第六章半导体界面问题分析.ppt

第六章 半导体界面问题概要 §1 金属-半导体接触和肖特基势垒 §2 半导体表面电场效应 §3 MOS结构的C-V特性 § 1 金属-半导体接触和肖特基势垒 (1)??? 金属和半导体的功函数 (2)??? 金属-半导体接触电势差 (3) 表面态对接触势垒的影响 (4) I-V特性的定性图象 ★ 金属和半导体的功函数 功函数: W= EVAC-EF, ( EVAC --真空中静止电子的能量,亦记作E0 ) 功函数给出了固 体中EF处的电子 逃逸到真空所需 的最小能量. 关于功函数的几点说明: ① 对金属而言, 功函数Wm可看作是固定的. 功函数Wm标志了电子在金属中被束缚的程度. 对半导体而言, 功函数与掺杂有关 ② 功函数与表面有关. ③ 功函数是一个统计物理量 对半导体,电子亲和能χ是固定的,功函数与掺杂有关 表7-1 半导体功函数与杂质浓度的关系 ? n型半导体: WS=χ+(EC-EF) ? p型半导体: WS=χ+[Eg-(EF-EV)] ★ 金属和半导体接触电势差 ?一种典型情况: 讨论M/n型半导体, WmWs(阻挡层） ①接触电势差--为了补偿两者功函数之差,金属与半导体之间产生电势差: Vms=(Ws –Wm)/e ?当WmWs , Vms0 (金属一边低电势) （反阻挡层） ?通常,可认为接触电势差全部降落于空间电荷区. ②半导体一边的势垒高度: VD =∣Vms∣ ③表面势—半导体表面相对于体内的电势 Vs= Vms ④金属一边的势垒高度(肖特基势垒--SB): eΦSB = eΦns = Wm –χ ? 常常选择ΦSB为描述金属/半导体接触势垒的基本物理量(ΦSB几乎与外加电压无关) ★ 金属/半导体接触的几种情况 对M / n型半导体: ? WmWs 能带上弯--电子势垒 空间电荷—电离施主 ? WmWs 能带下弯--电子势阱 空间电荷—电子积累 势垒—阻挡层, 势阱—反阻挡层 对M / p型半导体: ? WmWs 能带上弯--空穴势阱 空间电荷—空穴积累 ? WmWs 能带下弯--空穴势垒 空间电荷—电离受主 ★ 表面态对接触势垒的影响 理论上, 金属一边的势垒高度 eΦSB = eΦns = Wm –χ 实际上, ΦSB常常与金属的种类关系不太大,而主要取决于表面态(界面态)的影响: 半导体表面处, 禁带中存在表面态. 半导体与其表面态通过交换电子, 达到相互平衡 ? (由于表面态的存在,)半导体表面产生空间电荷区, 能带弯曲. 以M/n型半导体为例, 且WmWs . ① 单独考虑表面态:表面态在能隙中形成一个能带. ?设表面态的电中性能级距价带顶为eΦ0 由表面态的带电状态, 表面态可分为: ? 施主型表面态—被电子占据时, 呈电中性, 失去电子后,呈正电性. ? 受主型表面态—空态时, 呈电中性, 得到电子后,呈负电性. 对大多数半导体,表面态电中性能级距价带顶大约有 eΦ0 = ? Eg ?对p型半导体, 本征表面态常为施主型 ?对n型半导体, 本征表面态常为受主型 ②半导体与其表面态通过交换电子, 达到相互平衡, 具有统一的EF . 当表面态的密度很大, EF被表面态钉扎 (钉扎于表面态电中性能级) . ? 对n型半导体: eVD =Eg –eΦ0 –(Ec –EF)n ? 对p型半导体: eVD =eΦ0 –(EF –EV)p ③考虑金属/半导体: 当带有表面态的半导体与金属接触, 要考虑这三者之间的电子交换. 平衡时,金属,表面态和半导体具有统一的EF . 对金属/半导体接触势垒的小结: 仍以M/n-S, 势垒接触(WmWs)为例: eΦSB =eVD+(Ec –EF)n ? 当不考虑表面态: eΦSB = Wm –χ ? 当表面态的密度很高: eΦSB =Eg –