氧化锌纳米材料简介..doc

目录 摘要 1 1.ZnO材料简介 1 2.ZnO材料的制备 1 2.1 ZnO晶体材料的制备 1 2.2 ZnO纳米材料的制备 2 3. ZnO材料的应用 3 3.1 ZnO晶体材料的应用 3 3.2 ZnO纳米材料的应用 5 4.结论 7 参考文献 9 氧化锌材料的研究进展摘要 介绍了ZnO）材料，简单综述一下近几年ZnO周期性晶体材料和ZnO纳米材料的新进展。 关键词：ZnO；晶体材料；纳米材料 ZnO材料简介 氧化锌材料是一种优秀的半导体材料。难溶于水，可溶于酸和强碱。一种常用的化学添加剂，ZnO广泛地应用于塑料、硅酸盐制品、合成橡胶、润滑油、油漆涂料、药膏、粘合剂、食品、电池、阻燃剂等产品的制作中。ZnO的能带隙和激子束缚能较大，透明度高，有优异的常温发光性能，在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用。此外，微颗粒的氧化锌作为一种纳米材料也开始在相关领域发挥作用。纳米ZnO粒径介于1-100nm之间，是一种面向21世纪的新型高功能精细无机产品，表现出许多特殊的性质，如非迁移性、荧光性、压电性、吸收和散射紫外线能力等，利用其在光、电、磁、敏感等方面的奇妙性能，可制造气体传感器、荧光体、变阻器、紫外线遮蔽材料、图像记录材料、压电材料、压敏电阻、高效催化剂、磁性材料和塑料薄膜等 [1–5]。下面我们简单综述一下，近几年ZnO周期性晶体材料和ZnO纳米材料的新进展。 2.ZnO材料的制备 2.1 ZnO晶体材料的制备 生长大面积、高质量的ZnO晶体材料对于材料科学和器件应用都具有重要意义。尽管蓝宝石一向被用作ZnO薄膜生长的衬底，但它们之间存在较大的晶格失配，从而导致ZnO外延层的位错密度较高，这会导致器件性能退化。由于同质外延潜在的优势，高质量大尺寸的ZnO晶体材料会有利于紫外及蓝光发射器件的制作。由于具有完整的晶格匹配，ZnO同质外延在许多方面具有很大的潜力：能够实现无应变、没有高缺陷的衬底-层界面、低的缺陷密度、容易控制材料的极性等。除了用于同质外延，ZnO晶体材料还可以用来做GaN的异质外延衬底。ZnO具有与GaN相同的原子排列次序，因而具有较小的晶格失配(1.8%)。 目前生长ZnO晶体材料的方法主要有水热法、助溶剂法、气相法三种。水热法又称高温溶液法，其中包括温差法、降温法（或升温法）及等温法。目前主要采用温差水热结晶，该方法是通过缓冲器和加热来调整温差，依靠容器内的溶液维持温差对流形成过饱和状态。水热法是生长ZnO晶体材料的重要方法，也是目前生长ZnO晶体材料较成熟的方法。水热法需要控制好碱溶液浓度、溶解区和生长区的温度差、生长区的预饱和、合理的元素掺杂、升温程序、籽晶的腐蚀和营养料的尺寸等工艺。但是，该方法易使ZnO晶体中引入金属杂质，还存在生长周期长、危险性高等缺点。助熔剂法是利用助熔剂使晶体形成温度较低的饱和熔体，通过缓慢冷却或在恒定温度下通过蒸发熔剂，使熔体过饱和而结晶的方法，特别适合生长熔点高的晶体。通过寻找合适的助熔剂和控制生长的条件，有望用该方法生长出更大尺寸的ZnO晶体材料。但助熔剂法生长过程中容易给晶体带入助熔剂杂质，产生应力，这对于必须控制好杂质的含量和化学计量比以适应电子材料方面的应用来说是很不利的。另外，ZnO在熔体中容易挥发也是用这种方法生长ZnO单晶的一个很不利的因素。气相法是利用蒸汽压较大的材料，在适当的条件下，使蒸汽凝结成为晶体的方法，适合于生长板状晶体。与水热法及助熔剂法容易掺入杂质相比，气相沉积法生长的晶体纯度更高，但生长难以控制。除了以上三种方法外，还有坩埚下降法、直接高温升华金属锌和氧反应法、氟化锌空气反应法等方法生长ZnO单晶。 2.2 ZnO纳米材料的制备 ZnO 3. ZnO材料的应用 3.1 ZnO晶体材料的应用 到目前为止，一些典型的ZnO晶体材料，且具有不同的配位数，已经被理论上预测或实验上合成出来[6-20]。氧化锌晶体有三种结构：六边纤锌矿结构、立方闪锌矿结构，以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。纤锌矿结构在三者中稳定性最高。立方闪锌矿结构可由逐渐在表面生成氧化锌的方式获得。在两种晶体中，每个锌或氧原子都与相邻原子组成以其为中心的正四面体结构。八面体结构则只曾在100亿帕斯卡的高压条件下被观察到。纤锌矿结构、闪锌矿结构有中心对称性，但都没有轴对称性。在这些ZnO晶体材料中，六方纤锌矿ZnO (WZ-ZnO) 是众所周知的最稳定的ZnO晶体结构，也是在室温条件下被研究者最为广泛观察到的一种四配位结构的ZnO晶体材料。表1中给出了六方纤锌矿WZ-ZnO在室温下的一些基本物理结构参数。从表1中可以看出，六方纤锌矿WZ-ZnO在室温下拥有一宽带隙，其值约为3.37 eV，同时其激子束缚能高达60 meV，这些性质使WZ-ZnO在半