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(U盘电路板结构图解说明及简单维修方法

U盘电路板结构图解说明及简单维修方法 (缺少图) ??????? U盘的结构比较简单,主要是由USB插头、主控芯片、稳压IC(LDO)、晶振、闪存(FLASH)、PCB板、帖片电阻、电容、发光二极管(LED)等组成。 ???????USB插头:容易出现和电路板虚焊,造成U盘无法被电脑识别,如果是电源脚虚焊,会使U盘插上电脑无任何反映。有时将U盘摇动一下电脑上又可以识别,就可以判断USB插口接触不良。只要将其补焊即可解决问题。 ???????稳压IC:又称LDO,其输入端5V,输出3V,有些劣质U盘的稳压IC很小,容易过热而烧毁。还有USB电源接反也会造成稳压IC烧毁。维修时可以用万用表测量其输入电压和输出电压。如无3V输出,可能就是稳压IC坏了。但有一种情况,输出电压偏低,且主控发烫,这时就是主控烧了。还有些U盘会在USB+5V和稳压IC之间串一个0欧姆的保护电阻,此时稳压IC没有5V输入电压就是它坏了。 现在许多主控都将LDO集成到主控内部了,所以我们会看到许多U盘都没有外置LDO了,它们都是USB+5V电压直接输入。这种情况就要换主控了。 ???????晶振:早期的U盘大多都是用6M的晶振,现在的U盘则普遍采用12M晶振。晶振不耐摔,所以它是U盘上的易损件,最好的维修方法就是用相同频率的晶振直接代换。 ???????主控芯片:主控制芯片负责闪存与USB连接,是U盘的核心,我们一般所说的U盘方案就是指主控芯片的型号。量产工具也是与它对应的。有些主控芯片还要输入3V的电压给FLASH供电,保证闪存的正常工作。 ?????? FLASH焊盘:它的作用是固定闪存,使闪存与主控连接。受外力挤压后容易使闪存与焊盘接触不良,这时会造成电脑上的U盘打不开,无法存储文件等。只要将闪存的引脚补焊一下就可以修复,也即我们常说的拖焊。 u盘结构图 ?? 闪存名称的由来主要就是因为其存储介质是Flash Memory,有多种技术能实现半导体存储,其中主要有NAND(与非)和NOR(异或)两种。而我们如今用的“大容量”闪盘基本都是NAND型的,这是为什么呢?最主要的原因是:两者容量/单位成本!其次是速度!都有很大不同,因此应用场合有所不同。 ?? 先来讲讲速度 Flash闪存是非易失存储器(所谓非易失性即掉电仍旧能保存信息的特性),可以对称为块的存储器单元“块”进行擦写和再编程。 NAND电子盘模块结构图,内部不存在存储控制器,我们可以简单地认为某容量(比如32MB)内部分成一个个小方块似的存储空间,每个空间内都能存储一定量大小的信息。 NOR型闪存的块大小为64~128KB,而NAND型闪存块的大小为8~32KB,在上一篇中介绍的三星闪存块头大小就是16KB,整个32MB容量是由2000个这样大小的存储空间组成。 任何Flash闪存的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除操作。NAND闪存执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位(bit)都写为0。 NAND型的单元排列是串行的,而NOR型则是并行的。在NAND型闪存中,存贮单元被分成页,由页组成块。根据容量不同,块和页的大小有所不同,而组成块的页的数量也会不同,如8MB的模块,页大小为(512+16)Byte、块大小为(8K+256)Byte;而2MB模块,页大小为(256+8)Byte、块大小为(4K+128)Byte。 该三星闪存芯片的页大小为(512+16)Byte,块大小为(16K+512)Byte NAND型存贮单元的读写是以块和页为单位来进行的,像硬盘多过像传统的内存。实际上,NAND型的Flash Memory可以看做是顺序读取的设备,它仅用8比特的I/O端口就可以存取按页为单位的数据。正因为这样,它在读和擦文件、特别是连续的大文件时,与NOR型的Flash Memory相比速度相当的快。但NAND型的不足在于随机存取速度较慢,而且没有办法按字节写;这些方面就恰好是NOR型的优点所在:NOR型随机存取速度较快,而且可以随机按字节写。正因为这些特点,所以NAND型的Flash Memory适合用在大容量的多媒体应用中,而NOR型适合应用在数据/程序存贮应用中。 好了,我们来看一下两者写入/擦除的速度有何不同: ?????????????????????????????????????????????????? NOR????????????????? NAND 写入/擦除一个块操作时间????? 1~5s??????????????? 2~4ms 读性能????????????????????????????????????? 1200~1500KB??? 600~800KB 写性能?

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