模擬电子技术习题.docVIP

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模擬电子技术习题

一、选择题 1、锗二极管的死区电压约为( )。 A)0.1V B)0.5V C)0V 2、稳压二极管正常工作时发生的击穿属于( )。 A)雪崩击穿 B)齐纳击穿 C)热击穿 3、一晶体三极管接在电路中,测得它三个管脚的电位分别为6V、6.7V、9V,则对应的三个电极分别为( )。 A)C,B,E B)E,B,C C)B,C,E 4、在共射极放大电路中负载增加会使输出电压( )。 A)降低 B)不变 C)增高 5、在放大电路中消除饱和失真的方法是将偏置电阻Rb( )。 A)调大 B)调小 C)调为零 6、放大电路引入负反馈将使电压放大倍数( )。 A)提高 B)降低 C)不受影响 7、阻容耦合的多级放大电路只能放大( )。 A)直流信号 B)交直流信号 C)交流信号 8、差分式放大电路可以( )。 A)抑制差模信号 B)抑制零点漂移 C)稳定静态工作点 9、P沟道增强型场效应管的图形符号为( )。 A) B) C) D) 10、单相桥式整流电路加上电容滤波后,整流二级管承受的最高反向电压( )。 A)、增加 B)、减小 C)、不变 11、对于三极管放大电路, 放大电路属于电压跟随器, 放大电路属于电流跟随器。(可选项:A 共射;B 共集;C 共基) 12、某BJT放大电路的负载线和BJT的输出特性曲线如图()所示,试问:该电路属于 (A 甲;B 甲乙;C 乙)类放大器,适合作为 (A 运算;B 功率;C 电压)放大器。 13、对于某差分式放大电路,已知,, 、,则差模输出为 mV、共模输出为 mV、共模电压增益为 和共模抑制比为 。(可选项:A -1;B -2;C -3;D -100;E -200;F -300;G 100;H 200;I 300) 14、同类型BJT构成复合管时:(1) 应将前管的发射极接至后管的 (A 发射极;B集电极;C 基极);(2) 该复合管的输入电阻将 (A 增大;B 减小)。 15、电路如图()所示,其中处于导通状态的二极管是 ? (A D1;B D2)。如果二极管的正向管压降为0.7V,则AO两端的电压VAO为 ?(A 9;B 9.3;C 10.7)V。 16、某BJT放大电路正常工作时,测量得三极管三个电极上的直流电流关系如图()所示,该三极管是 ?(A NPN;B PNP)管,其β为 ?(A 30;B 40;C 50)。 17、测量得某硅BJT各电极对地的电压值如下,试分析三极管工作在什么区:① ?、② ?(可选项:A 截止区;B放大区;C 饱和区)。 ① 、、;② 、、; 18、当BJT放大电路的静态工作点Q偏低时,电路处于 ?(A 甲类;B 甲乙类;C 乙类)放大状态,输出易发生 ?(A 截止;B 饱和;C 大信号)失真。 19、某MOSFET的转移特性如图()所示,其类型为 ?(A N沟道;B P沟道) ?(A 增强型;B 耗尽型)。 20、图()所示的电路中,T1的连接组态是 ,T2的连接组态是 。(可选项:A 共射;B 共集;C 共基) 21、为了提高BJT放大电路的输入电阻应引入 ? 反馈,为稳定输出电压应引入 ? 负反馈。(可选项:A 串联;B 并联;C 电压;D 电流) 22、三端集成稳压器78M15的输出电压为 ? (A +15;B -15;C ±15)V,输出电流为 ? (A 1.5;B 0.5;C 0.1)A。 23、已知某反馈放大电路的反馈量,则从输出来看这是 反馈,而从输入来看这是 反馈。(可选项:A 串联;B 并联;C 电压;D 电流) 24、对于正弦波振荡电路,振荡频率为的是 振荡电路,振荡频率为的是 振荡电路。(可选项:A RC桥式;B RC移相式;C变压器反馈式LC;D 电容三点式LC;E 电感三点式LC) 25、试用相位平衡条件分析图()所示电路能否产生振荡(可选项:A 能;B 不能)。 (a) (b) 26、分析图()所示电路,试指出图示输出波形是否正确。(可选项:A 正确;B 错误)。 (a) (b) 27、试分析图()所示电路中电阻Rf引入的反馈类型(可选项:A 电压串联;B 电压并联;C 电流串联;D 电流并联)。 (a) (b) 28、试指出图()所示为何种电路(可选

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