大连理工传感器原理及应用-第7章-49教材.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * （1）灵敏度特性 磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度的影响较大。 一、磁敏电阻元件 §7.3 磁敏式传感器 2、磁阻元件的主要特性 S极 S、N极之间电阻特性 N极 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 R/Ω 1000 500 B/T 电阻变化率特性 RB/R0 15 10 5 温度(25℃) 弱磁场下平方特性 强场下直线特性 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 B/T 磁阻元件的灵敏度特性用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示，即磁场—电阻变化率特性曲线的斜率。 在运算时常用RB/R0求得， R0表示无磁场情况下磁阻元件的电阻值，RB为施加0.3T磁感应强度时磁阻元件的电阻值。 （2）电阻 － 温度特性 半导体磁阻元件的温度特性不好。元件的电阻值在不大的温度变化范围内减小的很快。 因此，在应用时，一般都要设计温度补偿电路。 一、磁敏电阻元件 §7.3 磁敏式传感器 2、磁阻元件的主要特性 温度/℃/ 0 20 150 50 40 80 100 电 阻 /Ω 100 60 巨磁阻元件 磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I。本征区I的一面磨成光滑的无复合表面（为I区），另一面打毛，设置成高复合区（为r区），因为电子—空穴对易于在粗糙表面复合而消失。 二、磁敏二极管和三极管 1、磁敏二极管 磁敏二极管的符号 基本原理：在磁场强度和方向变化下，电子和空穴复合率明显变化，导致磁敏二极管的电流发生变化，实现磁电转换。 + － P+ N+ I区 r区 磁敏二极管的结构 §7.3 磁敏式传感器 在弱P型或弱N型本征半导体上用合金法或扩散法形成发射极、基极和集电极。 基区较长。基区结构类似磁敏二极管，有高复合速率的r区和本征I区。长基区分为运输基区和复合基区。 二、磁敏二极管和三极管 2、磁敏三极管 基本原理：在正、反向磁场作用下，磁敏三极管集电极电流出现明显变化。 磁敏三极管可测量弱磁场、电流、转速、位移等物理量。 c N+ e H- H+ b I r N+ P+ 磁敏三极管的结构 §7.3 磁敏式传感器 磁敏三极 管的符号 b c e 7.1 磁电感应式传感器 7.2 霍尔式传感器 7.3 磁敏式传感器 7.4 磁电式传感器应用 第七章 磁电式传感器 在驱动源和负载之间的扭转轴的两侧安装有齿形圆盘。磁电传感器的检测元件部分由永久磁铁、感应线圈和铁芯组成。 一、磁电式扭矩传感器 §7.4 磁电式传感器应用 当齿形圆盘旋转时，圆盘齿凸凹引起磁路气隙的变化，在线圈中感应出交流电压， 其频率在数值上等于圆盘上齿数与转数的乘积。 检测磁场是霍尔式传感器最典型的应用之一。 霍尔器件做成各种形式的探头，放在被测磁场中，使磁力线和器件表面垂直，通电后即可输出与被测磁场的磁感应强度成线性正比的电压。 二、霍尔元件检测磁场 §7.4 磁电式传感器应用 电位差计 mA E S N R 霍尔磁敏传感器测磁场原理 A 霍尔元件置于磁场中，左半部磁场方向向上，右半部磁场方向向下。 从a端通人电流I，左和右半部产生霍尔电势UH1和UH2，方向相反。因此，c、d两端电势为UH1-UH2。 若霍尔元件在初始位置时UH1=UH2，则输出为零。 改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时，可得输出电压，大小正比于位移量。 三、霍尔式位移传感器 §7.4 磁电式传感器应用 加上压力后，使磁系统和霍尔元件间产生相对位移，改变作用到霍尔元件上的磁场，从而改变它的输出电压UH。 由事先校准的P～f(UH)曲线即可得到被测压力的值。 四、霍尔式压力传感器 §7.4 磁电式传感器应用 霍尔元件 磁钢 压力P 波登管 N S S N 五、霍尔式转速传感器 §7.4 磁电式传感器应用 霍尔式转速传感器结构 输入轴 输入轴 霍尔式传感器 六、霍尔式计数装置 §7.4 磁电式传感器应用 霍尔开关传感器 绝缘板 磁铁 N S 霍尔计数装置及电路 +12V SL3051 A S VT +V C R5 RL R4 R3 R1 R2 计数器 七、霍尔式表面覆盖层厚度测量装置 §7.4 磁电式传感器应用 测量铁磁性物质表面非磁性涂层 0 1 2 3 500 400 300 200 100 八、霍尔式汽车电子点火器 §7.4 磁电式传感器应用 霍尔传感器 隔磁罩 磁钢 缺口 霍尔传感器 隔磁罩 缺口 磁钢 当缺口对准霍尔元件时，磁通通过霍尔传感器形成