新）DSP实验指导.docVIP

实验：实验 1. 理解F28335在硬件上如何扩展RAM内存。 2. 理解F28335在扩展RAM存储器上的编程。 二、实验设备 1．装有CCS5.2的计算机一台。 2．ZQ28335开发板、XDS100V2 USB仿真器、USB接口线及5V电源。 三、实验原理 F28335的片上存储器和片外存储器采用统一编址方式。当片内RAM存储器不够用时，可外接芯片扩展。扩展存储器只能在0x00 4000~0x00 5000的XINF 区域0、0x10 0000~0x20 0000的XINF 区域6和0x20 0000~0x70 0000的XINF 区域7，如图1所示。 1．外扩RAM电路 选用的RAM型号为IS61LV25616AL，256K×16bit大小。这里使用A17~A0，共18根地址线，最大为256K；数据线为D15~D0。片选信号CE接F28335的XZCS7引脚，写WE由XWE提供，RD（OE，Output Enable）信号均XRD提供。有硬件电路可知，外扩的RAM地址范围为0x20 0000~0x23 FFFF。 由于没有使用A19~A18地址线，在仿真时，凡低18位地址相同的单元，读出的内容都是同一个单元内容,如0x240000~0x27FFFF，0x280000~0x2BFFFF和0x2C0000~0x2FFFFF上读出的内容与0x200000~0x23FFF的内容相同