模擬电子技术基础总结.doc

protel 是一套完整的电路设计软件包，涵盖原理图设计，元件库设计，pcb设计，以及相关的工业文件。Protel中keyoutlayer 限制板的大小，就是说在画图时首先要在keyoutlayer画个框，然后元件什么的都画在里头，可以先画大点，最后再调整一下。multisim是个电路仿真工具，protel主要是绘制PCB的软件，也有仿真功能！现代通信原理讲的是主要讲的是信息的传输与交换。从信源开始，信源、信道的编码与解码，调制与解调，同步以及复用等相关理论知识LED显示器与LCD显示器相比，LED在亮度、功耗、可视角度和刷新速率等方面，都更具优势已取消到该网页的导航。利用LED技术，可以制造出比LCD更薄、更亮、更清晰的显示器。提问者采纳 电子技术分模拟技术和数字技术，他们的基础就是入门时所要学习的东西。模拟电子技术基础主要讲二极管，三极管，场效应管，运算放大器，这些独立或者集成器件构建的电路，他们的功能和应用基础，例如二极管的开关电路，稳压电路，三极管的小信号放大电路，场效应管的功放电路等等。数字电子技术基础主要讲的一些逻辑电路，就是由1和0（有的还是1 0 -1或者1 -1）的电路信号构成的电路的基础。例如门电路，触发器，门阵列，编码基础，进制之间的换算，后面还会讲到AD/DA就是模/数转换和数/模转换电路。他们都是电子技术基础。 晶体二极管及应用电路 一、半导体知识 1．本征半导体 ·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料）。 ·纯净（纯度7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。 ·空穴是半导体中的一种等效载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。 ·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。 2．杂质半导体 ·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。 ·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。 ·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。 ·在常温下，多子少子（图1-7）。多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。 ·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。 3．半导体中的两种电流 在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 4．PN结 ·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。 ·PN结是非中性区（称空间电荷区），存在由N区指向P区的内建电场和内建电压；PN结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN结内的电场是阻止结外两区的多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。 ·正偏PN结（P区外接高于N区的电压）有随正偏电压指数增大的电流；反偏PN结（P区外接低于N区的电压），在使PN结击穿前，只有其值很小的反向饱和电流。即PN结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）。 ·PN结的伏安方程为：，其中，在T=300K时，热电压mV。 ·非对称PN结有结（P区高掺杂）和结（N区高掺杂），PN结主要向低掺杂区域延伸（图1-9）。 二、二极管知识 ·普通二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极（图1-13）。 ·在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，Si管和Ge管导通电压典型值分别是0.7V和0.3V；反偏时截止，但Ge管的反向饱和电流比Si管大得多（图1-15）。 ·低频运用时，二极管是一个非线性电阻，其交流电阻不等于其直流电阻。 二极管交流电阻定义： ·稳压管电路设计时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定的负载条件下正常工作。 二极管交流电阻估算： ·二极管的低频小信号模型就是交流电阻，它反映了在工作点Q处，二极管的微变电流与微变电压之间的关系。 ·二极管的低频大信号模型是一种开关模型，有理想开关、恒压源模型和折线模型三种近似（图1-20）。 三、二极管应用 1．单向导电特性应用 ·整流器：半波整流（图1-28），全波整流（图P1-8a），桥式整流（图P1-8b）