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期末复习提纲 注：*理解，**掌握，***重点 第二章 半导体二级管及其基本电路 §2—1 半导体的基本知识 *一、本证半导体、空穴及其导电作用 1、本证半导体 （1）概念：一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 （2）本征激发：由于热激发而产生自由电子的过程。 2、空穴：电子空穴对产生过程。 **二、杂质半导体 1、P型半导体: 在本征半导体中掺入三价元素形成的半导体，三价元素原子能接受电子，叫受主原子。多数载流子：空穴，少数载流子：电子。 2、N型半导体： 在本征半导体中掺入五价元素形成的半导体，五价元素原子能产生电子，叫施主原子。多数载流子：电子，少数载流子：空穴。 3、N型和P型半导体都呈电中性。 §2—2 PN结的形成及特性 *一、PN结的形成 **二、PN结的单向导电性 1.PN结外加正向电压 PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极，N区接电源的负极。 它的接法与正向相反，即P区接电源的负极，N区接电源的正极。 PN结伏安特性曲线 *三PN结的反向击穿 反向击穿现象：伏安特性曲线：电击穿→热击穿→烧坏PN结 分类：雪崩击穿；齐纳击穿。 雪崩击穿：强电场→碰撞电离→倍增效应→击穿 4、齐纳击穿：强电场→破坏共价键→分离出大量电子-空穴对→击穿。适用于杂质浓度大的情况。 §2—3 半导体二极管 *一、半导体二极管的结构 1、点接触型：三价元素金属丝与半导体通过很大瞬时电流熔接在一起，特点：PN结面积小，极间电容小，不能承受高压，用作小电流整流。 2、面接触型：PN结面积大，极间电容大，可承受较大电流，用于整流，不宜用于高频。 3、符号： *二、二极管的伏安特性 1、正向特性：门坎电压（或死区电压）：硅管：0.5V, 锗管：0.1V。P40：图2·3·2：特性曲线。 2、反向特性：反向饱和电流IS，图2·3·2：特性曲线。 3、反向击穿特性：图2·3·2：特性曲线。 *三、二极管的参数 1、最大整流电流IF：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2、反向击穿电压VBR：指管子反向击穿时的电压值，一般规定：最高反向工作电压为反向击穿电压的一半。 3、反向电流IR（或IS）：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，单向性越好。 4、极间电容：由于电压的变化将引起电荷的变化，从而出现电容效应，PN结内部有电荷的变化，因此它具有电容效应，它的电容效应有两种：势垒电容和扩散电容。V-I特性建模 二极管V-I特性：指数模型 1、理想模型 适用情况：外电阻比较大时， 正向偏置：阻值为0，VD =0，导通；反向偏置:阻值为∞，截止。 2、恒压降模型 适用情况：电流大于1mA时,管压降为恒定.硅管为0.7v V0.7v 阻值为0 管压降为0.7v 导通 V0.7v 阻值为 截止3、折线模型 适用情况：外电压较小,电流较小 更精确。 V0.5v 导通后 其阻值为常数 V0.5v 截止 当二极管导通电流为1mA，管压降为0.7V时 4.折线模型和恒压降模型比较 （1）从图形上看折线模型更接近指数模型。 （2）从管压降的描述上分析 折线模型：v =0.5+I R，恒压降模型：v =0.5+0.2 结论：折线模型比恒压降模型更精确 5、小信号型 静态工作点 Q点： 根据 T=300K： ***二、模型分析方法应用 典型习题 P2.4.3，P2.4.6，P2.4.8 §2—5 特殊二极管 *一、齐纳二极管（稳压管） *二、变容二极管：结电容随外加电压明显变化的二极管。在高频技术有较多应用。 *三、光电子器件 1、光电二极管：工作在反偏状态，反向电流与光的照度成正比。应用：将光信号转换为电信号，硅光电池。 2、发光二极管：通电后会发光，应用：各种显示器件；将电信号转换为光信号。 3、激光二极管：可产生单色的相干光信号—激光，应用：计算机的光驱、激光打印机的打印头。 第三章 半导体三极管及放大电路基础 *一、BJT的结构和类型 1、结构及符号：三区：发射区、基区、集电区；三极：发射极e、基极b、 集电极c；二结：发射结、集电结。 2、类型：NPN型、PNP型 *二、BJT的电流放电作用： 1、电流放电条件：发射结正偏，集电结反偏。 2、电流分配关系=+ 3、电流放大作用 *三、BJT的特性曲线（共射极接法） 1、输入特性： 2、输出特性： 它的输出特性可分为三个区：（如图（5）的特性曲线） (1)截止区：IB0时，此时的集电极电流近似为零，管子的集电极电压等于电源电压，两个结均反偏 (2)饱和区：此时两个结均处于正