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文献综述 1．非晶材料简介 非晶态材料是一类新型的材料，包括人们日常所见的各种玻璃塑料高分子聚合物以及新近发展起来的金属玻璃非晶态金属、非晶态半导体、非晶态超导体等。历史上第一次报道制备出非晶态合金的是Kramer[1] ，其制备工艺为蒸发沉积法。此后不久，Brenner[2]等用电沉积法制备出了Ni-P 非晶态合金。五十年代末期哈佛大学著名材料学家Turnbull 教授首次提出利用熔体深过冷的方法制备非晶态合金的设想[3] 。1960 年Duwez 及其同事们发明直接将熔融金属急冷制备出非晶态合金的实验方法成功地获得了Au-Si 非晶态合金薄片[4]，从此利用快速冷却方法制备非晶态合金的研究广泛开展开来。从1960 年到1989 年的近三十年的时间，里受制于冷却速度的限制(106K/s) 此间所制备的非晶态合金只能以薄带薄片细丝和粉末等形态出现。八十年代末期日本东北大学的Inoue 才首次突破冷却速度的限制成功地制备出La 基多组元大块非晶合金[5]。稍后美国加州理工大学的Johnson又成功地发展出了含Be 的Zr 基大块非晶合金[6]。晶态物质内部原子呈周期性，而非晶态物质内部则没有这种周期性。由于结构不同，非晶态物质具有许多晶态物质所不具有的优良品质。 2．非晶材料的历史和现状 1960 年Duwez等人采用熔体急冷法首先制得了Au-Si 非晶合金[4]， 标志着非晶合金这一新的材料研究领域的启动。后许多学者开发了多种制备非晶态材料的工艺，对材料的性能和技术应用也进行了大量的研究。但是，制取这些非晶合金大都需要超过104~106K/s 的极高的冷却速率厚度通常局限在50mm以下，因而限制了这类材料的应用范围[8] ，虽然可以用粉末冶金法压制成大块非晶，但由于成型技术的限制，使其整体性能远低于非晶颗粒本身。寻求具有很强非晶形成能力，直接从液相获得大块非晶一直是非晶物理领域内追求的目标。1988 年以来Inoue(井上明久)等人研究了多组元非晶合金系的玻璃形成能力(GFA) ，采用水淬和模铸等方法获得了镧系、镁系、铪系、锆系、钛系和钯系等一系列大块非晶合金。它们均具有很宽的过冷液相区，很低的临界冷却速度(Rc) ，很高的非晶形成能力，厚度可达厘米级[6,8] 以上。大块非晶合金仅限于非铁系统而且没有得到铁磁性。直到1995 年Inoue 等人才利用铜模铸造法获得了两类铁磁性大块非晶合金，即具有软磁性的Fe-(Al,Ga)-(P,C,B,Si,Ge) 和具有硬磁性的Nd-Fe-Al 系。此后又有Fe-(Co,Ni)-(Zr,Hf,Nb)-B 等合金系问世。 在大块非晶合金材料的理论与制备技术研究方面，1998年秋季美国材料学会(MRS)会议首次将大块非晶合金材料列为一个专题分会进行研讨，2000年9月在新加坡召开了大块非晶合金材料国际研讨会，2003年10月在北京举行了第三次大块非晶材料国际学术研讨会，与此同时，近两年以来国际上在该领域每年都有百余篇学术论文发表。由此可见大块非晶合金材料目前已成为全世界材料领域研究与开发的热点。 我国的非晶态材料的研究工作是从本世纪七十年代中期开始的[2].自从1978 年5 月无锡第一届全国非晶态物理讨论会(AMP)以来,我国的非晶态材料的研制工作有很大的进展.当时的研究主要集中在非晶态半导体和非晶态磁性合金方面,国内已经能够用辉光放电射频溅射以及电子束蒸发等技术制备出非晶态硅薄膜,其中有的已经制成非晶态硅太阳能电池.在非晶态硅、硫系非晶半导体的光电特性、电导性能、以及非晶态合金的物理、化学性能等方面进行了广泛的研究。利用电子显微镜、X 射线衍射、仪穆斯堡尔谱和正电子湮没等手段研究非晶态合金的结构、结构弛豫、晶化过程、各向异性及热稳定性等方面也开展了一些工作。这些研究结果提供了许多有关非晶态物理方面的有用数据，对非晶态材料的应用研究起了一定的指导作用。当前已经在传感器、磁屏蔽、开关型电源磁头、漏电自动开关等方面开展了应用实验取得了显著成效，特别是航空航天、电机、电子工业等部门对应用非晶态合金的兴趣越来越大，需要量也越来越多。有的正在小批量的生产非晶态合金。用于制作铁芯以逐步在某些产品中取代硅钢坡莫合金等[7]。 3．非晶材料的结构原理 金属溶液即使在接近凝固温度时仍然黏度很小，而其晶体结构又较为简单，故在快速冷却时亦要发生结晶，在固态通常都是晶体。但近年来却发现在特殊的冷却条件下金属也可能呈非晶态。非晶态合金是指原子排列不具有长程有序的合金，它们也被称为玻璃态合金或金属玻璃。 非晶态金属合金按组成元素的不同分为以下2大类： ⑴金属+金属型非晶态合金 这类非晶态合金主要是含锆，如Cu-Zr、Ni-Zr(或Nb