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光刻岗位工艺总结 引言：本文仅供大家参考，文章中错误之处请大家指正。 希望后续光刻工艺员能够根据自己的实际工作经验将该总结不断完善。 光刻各岗位基本工艺知识及工艺过程控制要点： 上料 上料机原理 使用机械手上料，并对每片玻璃的阻值厚度进行检测。 清洗： 清洗干燥的原理 去除ITO玻璃表面残留的灰尘、有机物等,为涂胶提供干净、干燥的ITO玻璃； 主要清洗方式 洗洁精+超声+高纯水+IRUV 洗洁精的去污原理：洗洁精（表面活性剂）能够使不相溶的液体成为乳浊液。通过此乳化作用将油脂包围在水中而形成乳浊液来达到去污作用，玻璃经过洗洁精去油污后，再依次用大量的自来水，去离子水冲洗就可以达到洁净玻璃表面的目的。 高纯水清洗可去除溶于水的杂质及一些灰尘，同时还能够将上工序的洗洁精去除掉； 超声波作用机理：通过超声空化作用，存在于液体中的微气泡（空气核）在声场的作用下振动，当声压达到一定的值时，气泡将迅速增长，然后突然闭合，在气泡闭合时产生冲击波，在其周围产生上千个大气压的压力，破坏不溶性污物而使它们分散在清洗液中。 IR主要是将玻璃表面的水份烘干，经过清洗后的玻璃，表面沾有水或者有机溶剂等清洗液，这将会对后续工序造成不良影响，特别是光刻工艺会产生浮胶，钻刻，图形不清晰等，因此玻璃必须经过干燥处理。 UV主要是将有机物的长分子链打断成小分子链，从而达到去除有机物的目的； 清洗效果评价方法 测试接触角，接触角小于10度 重要管理项目 洗洁精浓度 （四厂光刻用洗洁精为MG，其浓度最初为2%，后经试验验证，使用5%浓度的洗洁精清洗效果较好，后改用5%浓度的洗洁精进行清洗） 洗洁精温度 喷淋圧力及流量 DIW喷淋流量 刷子转速、下压距 清洗时间（走速） IR/UV/CP温度曲线 涂胶，前烘： 涂胶基本原理 光刻胶膜厚与辊压，印压的变化关系 备注:1、此结论为涂胶辊供应商提供的经验曲线，仅供参考。 2、根据实际调胶辊的经验，光刻胶的膜厚与辊压压入量的关系较大，与印压压入量的关系较小，工艺员在调整涂胶辊时可参考。 光刻胶膜厚与光刻胶粘度的变化关系 结论：1.光刻胶粘度在20CP——40CP之间时，涂胶膜厚随光刻胶粘度增加而增加； 2.光刻胶粘度在40CP——60C之间时，涂胶膜厚不随光刻胶粘度变化而变化； 备注： 光刻胶粘度为20CP时，出现较多条纹，采用其他粘度，涂胶效果良好； 此数据只是由一个涂胶辊测试得出，对于其他不同的涂胶辊可能有所不同，仅供参考； 光刻胶特性 光刻胶膜厚薄，曝光图像的分辨率高，对光刻胶的保护性弱； 光刻胶膜厚厚，曝光图像的分辨率低，对光刻胶的保护性强； 现行工艺条件，光刻胶粘度选择1.5～1.8um较为合适，既可以满足图像的解析度需要，又可以有效地保护ITO，降低断线的发生。 前烘的原理： 目的是促使胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥以增加胶膜与ITO 表面的粘附性和胶膜的耐磨性。 烘炉温度设置的原则 烘炉的温度设置以0.7t玻璃的温度曲线为基准，对于不同厚度的玻璃采用相同的温度设置，这样做的目的是减少生产过程中烘炉升温，降温的过程，从而提升生产效率。由于不同厚度的玻璃选择相同的烘烤温度，所以不同厚度玻璃表面的光刻胶的固化程度不同，我们通过选择不同的曝光量得到相同的图形效果。 重要管理项目 光刻胶粘度 辊压和印压 胶辊转速 前烘烘炉温度曲线要求 4、曝光岗位 曝光基本原理 光化学反应原理：光刻胶+UV+H2O 一种有机酸 重要管理项目 平台温度 铬版温度 间隙设定 UV光强 曝光量 温湿度：因为光化学反应需要有水的参与，故曝光机中的湿度不可太低。 后烘烘炉温度曲线要求 5、显影、后烘岗位 显影的原理 在室温下, 利用KOH溶液与曝过光的光刻胶层发生化学反应, 以获得酸刻时所需要的抗蚀保护膜的图形。 后烘的原理 因显影时胶膜会发生软化，膨胀影响胶膜的抗蚀能力，在显影后必须用适当的温度烘焙玻璃以除去水分，增强胶膜与玻璃的粘附性。后烘温度略高于前烘条件。 重要管理项目 显影液浓度 显影液温度 喷淋圧力 显影时间及槽液更换频率 后烘温度曲线要求 6、酸刻岗位 酸刻的原理 用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻胶保护的ITO 膜腐蚀掉，而将有光刻胶保护的ITO 保存下来，最终形成ITO 图形。 提高酸刻产能 我们目前使用的酸刻液是HCl+HNO3+H2O按照30：1：24的配比配置而成的混合溶液。对于7欧姆阻值和铝膜产品其酸刻节拍不能够满足15秒/片，对于目前的产能需要（85P/天），使用该酸刻混合溶液可以满足生产的需要。以后如果需要继续提高酸刻产能需考虑更换酸刻液