T-Spice，导出spice文件。3.添加spice仿真命令。 （1）添加上华库。（2）修改mos管（nvn、nvp ）的参数。（3）加入瞬态仿真命令，Analysis—Transient，最大步长为0.01ns； 仿真时间为2ns。（4）加入直流仿真命令，Analysis—DC transfer sweep，设置sweep1。（5）输出波形命令。 观察输入波形：analysis—output—Transient results，添加vin的观察； 观察输出波形：analysis—output—Transient results，添加vout观察。（7）SPICE文件。 （8）输出波形。4.输出分析。 （1）门限电压： 用标尺工具估测斜率为-1时的V(OH)、V(OL)、V(IL)、V(IH)。V(OH)=3.86V(OL)=0.953V(IL)=2.11V(IH)=2.24（2）上升、下降时间： 上升时间：输出电平从10%上升到90%的时间 。 Tf=0.33724ns下降时间：输出电平从90%下降到10%的时间 。Tf=0.16078nsTPHLTPHL=0.10588nsTPLHTPLH=0.18823ns（4）噪声裕度： 高电平噪声裕度=V(OH)-V(IH)=1.62低电平噪声裕度=V(IL)-V(OL)=1.157