尼曼-半导体物理与器件第四章1解析.ppt

* * 价带：被价电子占据的允带，且低温下通常被价电子占满。 导带：价带之上相邻的允带，低温下（特别当T＝0时）无电子占据——半导体。 * 晶体中电子的状态是通过求解薛定谔方程得到：可知一个波矢k值确定一个量子状态，因此以 k为坐标，两个相邻可能的k值之间只有一个量子态（这是以一维为例，如果是三维的话，在k坐标下也要考虑三个方向的k坐标：kx、ky、kz） * 在上一章我们讨论了一般晶体，运用量子力学的概念对其进行研究，确定了单晶晶体中电子的一些特性。 本章中，我们将运用这些概念专门研究半导体材料。 * 本章所涉及到的半导体均处于平衡状态，或是称为热平衡状态。 * 前面有提到过，我们最终想要得到的是对半导体器件电流-电压特性的描述。 因为电流是由于电荷的定向移动产生的，因此确定用于导电的电子、空穴的数量十分重要。 泡利不相容原理可知，一个状态只能被一个电子所占据，能量的允带由分立能级组成。 用一个能量函数来确定能量状态的密度，从而计算电子和空穴的浓度。 * 本征半导体中，热能会产生电子和空穴对，导带中的电子数量与价带中的空穴数量相等。 * * * 为了求出热平衡电子和空穴浓度，需确定EF相对于Ec和Ev的位置。 首先已本征半导体为例。 * 根据导带宽度（E’C-EC）的典型值，以及被积函数的特点，将积分上限E’C变为∞。 伽马函数是可以查表得到的，不必要记忆。 * * 平衡半导体载流子浓度和费米能级EF位置密切相关。 * 本征半导体处于电中性，本征激发的过程同时产生一个电子和一个空穴。 * 禁带宽度Eg越大，本征载流子浓度越低 禁带宽度Eg越大，本征载流子浓度越低 * 例4.4、E4.6 * 左图假设掺杂的是五族原子，例如磷，磷原子有五个价电子，磷原子替位硅之后，有4个与硅原子结合形成共价键，第五个则未形成共价键。只要少量能量，就可使其激发到导带中，导带中电子的运动形成电流。磷原子由于失去了一个电子，形成带正电的磷离子。带正电的磷离子被固定在杂质能级不动，磷原子称为施主杂质原子。此时的半导体称为n型半导体。 相反，如右图所示，掺杂了三族原子，如硼之后，由于硼原子有三个价电子，替位硅之后，与硅形成共价键，则需要额外一个电子填充，这样硼原子带负电，额外需要的填充电子在价带流下了一个空位。价带空穴的运动也性能了电流，而带负电的硼离子被固定在杂质能级上不动，硼原子称为受主杂质原子。此时的半导体称为p型半导体。 * 激发施主电子进入导带所需的能量称为电离能，同样激发价带电子进入杂质能级所需的能量也称为电离能。 * 前面是以硅为例，叙述了四族半导体中的掺杂。 * 图中EFi表示本征费米能级，EF表示掺杂半导体内的费米能级。 * 例4.5直观说明费米能级移动对载流子浓度造成的影响：当费米能级抬高约0.3eV，则电子浓度变为ni的105倍，为空穴浓度的1011倍。 * 只要满足玻尔兹曼近似条件，上述公式才成立。 * 非简并半导体：杂质能级是分立的、无相互作用的。掺杂浓度相对小。EC-EFkT，EF-EVkT 简并半导体：杂质能级由单一、分立的能级分裂成为一个能带。掺杂浓度增加。 第四章 平衡半导体（1） 第四章 平衡半导体（1） * 高等半导体物理与器件第四章 平衡半导体（1） 第四章 平衡半导体（1） * 前章概要 … … 内层允带都为满带 导带：基本无电子占据 价带：价电子占满 导带之上仍有很多允带，但都为空带 允带 允带 允带 禁带 禁带 允带 禁带 … … （1）半导体材料能带图 第四章 平衡半导体（1） * （2）状态密度gc(E)、gv(E) k坐标下的量子态密度gT(k)：k坐标下单位体积的量子态数目 k坐标下的量子态数Z(k)=V1*gT(k)，V1（k坐标下的体积）→对k坐标求导数dZ(k) E(k)~k dZ(E) 状态密度g(E)=dZ(E)/(V2*dE)，V2（直角坐标系下的体积） 第四章 平衡半导体（1） * 本章主要内容 半导体中的载流子 掺杂原子与能级 非本征半导体 施主和受主的统计学分布 电中性状态 费米能级的位置 小结 第四章 平衡半导体（1） * 平衡状态（热平衡状态） 是指没有外界影响（如电压、电场、磁场或者温度梯度等）作用于半导体上的状态。 理想的本征半导体是晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体。 掺杂改变半导体的电学特性。 费米能级是杂质原子类型和浓度的函数。 第四章 平衡半导体（1） * 4.1 半导体中的载流子 载流子：在半导体内可以运动形成电流的电子或空穴。 载流子定向运动形成电流； 半导体两种载流子：导带电子和价带空穴； 半导体中电流大小取决于：载流子浓度，载流子运动速度（定向的平均速度）； 载流子浓度推导计算用到状态密度和分布函数。 第四章 平衡半导体（1） * 理想的本