金属化和多层互连讲述.ppt

金属化与多层互连 金属化及其要求 Al在IC中的应用 Cu及低K介质的应用 多晶硅及金属硅化物 多层布线技术 金属化及其要求 金属化:金属及其他导电材料在IC中的应用。 金属材料的三大应用： （1）栅极材料——作为器件组成部分 （2）接触材料——与半导体材料接触，半 导体与外界的连接桥梁 （3）互连材料——连接各器件，形成电路 金属化对材料的要求 (1)好的界面特性（粘附性、界面态等） (2)热、化学稳定性 (3)电导率高 (4) 抗电迁移性强 (5)接触电阻小 (6) 易加工（沉积、刻蚀、键合） (7) 多层间绝缘性好（扩散阻挡层） 特征电阻 Rc 衡量欧姆接触质量的参数是特征电阻Rc 定义：零偏压下的电流密度对电压偏微商的倒数 形成欧姆接触的方式 低势垒欧姆接触：一般金属和P型半导体 的接触势垒较低 高复合欧姆接触 高掺杂欧姆接触 金属化材料 Al Cu 高熔点金属（W、Mo、Ta、Ti等） 多晶硅 金属硅化物（WSi2、 MoSi2、TiSi2等） 此外，还要考虑介质材料，阻挡层，垫层等。 Al在IC中的应用 Al在IC中的应用 最常用的连线金属 第四佳的导电金属 Ag 1.6 mW?cm Cu 1.7 mW?cm Au 2.2 mW?cm Al 2.65 mW?cm Al与SiO2反应： 4Al+3SiO2?2Al2O3+3Si 反应可以改善Al/Si欧姆接触电阻；增强Al引线与SiO2的黏附性。 铝的基本资料 Al金属化存在的问题： （1）大电流密度下，有显著的电迁移现象 （2）高温下，Al和Si、SiO2会发生反应，产生“尖锲”现象。 （1）电迁移 Al为多晶材料，包含很多单晶态晶粒。 大电流密度下，Al原子沿电流方向的定向迁移，多沿晶粒边界。 电迁移造成短路或断路，造成器件失效，影响IC可信度。 （1）电迁移 平均失效时间MTF：50%互连线失效的时间 式中 A 金属条横截面积 (cm2) J 电流密度 (A/cm2) ? 金属离子激活能 (ev) k 玻尔兹曼常数 T 绝对温度 C 与金属条形状、结构有关的常数 电迁移改善方法： （1）竹状结构：晶粒边界垂直于电流方向。 （2）Al-Cu， Al-Si-Cu合金： 少量Cu的加入可以显著改善抗电迁移 性能 (3) 三明治结构:两层铝膜之间夹一层过度金属层,400度退火1小时,在铝膜之间形成金属化合物。 (2) Al的“尖锲”现象 硅不均匀溶解到Al中，并向Al中扩散，形成腐蚀坑 ，Al相应进入Si中，形成“尖锲”。 实际上，硅在接触孔内并不是均匀消耗的，往往只是通过几个点消耗Si，因此这些地方的深度很大，Al在这里象尖钉一样锲入Si中，使pn结实效，实际深度往往可以超过1um。 Al/Si接触的改善 合金化：采用含少量Si的Al-Si合金（一般为1%）,由于合金中已存在足量的Si，可以抑制底层Si的扩散，防止“尖锲”现象。 在300oC以上，硅就以一定比例熔于铝中，在此温度，恒温足够时间，就可在Al-Si界面形成一层很薄的Al-Si合金。Al通过Al-Si合金和接触孔下的重掺杂半导体接触，形成欧姆接触 Al-Si系统一般合金温度为450－500 oC Al/Si接触的改善 Al-阻挡层结构：在Al与Si之间沉积一层薄阻挡层，限制Al“尖锲”现象。 希望阻挡层与Si有好的黏附性和低的欧姆接触电阻，可以采用硅化物，如PtSi、Pd2Si或CoSi2，也可采用Ti、TiN、TaN和WN等。 铜及低K介质 铜及低K介质 金属化及多层布线的发展： 电路特征尺寸不断缩小 芯片引线数急剧增加 芯片内部连线长度迅速上升 金属布线层数不断增加 互连引线的延迟时间增加 Intel 奔腾 III Merced （1999） 6层金属互连，0.18μm工艺，集成晶体管数 2500万个，连线总长度达5km 估计0.07 μm工艺，一个微处理器需10层金属互连，连线总长度达10km 铜及低K介质 RC常数： 互连引线的延迟时间以RC常数来表征。 其中，l为引线长度，w为引线宽度，tm为引线厚度，tox为介质层厚度。 从中可以看出，采用低电阻率的互连材料和低介电常数的介质材料可以有效降低互连系统