- 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
(U盘电路板结构图解说明及简单维修方法
U盘电路板结构图解说明及简单维修方法 (缺少图)
??????? U盘的结构比较简单,主要是由USB插头、主控芯片、稳压IC(LDO)、晶振、闪存(FLASH)、PCB板、帖片电阻、电容、发光二极管(LED)等组成。
???????USB插头:容易出现和电路板虚焊,造成U盘无法被电脑识别,如果是电源脚虚焊,会使U盘插上电脑无任何反映。有时将U盘摇动一下电脑上又可以识别,就可以判断USB插口接触不良。只要将其补焊即可解决问题。
???????稳压IC:又称LDO,其输入端5V,输出3V,有些劣质U盘的稳压IC很小,容易过热而烧毁。还有USB电源接反也会造成稳压IC烧毁。维修时可以用万用表测量其输入电压和输出电压。如无3V输出,可能就是稳压IC坏了。但有一种情况,输出电压偏低,且主控发烫,这时就是主控烧了。还有些U盘会在USB+5V和稳压IC之间串一个0欧姆的保护电阻,此时稳压IC没有5V输入电压就是它坏了。 现在许多主控都将LDO集成到主控内部了,所以我们会看到许多U盘都没有外置LDO了,它们都是USB+5V电压直接输入。这种情况就要换主控了。
???????晶振:早期的U盘大多都是用6M的晶振,现在的U盘则普遍采用12M晶振。晶振不耐摔,所以它是U盘上的易损件,最好的维修方法就是用相同频率的晶振直接代换。
???????主控芯片:主控制芯片负责闪存与USB连接,是U盘的核心,我们一般所说的U盘方案就是指主控芯片的型号。量产工具也是与它对应的。有些主控芯片还要输入3V的电压给FLASH供电,保证闪存的正常工作。
?????? FLASH焊盘:它的作用是固定闪存,使闪存与主控连接。受外力挤压后容易使闪存与焊盘接触不良,这时会造成电脑上的U盘打不开,无法存储文件等。只要将闪存的引脚补焊一下就可以修复,也即我们常说的拖焊。
u盘结构图
?? 闪存名称的由来主要就是因为其存储介质是Flash Memory,有多种技术能实现半导体存储,其中主要有NAND(与非)和NOR(异或)两种。而我们如今用的“大容量”闪盘基本都是NAND型的,这是为什么呢?最主要的原因是:两者容量/单位成本!其次是速度!都有很大不同,因此应用场合有所不同。
??
先来讲讲速度
Flash闪存是非易失存储器(所谓非易失性即掉电仍旧能保存信息的特性),可以对称为块的存储器单元“块”进行擦写和再编程。
NAND电子盘模块结构图,内部不存在存储控制器,我们可以简单地认为某容量(比如32MB)内部分成一个个小方块似的存储空间,每个空间内都能存储一定量大小的信息。
NOR型闪存的块大小为64~128KB,而NAND型闪存块的大小为8~32KB,在上一篇中介绍的三星闪存块头大小就是16KB,整个32MB容量是由2000个这样大小的存储空间组成。
任何Flash闪存的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除操作。NAND闪存执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位(bit)都写为0。
NAND型的单元排列是串行的,而NOR型则是并行的。在NAND型闪存中,存贮单元被分成页,由页组成块。根据容量不同,块和页的大小有所不同,而组成块的页的数量也会不同,如8MB的模块,页大小为(512+16)Byte、块大小为(8K+256)Byte;而2MB模块,页大小为(256+8)Byte、块大小为(4K+128)Byte。
该三星闪存芯片的页大小为(512+16)Byte,块大小为(16K+512)Byte
NAND型存贮单元的读写是以块和页为单位来进行的,像硬盘多过像传统的内存。实际上,NAND型的Flash Memory可以看做是顺序读取的设备,它仅用8比特的I/O端口就可以存取按页为单位的数据。正因为这样,它在读和擦文件、特别是连续的大文件时,与NOR型的Flash Memory相比速度相当的快。但NAND型的不足在于随机存取速度较慢,而且没有办法按字节写;这些方面就恰好是NOR型的优点所在:NOR型随机存取速度较快,而且可以随机按字节写。正因为这些特点,所以NAND型的Flash Memory适合用在大容量的多媒体应用中,而NOR型适合应用在数据/程序存贮应用中。
好了,我们来看一下两者写入/擦除的速度有何不同:
?????????????????????????????????????????????????? NOR????????????????? NAND
写入/擦除一个块操作时间????? 1~5s??????????????? 2~4ms
读性能????????????????????????????????????? 1200~1500KB??? 600~800KB
写性能?
您可能关注的文档
- (THCEZX-1A型汽车整车电气系统实训考核装置技术参数及功能简介.doc
- 《疼痛诊疗科专科疾病护理常规试题.doc
- 固定资产转让合同0.doc
- 《疾控会议发言材料.doc
- (Timez个人资料.doc
- (Tkrhqk人教版五年级下册数学教学计划.doc
- 《疾控工作情况.doc
- 基于单片机的全自动洗衣机控制系统设计排.doc
- (To12级-三水校区宿舍、教学、膳食、交通、环境基本情况.doc
- 《疾病征兆写脸上16种面相预示健康危机.doc
- 2025AACR十大热门靶点推荐和解读报告52页.docx
- 财务部管理报表.xlsx
- 高中物理新人教版选修3-1课件第二章恒定电流第7节闭合电路欧姆定律.ppt
- 第三单元知识梳理(课件)-三年级语文下册单元复习(部编版).pptx
- 俄罗斯知识点训练课件-七年级地理下学期人教版(2024).pptx
- 课外古诗词诵读龟虽寿-八年级语文上学期课内课件(统编版).pptx
- 高三语文二轮复习课件第七部分实用类文本阅读7.2.1.ppt
- 高考物理人教版一轮复习课件第4章第3讲圆周运动.ppt
- 高考英语一轮复习课件53Lifeinthefuture.ppt
- 2025-2030衣柜行业风险投资发展分析及投资融资策略研究报告.docx
文档评论(0)