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理想的MOS电容假设半导体表面的电场完全由外加栅压产生，实际的MOS结构并不是这样的，因为： 金属和半导体的功函数不同 氧化层中存在各种电荷 在半导体和氧化层交界面存在界面态 所有这些因素都将在半导体表面引起相应的电场，并影响MOS电容的C-V特性。 金属－半导体功函数差 接触电势差： 由于功函数差，当栅压VG= 0时，半导体表面已经存在空间电荷区，并使能带弯曲。在MOS电容的栅上加适当的电压就可以使表面空间电荷区消除，能带恢复平直，这个电压称为平带电压，用VFB表示，显然有： 由于存在接触电位差，实际上加在MOS电容上的偏压VG可以看做是由（VG－VFB）和VFB两部分组成的，前者相当于理想C－V中的VG，后者抵消接触电位差。 在理想MOS中，VG = 0 时的电容为平带电容，实际的MOS中，当VG－VFB ＝ 0，电容为平带电容CFB。即当电压VG＝VFB时，电容才是CFB 。这表明，功函数差使理想C－V曲线，沿水平方向平移VFB 。 理想C－V 对C-V特性的影响 界面陷阱和氧化物电荷 热氧化形成的Si-SiO2系统中的各类电荷及分布 金属 Na+ K+ 可移动离子电荷 氧化物 陷阱电荷 ＋ ＋ ＋ － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ × × × × × × 固定电荷 Na+ 界面陷阱电荷 Na+ 界面陷阱电荷 Qit 位于Si-SiO2界面，其能级位于禁带内。界面态密度（单位面积界面陷阱数）和晶面取向有关。硅（100）面Qit小于1010cm-2 氧化物可移动离子电荷QM 诸如钠离子其它碱金属离子，带正电荷，来源于工艺过程沾污。能够在氧化层中移动，引起C－V曲线沿电压轴向负向移动。 氧化物固定电荷QF 位于Si-SiO2界面约30埃的范围内，通常带正电荷，和氧化条件及Si的晶向有关，（100）面固定电荷密度的典型值为1010cm-2。 氧化物陷阱电荷 Qot 和二氧化硅中的缺陷有关。例如，在受到高能电子轰击或X射线辐照时，就可能产生这类电荷。这些缺陷分布在二氧化硅层内。 氧化物电荷对平带电压影响 假定氧化层内单位面积一个正的薄层电荷Q0。这个正电荷将感生出负电荷，其一部分在金属内，一部分在半导体内。 为了实现平带（即在半导体内没有感生电荷，假定不存在功函数差），必需在金属上加负的电压，以在金属表面形成负电荷-Q0，把电力线全部吸引到金属而不进入半导体。相应的平带电压： ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － ＋ － － － － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － ＋ － － － － － － － － 界面陷阱电荷对平带电压影响 MOS电容中界面陷阱电荷的一般表现为引起C-V特性曲线的扭曲和扩展。原因：界面陷阱能级一般分布在整个禁带范围，其电荷是可变的（随表面势变化） 界面陷阱 施主态 受主态 非理想MOS总结 功函数、氧化物电荷和界面陷阱电荷综合影响可以描述为： Vms、QF、QM会导致C-V特性曲线相对理想理论曲线沿电压轴负向移动，Qit会使特性曲线发生扭曲或扩展。 考虑到平带电压，MOS电容的阈值电压表示为： MOS结构 第一节 半导体表面空间电荷区及反型层 第二节 MOS结构的电容－电压特性 第三节 非理想MOS结构 1、两端MOS基本结构 Metal-Oxide-Semiconductor 两端MOS结构的透视图 欧姆接触 第一节 半导体表面空间电荷区及反型层 理想MOS电容： 金属与半导体间功函数差为零 在氧化层内没有任何电荷,氧化层完全不导电 氧化层与半导体界面处不存在任何界面态 通过外加偏压，借助于MOS结构可以在半导体表面产生空间电荷区。 P-Si ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － 两端MOS结构，当在金属与半导体之间加电压后，在金属与半导体相对的两个面上会产生数值相等、符号相反的感生电荷。但是，与普通平板电容不同的是，在MOS结构中，电荷在两个极板上的分布不同。 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － 在金属中，自由电子密度很高，电荷基本上分布在一个原子层的厚度内。 MOS结构的电容描述 在半导体内，电荷则要扩展到相当厚度的一层。 金属表面单位面积电荷 空间电荷区单位面积电荷，由电子、空穴和电离杂质构成。半导体表面的性质取决于其中哪一个起主导作用。 表面空间电荷区的宽度 空间电荷区两端的电势差称为表面势 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － 能带向上弯曲 能带向下弯曲 空间电荷区描述：能带图 积累层、耗尽层和反型层 多子积累 表面耗尽 表面反型 当MOS加上偏压时，半导体表面分为有三种情况： 理想MOS结构在外加偏压为零时的能带图 平带 多子积