电子信息材料基础摘要..doc

微电子电路中的主要材料问题 1.衬底材料——Si，SOI， GaAs, InP, GaN等 （1）晶片直径越来越大；（2）微缺陷要求越来越高；（3）几何精度特别是平整度； 2.半导体材料的分类 1. 按化学组分和结构 元素半导体材料 (B, Si, Ge, Grey Sn, P,Se,Te) 化合物半导体材料III-V族半导体材料(GaAs, InP, GaN…） II-VI族半导体材料(ZnO, ZnS, ZnSe, CdTe, CdSe…) IV-VI族半导体材料(PbS, PbSe, PbTe…) IV-IV族半导体材料 (SiC, SiGe, SiSn, GeSn…) 多元化合物半导体 (GaAlAs,InGaAsP,Zn1-xMgxSySe1-y…) 2. 按禁带宽度 窄带隙半导体材料/宽带隙半导体材料 3. 按使用功能 电子材料、光电材料、传感材料、热电致冷材料等 3.第一代半导体材料，元素半导体材料，以Si和Ge为代表; Si：Eg=1.12 eV 第二代半导体材料，化合物半导体材料，以GaAs1.42eV，InP1.35eV等材料为代表; 第三代半导体材料，化合物半导体材料，以GaN，SiC，ZnO等材料为代表; GaN: Eg=3.3 eV 半导体材料另一发展趋势是：由三维体材料向薄膜、两维超晶格量子阱、一维量子线和零维量子点材料方向发展。 4.Si单晶生长： （1）区熔法（FZ） （2）直拉法（CZ）优点： 较好的直径控制 较好的缺陷控制 较好的杂质控制 缺点：与坩埚接触，易引入杂质 直拉法的工艺过程： 1.籽晶熔接,“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击2.引晶和缩颈, 其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸3.放肩, 让晶体逐渐长大到所需的直径为止4.等径生长, 当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩,收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变5.收晶，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。 5.作为标准CMOS工艺的一种改进技术，SOI技术通过在两层硅基板之间封入一个绝缘的氧化层(这与大容量CMOS工艺技术恰好相反)，从而将活跃的晶体管元件相互隔离。 SOI器件具有寄生电容小、短沟道效应小、速度快、集成度高、功耗低、耐高温、抗辐射等优点，越来越受业界的青睐； SiO2埋层能有效地使电子从一个晶体管门电路流到另一个晶体管门电路，不让多余的电子渗漏到硅晶圆上。 绝缘体上硅片(silicon-on-insulator，SOI) 技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现、有其独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。 CMOS管的下面会构成多个三极管, 这些三极管自身就可能构成一个电路。这就是MOS管的寄生三极管效应。 如果电路偶尔中出现了能够使三极管开通的条件, 这个寄生的电路就会极大的影响正常电路的运作, 会使原本的MOS电路承受比正常工作大得多的电流, 可能使电路迅速的烧毁。 闩锁效应在大线宽的工艺上作用并不明显, 而线宽越小, 寄生三极管的反应电压越低, 闩锁效应的影响就越明显。闩锁效应被称为继电子迁移效应之后新的“CPU杀手”。防止 6.SOI中“工程化的”基板由以下三层构成： （1）薄薄的单晶硅顶层，在其上形成蚀刻电路 （2）相当薄的绝缘二氧化硅中间层 （3）非常厚的体型衬底硅衬底层，其主要作用是为上面的两层提供机械支撑。 7. SOI材料的特点 1. Si有源层与衬底之间有介电绝缘层的隔离，消除了体硅CMOS闩锁效应 2. 易于制备出使有源层完全耗尽的超薄SOI层 3. 由于漏结面积减少，SOI器件中漏电流比体硅器件减少2~3个数量级 4. 由于有源层和衬底之间隔离，不致因辐照在衬底中产生电子－空穴对导致电路性能退化 5. SOI材料寄生电容小，有利于提高所制器件的性能 6. 利用SOI材料可简化器件和电路加工过程 7. SOI材料所致的MOSFET中短沟道效应和热载流子效应大大减弱，提高了器件的可靠性 8. SOI器件功耗低 9. 可利用SOI器件制作三维集成电路 8.SOI材料的制备 注氧隔离 键合与背腐蚀：该技术可避免离子注入造成的损伤和缺陷；但不易制得厚度低于100nm的硅膜 智能剥离：可获得高质量的硅有源层和完整性较好的SiO2掩埋层 外延层转移：外延生长SOI层，层厚度易于控制，厚度均匀性较好，并减少晶体中的原生缺陷，有利于提高器件的成品率 9.GaAs、InP单晶体生长的难点 合成与生长：熔点温度下高挥发（As、P）——高蒸汽压、纯化学配比 高温生长——坩堝沾污 高温高压——不完整性：缺陷、位错 GaAs（I