第二章半导体物理和半导体器件物理基础分析.ppt

当产生非平衡载流子的外界作用撤除后，非平衡载流子就将由于复合而逐渐消失。此过程称为非平衡载流子的衰减。 没有其他外界作用下，复合率就决定了非平衡载流子的变化率，因此： 右边负号表示复合的作用是使 随时间t减少，是时间t的一个函数。上式可以看成是以t为变数，以 为未知函数的微分方程。 很显然， 是满足上述方程的解。并且有： 因此， 这个解具体描述了开始浓度为 的非平衡载流子，由于复合 如何随时间而衰减。 例题： 一块半导体材料，其非平衡载流子寿命为 ，计算其中非平衡载 流子经过20 后将衰减到原来的百分之几？ 经过简单的计算，可以得到原来浓度的14%剩余了。 非平衡载流子复合是有先有后的，有的存在时间长一些，有的存在时间短一些。因此， 是非平衡载流子平均存在的时间，也就是寿命。 实际中，非平衡载流子中往往是少子处于主导的、决定的地位，非平衡的多子是为了保证电中性的需要才聚集在那里，处于陪衬的作用。正因为如此，非平衡载流子的寿命常称为 少子寿命。 2.5.2 复合中心理论 导带电子直接落入价带的空穴而实现复合，这种电子在导带和价带之间的直接跃迁叫做直接复合。 在很多半导体中，少子寿命主要不是由材料本身性质决定的，而是杂质和缺陷决定的。能促使电子和空穴复合的杂质和缺陷被称为复合中心。最单纯的复合中心是一个深能级杂质。 2.5.2 复合中心理论 通过复合中心的复合有如下两个特点： （1）复合不是单方面从上到下的跃迁过程，而是由矛盾对立的跃迁过程决定的。 （2）复合过程中，非平衡载流子并不能和平衡载流子区分开来。在对复合进行具体分析时，必须把全部载流子的热跃迁考虑在内。 甲：电子从导带落入复合中心，称为复合中心“俘获”电子的过程。单位体积、单位时间内被复合中心俘获的电子数称为电子俘获率。 乙：和甲对立的逆过程。需要有能量供给电子才能使它重新跃迁到导带，故称为电子激发。单位体积、单位时间内从复合中心激发到导带的电子数称为电子激发率。 丙：空穴俘获过程。电子从复合中心落入到价带的空穴，而同时复合中心变空，效果相当于获得了一个空穴。和甲过程完全对应。 丁：空穴激发过程。电子从价带激发到空的复合中心上去，效果相当于复合中心上的空穴被释放到价带中。 空穴复合率=丙-丁= 我们要讨论的就是 复合中心达到稳定，电子空穴对通过复合中心成对 复合的情形。（复合中心从导带俘获一个电子的同时从价带俘获一个 空穴）此时， 电子-空穴复合率=甲-乙=丙-丁= 单位体积、单位时间从导带净复合的电子数定义为电子复合率。 电子复合率=甲-乙= 单位体积、单位时间从价带净复合的空穴数定义为空穴复合率。==== 2.5.3 寿命公式 通过复合中心复合的普遍理论公式可以用来确定非平衡载流子寿命。 对于上式，以n型半导体为例：平衡时，n和p分别取值n0和p0,显然此时， 复合率为零。 有非平衡载流子时，通过合理近似和简化（见教材），不难得到： 复合率= 由于复合中心是深能级，在n型材料中，Nt个中心基本上都是被电子占 满的。上式表明，就是Nt个填满的中心对非平衡空穴 的俘获决定 了电子-空穴的复合率。 又因为复合率= ； 故， 2.5.3 寿命公式 同理，对于p型半导体，可求得复合率是： 这反映的是Nt个基本上空的中心对非平衡的少子（电子） 的俘获率。 得到相应的寿命公式： 以上结果表明，对于深能级复合中心来说，它们总是基本上被多子所 填满的，它们对少子的俘获决定着寿命 。 应用上面引入的空穴和电子寿命公式，可以将非平衡载流子的复合率写成如下形式： 2.6 非平衡载流子的扩散 非平衡载流子形成电流有两种形式：漂移电流；扩散电流。很多情况下，扩散电流是非平衡载流子电流的主要形式。 扩散电流产生的原因是载流子浓度不均匀。在浓度不均匀情况下由无规则的热运动引起的。 以加有正偏压的P+N结为例，定性说明非平衡载流子形成扩散电流的过程。 （i）正偏压将P区的空穴源源不断地“注入”到N区的边界。 （ii）在尚未复合前的时间里（平衡时间即少子寿命），空穴从高浓度（空穴注入处）向低浓度（N区内部空穴因复合而减少）移动，形成扩散电流。 2.6 非平衡载流子的扩散 扩散电流的强弱是由载流子