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微电子技术综合实践 P阱CMOS芯片制作工艺设计 《微电子技术综合实践》设计报告 题目： P阱CMOS芯片制作工艺设计 院系： 自动化学院电子工程系 专业班级： 学生学号： 学生姓名： 指导教师姓名： 职称： 起止时间： 6月27日—7月8日 成绩： 目 录 一、设计要求 3 1、设计任务 3 2、特性指标要求 3 3、结构参数参考值 3 4、设计内容 3 二、MOS管的器件特性设计 3 1、NMOS管参数设计与计算 3 2、PMOS管参数设计与计算 4 三、工艺流程设计 5 1、衬底制备 5 2、初始氧化 6 3、阱区光刻 6 4、P阱注入 6 5、剥离阱区的氧化层 6 6、热生长二氧化硅缓冲层 6 7、LPCVD制备Si3N4介质 6 8、有源区光刻：即第二次光刻 7 9、N沟MOS管场区光刻 7 10、N沟MOS管场区P+注入 7 11、局部氧化 8 12、剥离Si3N4层及SiO2缓冲层 8 13、热氧化生长栅氧化层 8 14、P沟MOS管沟道区光刻 8 15、P沟MOS管沟道区注入 8 16、生长多晶硅 8 17、刻蚀多晶硅栅 8 18、涂覆光刻胶 9 19、刻蚀P沟MOS管区域的胶膜 9 1 20、注入参杂P沟MOS管区域 9 21、涂覆光刻胶 9 22、刻蚀N沟MOS管区域的胶膜 9 23、注入参杂N沟MOS管区域 9 24、生长PSG 9 25、引线孔光刻 10 26、真空蒸铝 10 27、铝电极反刻 10 四、P阱光刻版 1.氧化生长 2.曝光 3.氧化层刻蚀 4.P阱注入 5.形成P阱 6.氮化硅的刻蚀 7.场氧的生长 8.去除氮化硅 9.栅氧的生长 10.生长多晶硅 11.刻蚀多晶硅 12.N＋离子注入 13.P+离子注入 14.生长磷化硅玻璃PSG 15.光刻接触孔 16.刻铝 17.钝化保护层淀积 五、工艺实施方案 六、心得体会 七、参考资料 一．设计要求： 1、设计任务：N阱CMOS芯片制作工艺设计 2、特性指标要求 n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压 VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥25V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn=600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压 VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥25V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率 fmax≥1GHz（迁移率μp=220cm2/V·s） 3、结构参数参考值： N型硅衬底的电阻率为20??cm；垫氧化层厚度约为600 ?；氮化硅膜厚约为1000 ?； P阱掺杂后的方块电阻为3300?/?，结深为5~6?m； NMOS管的源、漏区磷掺杂后的方块电阻为25?/?，结深为1.0~1.2?m； PMOS管的源、漏区硼掺杂后的方块电阻为25?/?，结深为1.0~1.2?m； 场氧化层厚度为1?m；栅氧化层厚度为500 ?；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 ?。 4、设计内容 1、MOS管的器件特性参数设计计算； 2、确定p阱CMOS芯片的工艺流程，画出每步对应的剖面图； 3、分析光刻工艺，画出整套光刻版示意图； 4、 给出n阱CMOS芯片制作的工艺实施方案（包括工艺流程、方法、条件、结果） 二．MOS管的器件特性设计 1、NMOS管参数设计与计算： 由BVGS?EBtox得tox? fmax?BVGS25?ox则C?8.3?10?8F? ,??417C?2 oxox6VcmEB6?10ox?n(VGS?VT)?1GHz得L?3.23?m 22?L W?pCOX 2L(VGS?VT)2?mA，式中（VGS-VT）≥VDS(sat)，得W?12.2 L再由IDSAT? 又gm? 3 ?IDW?nCOXW?(VGS?VT)?0.5ms，得?9.1 ?VGSLL 4 ?W?12.2 L 阈值电压VTP?(?|QSD(max)|?QSS)tox ?ox?2?fn??ms QSD(max)?eNAxdT xdT?(4?s?fn eNA) ?fn?KTND) ?ms?1.1V eni qND2L得L?0.7?m 2?s取ND发现当ND?1?1017cm?3时VTP??1.05V符合要求,又BVDS? 2、PMOS管参数设计与计算： 因为BVGS?EBtox,其中，EB?6×106tox?BVGS25??41? 7EB6?106VW?pC 2LoxV，BVGS?25V 所以)饱和电流：ID(sat?V(G?SV2 T)式中（VGS-VT）≥VDS(sat)，， Cox?