浙大材料科學基础课件part6.docVIP

一纯螺型和一纯刃型位错平行：由于螺型力场，而没有刃型滑移和攀移所需的和；同样，刃型力场、、和中也没有螺型滑移所需的，所以，两位错间没有相互作用 任意柏格斯矢量的两个平行的直线位错：分解为刃型分量和螺型分量，分别计算两螺和两刃间的相互作用，再叠加起来 结论：若柏格斯矢量夹角p/2，则两位错互相排斥；若柏格斯矢量夹角p/2，则两位错互相吸引 2、位错塞积：许多位错被迫堆积在某种障碍物前，如 图2-40所示，它们来自同一位错源，具相同的柏格斯矢量，障碍物如晶界 塞积群（在垂直于位错线方向的）长度：对刃型为Nmb/pt(1-n)，对螺型为Nmb/pt。正比于位错总数N，反比于外加切应力t 塞积群的平衡：外加切应力所产生的滑移力Fx=tb，使位错尽量靠紧；其他位错间的排斥力（每一对位错间的排斥力，式2-74）使位错尽量散开；障碍物阻力（短程），仅作用在塞积群前端的位错上达很高的数值。三者间的平衡 位错塞积群前端的应力集中：受外力，同时受所有其它位错作用在领先位错与障碍物间挤压产生局部应力。n（塞积位错数）倍于外力的应力集中,能使相邻晶粒屈服，也可能在晶界处引起裂缝。 3.位错反应：位错之间的相互转化。譬如一分为二或两合为一， 位错反应条件：1、反应前矢量和等于反应后矢量和，即 2、反应后总能量小于反应前总能量，即（因为能量正比于b2）。反应使能量从4b2降为2b2变稳定 4.位错交割：位错互相切割的过程 林位错：穿过运动位错的滑移面的其它位错。它会阻碍位错运动或位错切它而过 位错割阶：交割过程中使位错被切割而产生的一小段不在原滑移面上的位错（ 图2-41）为两刃交割：它的柏格斯矢量是原矢量；（ 图2-42）为一刃一螺交割：柏格斯矢量与螺位错相同 (二)位错与点缺陷的相互作用 点缺陷在晶体中引起弹性畸变，受到位错应力场的作用。如正刃，滑移面上晶胞体积小一些，吸引比基体小的置换式溶质原子和空位；下边大一些，吸引间隙原子和比基体原子大的置换式溶质原子 位错与溶质原子的相互作用能：外力（被假定为球形的溶质原子改变体积）反抗位错应力场所作的功 DV为溶质与基体原子体积差。 刃型位错的应力场公式代入有： ， 其中 以此可分析得到吸引或排斥某种原子的区域， 图2-43 史诺克(Snoek)气团：螺型位错与周围的溶质原子作用，原子在沿x、y、z的三种面心位置上发生择优分布（应力感生有序），使系统能量降低。这是因为面心位置上原子在100方向相接邻的基体原子距离近，在110方向相接邻的基体原子距离远，所以产生四方性的畸变（ 图2-44），不但有正应力分量，同时有切应力分量，也与螺型位错发生相互作用 柯垂耳(Cottrell)气团：若温度和时间允许，溶质原子向位错附近的聚集。使位错的运动受到限制，因为这时推动位错运动，或挣脱气团束缚，或拖着气团前进 电学相互作用：刃位错附近晶格的局部膨胀和压缩引起自由电子的再分布，在膨胀一侧浓度偏高，压缩一侧偏低，结果使得膨胀区荷负电，压缩区荷正电，整个位错成为一个线状的电偶极子。 化学相互作用：位错周围溶质原子的浓度满足， 其中C0为溶质原子平均浓度，U为互作用能。超过溶解度极限时，沉淀物质点在位错线上析出 空位、间隙原子和位错的互相转化：过饱和度太高的空位沿一定晶面聚成片状析出，如 图2-45所示，太大后失稳，崩塌并合，转化成位错环；异号刃位错相遇，互相抵消，变成一列空位或填隙原子，如 图2-46所示；当两个螺型位错相切割时会产生刃型的位错割阶，带有刃型割阶的螺型位错继续滑移时，它的割阶将被迫攀移，结果在割阶走过的地方产生一串空位或者间隙原子，如 图2-47所示。 五、位错源与位错增殖 尽管位错是热力学不稳定的缺陷，但它们却经常存在于晶体之中，特别是金属晶体，位错密度一般很高 位错的来源 位错产生：位错的能量很大，除非晶体受到的应力接近理论切变的强度，位错不能靠热激活产生。位错不会在晶体中均匀形核 1、过饱和空位可以凝聚成空位片（ 图2-45），空位片崩塌时便转化成位错环 2、结晶时若偏析显著，点阵常数也不同，过渡区可能形成一系列刃型位错。 3、另一种元素从表面向晶体中扩散、沉淀物或夹杂物，也会因为内应力形成位错 4、位向有轻微差别的晶体相遇，结合处将形成位错。 图2-48 5 (二)位错的增殖 退火金属，位错密度约为106～108/cm2，塑性形变时增加到10ll～1012/cm2。可见，增殖了 弗兰克一瑞德(Frank-Read)源：一段刃型位错AB，它的两端被位错网节点钉住，如 图2-49所示，外加切应力作用下，放出大量位错环，造成位错的增殖。动作过程如 图2-50所示，（以及它的动画演示） 弗兰克-瑞德源需要施加的应力：利用滑移力Ft克服线张力作功的关系，（ 图2-51）平