1半导体器件摘要.ppt

第一章 半导体器件 半导体器件是组成各种电子电路的基础，它是近代电子学的重要组成部分。 体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小等优点而得到广泛的应用。 §1.1 半导体的特性 硅或锗的共价键结构 硅或锗的共价键结构 二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。 结论 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是UBR的一半。 1.2.3 半导体二极管的主要参数 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管反向电流较小，锗管反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4. 正向压降UF 在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。小电流的硅二极管的正向压降约为0.6～0.8V；锗二极管0.2～0.3V。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主 要利用它的单向导电性，应用于整流、限幅、保护 等等。 1.2.3 半导体二极管的主要参数 半导体二极管模型 1. 理想模型 指二极管正向偏置时，其管压降为0，相当于开关闭合；在反向偏置时，其电流为0，阻抗为无穷，相当于开关断开。具有这种特性的二极管称为理想二极管。 在实际电路中，当电源电压远大于二极管的管压降时，利用此模型分析才是可行的。 半导体二极管模型 2. 恒压降模型 指二极管正向导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化。硅管的管压降为0.7V，锗管的管压降为0.3V。 在实际电路中，此模型的应用相当广泛。 应用举例1：二极管半波整流(理想二极管) RL ui uo ui uo t t 半导体二极管应用例子 UD=ui－5 UD ≤ 0.7V,即ui≤5.7V,VD截止，uo=ui。 UD0.7V,即ui5.7V,VD导通,uo=5.7V; 应用举例2：已知ui=12sinωt(V),VD为硅管，试画出输出电压波形(恒压降二极管)。 ui/V uo/V t t 12 5.7 半导体二极管应用例子 1.2.4 稳压管 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它工作在反向击穿区,利用反向击穿特性，电流变化很大，引起很小的电压变化。 － + I U ?U ?I IR IZ DZ R UI 稳压管的应用举例 稳压管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用是限流，保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化进行补偿，来达到稳压的目的。 稳压管的参数 1. 稳定电压UZ 2. 稳定电流IZ 稳压管工作在反向击穿区时的稳定工作电压。 正常工作的参考电流。I IZ 时 ，管子的稳压性能差； I IZ ，只要不超过额定功耗即可。 3. 动态电阻 rZ 　rZ 愈小愈好。对于同一个稳压管，工作电流愈大， rZ 值愈小。 稳压管的参数 4. 电压温度系数 ?U 　稳压管电流不变时，环境温度每变化 1 ℃ 引起稳定电压变化的百分比。 (1) UZ 7 V, ?U 0；UZ 4V，?U 0； (2) UZ 在 4 ～ 7 V 之间，?U 值比较小，性能比较稳定。 5. 额定功耗 PZ 　　额定功率决定于稳压管允许的温升。 PZ = UZIZ PZ 会转化为热能，使稳压管发热。 电工手册中给出 IZM，IZM = PZ/UZ §1.3 双极结型三极管（BJT） 1.3.1 基本结构 b e c N N P 基极 发射极 集电极 集电极 基极 发射极 b P N P c e NPN型 PNP型 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 b e c N N P 基极 发射极 集电极 集电结 发射结 基本结构 三个电极 发射极ｅ 基极ｂ 集电极ｃ 三个区 发射区 基区 集电区 两个ＰＮ结 发射结 集电结 b e c 符　号 结　构 b e c NPN型三极管 PNP型三极管 结构和符号 VBB Rb b e c N N P VCC 外加电源使发射结 正偏，集电结反偏。 1.3.2 电流放大原理 基区空穴向发射区的扩散较小可忽略。