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2014华师电子电路基础在线作业
1．第1题 当PN结外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变宽。
A.大于 B.小于 C.等于 D.不确定 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：0.0 ? 2．第2题 影响放大器高频特性的原因是（ ）。 A.极间耦合电容 B.发射极旁路电容 C.三极管结电容 D.温度 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 3．第3题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ ）。 A.大 B..小 C.相等 D.无法判定 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 4．第4题 在本征半导体中掺入3价元素就成为（ ）型半导体。
A.P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：0.0 ? 5．第5题 测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V、12V、0V, 则三极管的三个电极分别是（ ）。
A.(E、B、C) B.(C、B、E) C.(B、C、E) D.(B、E、C) 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 6．第6题 测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V，UB=3.7V，UE=3V，则该管工作在（ ）
A.放大区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 7．第7题 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为3.2V、3V、6V，则该管属于（ ）
A.锗NPN型 B.锗PNP型 C.硅NPN型 D.硅PNP型 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 8．第8题 图示电路是（ ）电路。
A.微分电路 B.积分电路 C.指数电路 D.对数电路 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 9．第9题 在固定偏置放大电路中，当RC、RB的参数分别为（ ）时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的β=100。
A.5.6kΩ、10kΩ B.5.6kΩ、510kΩ C.5.6kΩ、10MΩ D.100kΩ、1MΩ 您的答案：B 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 10．第10题 锗二极管的死区电压是（ ）。
A.0.1~0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.6V 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 11．第11题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ）
A.晶体缺陷 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 12．第12题 N型半导体可以在纯净半导体中掺入( )价元素实现。
A.3 B.4 C.5 D.6 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 13．第13题 测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于(??? )
A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：0.0 ? 14．第14题 测某放大电路中三极管各极电位分别是0?V、-6V、0.2V，则三极管的三个电极分别是（??? ）。
A.(E、C、B) B.(C、B、E) C.(B、C、E) D.(B、E、C) 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 15．第15题 影响多级放大器低频特性的原因是（ ）。 A.极间耦合电容 B.三极管放大倍数 C.三极管结电容 D.温度 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 16．第16题 在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V，则这只三极管属于（ ）
A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 17．第17题 PN结具有（ ）导电特性。
A.双向 B.单向 C.不确定 您的答案：B 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 18．第18题 基本微分电路的电容器接在运放电路的（ ）。
A.反向输入端 B.同向输入端 C.反向端与输出端之间 D.输出端 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 19．第19题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变窄。
A.大于 B.小于 C.等于 D.不确定 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 ? 20．第20题 半导体中的少数载流子产生的原因是( )
A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发 您的答案：D 题目分数：2.0
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