优·2.3 晶体管的高频小信号等效电路.pptVIP

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2017-01-14 发布于北京
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二、 Y参数等效电路 EXIT EXIT 通信电子线路合肥工业大学 Cbe rbb Cbc rbc rbe ube rce gm ub’e 2.3晶体管的高频小信号等效电路 2.3 晶体管的高频小信号等效电路 rbb’—基区的体电阻 rb‘e —发射结电阻,约几百欧 cb‘e —发射结电容, 约20PF－0.01μF 、混合л型等效电路 gm —晶体管跨导,表示晶体管的放大能力，几十毫西门子以下 rce—晶体管c-e电阻，一般在几十千欧以上 Cbe rbb Cbc rbc rbe ube rce gm ub’e 2.3晶体管的高频小信号等效电路 rb‘c —集电结电阻,约１０kΩ～１０MΩ。可忽略。 cb‘c —集电结电容,数值较小，约几个皮法－表示晶体管放大作用的等效电流源 b c e 2.3晶体管的高频小信号等效电路 —— 输入导纳 —— 反向传输导纳 —— 正向传输导纳 —— 输出导纳 2.3晶体管的高频小信号等效电路根据上式可以得到晶体管的Y参数等效电路。注： , 是受控电流源，（1）正向传输导纳愈大，晶体管的放大能力愈强； (2) 反向传输导纳愈大，晶体管的内部反馈愈强，减小有利于放大器的稳定工作。 (3) 2.3晶体管的高频小信号等效电路 2.3晶体管的高频小信号等效电路 1 四、晶体管的高频参数