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模拟电子技术基础 机械工业出版物社主编 沈任元部分习题参考答案第二章 半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答2-1填空题1. _半导体、绝缘体_2. _杂敏 、光敏__ 、 _热敏__。3. _导通_ 、 _截止 、单向导电性_。4. __高于_。5. _正向_ 、 _反向击穿_6.单向导电性_、__最大整流电流__、_最高反向工作电压。7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。_点接触型的 、平面型的_。9. _零__、_无穷大_， _理想的开关_。10. _反向特性区_、 _几乎不变_。11. _左移__ 、 _下移_。12. _减小_ 、 _减小_， _增加_。13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。16. _电路烧毁_， _变成单相半波整流_。2-2 选择题1. C 2. B 3.C 4.B 5.A 6.B 7.A 8. A 9.B 10.A 11. B 12.C 2-3 判断题1.√ 2.√ 3.× 4. × 5.√ 6.×2-4 解：，，，，，。2-5 解：VD截止，，VD导通，，VD1、VD4导通，VD2、VD3截止，。2-6 解：2-8 解：1) ，，。2），。2-11解：1）2）；3）；4）；5），相当于半波整流滤波（有电容）。或，相当于半波整流滤波（无电容）。2-12 解：第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题3-1填空题1. ___PNP___和___NPN__。2. __两__ __双极__ 3.发射_，___集电__。4. __100___，___120___。5. ___0.98mA___， ___49___。6. ___放大__ 。7. __饱和___。___正向__， ___正向___。8. __集电__， __发射__，__基极__， __发射___， __0.7V __。9. __发射__，__集电__， ___-0.7V___。10. __PNP___， ___锗___。11. __增加__， __增加__， __减小__。12 __左__， __上___， __大__。13. 查阅电阻器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并填写在表3-5中。型 号类 型材 料低频大功率管3AD50CPNPGe100003000303CD030EPNPSi300001500120高频小功率管3DG100ANPNSG130ANPNSi7003003014. __100__。15. __交、直流__， __交流__。16. __截止___， __顶部__， __小__。17. _饱和__， __底部__， __大__。18. __温度升高__。19. __共射__， __共集和共基__。20. __共基__， __共集___， __共射_。21. _稳定静态工作点_。22. _阻容耦合_、__直接耦合__、__变压器耦合__。23. _直流__， _交流_。24. __大__， __窄__。3-2选择题1. A 2.B 3. A 4.D 5.B 6.C 7.B 8.A 9.A 10.C 11.B 12.C 13.B 14.D 15.A 16.A 17.C 18.C 19.B 20.A 21.B 22.A B C 23.A 24.B 25.C 26.B 27. A 3-3判断题1.× 2.× 3× 4.√5. × 6.√7.×8.× 9.× 10. √11.×12.×3-4 解：1)a)、d）是NPN型，b)、c)、e)是PNP型； 2）a)、c)、d）是硅管，b)、e)是P锗管；3）a)、b)是放大状态，d）是饱和状态，e)是截止状态，c)是已经损坏，b、e极开路。3-5 解：（a）不能。因为输入信号被短路，（b）可能。（c）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。（d）不能。因为输出信号被短路，恒为零。3-6 解：图(a) ，，图(b)和图(c) ，，。图(d) ，，，，饱和状态。图(e) ，，，，3-7 解：图(a)的输出波形说明输出电压的正半周导致失真，其原因是静态工作点偏低所引起的失真，是截止失真，解决办法是将静态工作点上移，即将基极的直流电流调大即可。图(b)与图(a)恰好相反，是由于静态工作点偏高引起的饱和失真，故解决办法是减小基极的静态电流，使静态工作点下移。图(c)中输出电压的正、负半周都出现失真，说明输入信号过大导致输出幅度过大而引起得失真，若无法减小输入信号得情况下，只能调整放大电路的放大倍数，减小放大倍数可以是更换放大倍数较小的三极管或调整负载电阻（如）等手段。3-8 解：1) ； 2）3-9 解：3-10 解：1) ，2）3)