合成与制备描述.doc

一、简答 单晶材料：均一性.同质性.各向异性。 单晶材料的制备必须排除对材料性能有害的杂质原子和晶体缺陷。从熔体中结晶 ，当温度低于熔点时，晶体开始析出。低杂质含量、结晶完美的单晶材料多由熔体生长得到。 制备方法：①直拉法。垂直提拉法。特点是所生长的晶体的质量高，速度快。方法：熔体置于坩埚中，一块小单晶，称为籽晶，与拉杆相连，并被置于熔体的液面处。加热器使单晶炉内的温场保证坩埚以及熔体的温度保持在材料的熔点以上，籽晶的温度在熔点以下，而液体和籽晶的固液界面处的温度恰好是材料的熔点。随着拉杆的缓缓拉伸(典型速率约为每分钟几毫米)，熔体不断在固液界面处结晶，并保持了籽晶的结晶学取向。 ②坩埚下降法（定向凝固法）。基本原理使装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场。 开始时整个物料都处于熔融状态，当坩埚下降通过熔点时，熔体结晶，随着坩埚的移动，固液界面不断沿着坩埚平移，直至熔体全部结晶。使用此方法，首先成核的是几个微晶，可使用籽晶控制晶体的生长。 ③区熔法。沿坩埚的温场有一个峰值，在这个峰值附近很小的范围内温度高于材料的熔点。这样的温场由环形加热器来实现。在多晶棒的一端放置籽晶，将籽晶附近原料熔化后，加热器向远离仔晶方向移动，熔体即在籽晶基础上结晶。加热器不断移动，将全部原料熔化、结晶，即完成晶体生长过程。 悬浮区熔法不用容器，污染较小，但不易得到大尺寸晶体。 利用溶质分凝原理，区熔法还被用来提纯单晶材料，多次区熔提纯后使晶体中的杂质聚集在材料的一端而达到在材料的其他部分提纯的目的。 ④溶液法可用来生长单晶材料，也可用于制备粉末、薄膜和纤维等材料。 溶液是均匀、单相的，从溶液中制备晶体材料，原子无需长程扩散，因而溶液法比固相反应所需的温度低得多。 基本原理是使晶体原料作为溶质，溶于合适的溶剂中，用一定的方法使溶液过饱和，从而结晶。通过放置仔晶，可以对晶体的取向进行控制。溶液生长得到的单晶光学均匀性较好，但生长速率较低。 ⑤溶液变温法生长单晶。饱和溶液和仔晶置于容器中，以一定的速率降低溶液温度，溶质在仔晶上析出，晶体得以长大。溶液生长单晶的关键是消除溶液中的微晶，并精确控制温度。 低温溶液生长通常使用的溶剂是水，生长有机晶体时常用丙酮、乙醇、四氯化碳等有机溶剂。 制备通常条件下不溶于水的物质，如水晶(SiO2)、磷酸铝(AlPO4)等。超临界水是有效的溶剂，使用超临界水作溶剂的方法称为水热法。 ⑥水热法制备单晶材料。水热法的主要设备是高压釜。水热生长晶体的方法： 主要有温差法、降温法(或升温法)及等温法等，都是通过不同的物理化学条件使生长系统内的液相获得适当的过饱和状态而结晶。 降温法是依靠体系缓慢降温来获得过饱和的，由于降温范围和溶解度温度系数的限制，生长大晶体需要经过多次降温的过程，反复操作很不方便，同时也影响晶体的质量。 水热法原理：等温生长法基于欲生长的晶体与所用原料的溶解度不同而形成过饱和状态来生长晶体，这种方法随着原料的同晶型化，两者溶解度逐渐相近而会使生长速率趋于零，也不宜于生长大的晶体。 温差水热结晶法是目前普遍采用的方法，它依靠容器内的溶液维持温差对流而形成过饱和状态。这样，可以根据需要经数周以至上百天稳定的持续生长，并且可以根据原料与籽晶的比例，通过缓冲器和加热带来调整温差。 湿化学合成法：溶胶凝胶法和化学沉淀法 （1）化学共沉淀法制备材料：一种或多种金属盐在溶液中发生化学反应，生成不溶的沉淀物微粉。原理 ：K Ksp，沉淀/共沉淀。化学共沉淀法一般是把化学原料以溶液状态混合，并向溶液中加入适当的沉淀剂（pH 调整剂或难溶化合物生成剂），使溶液中已经混合均匀的各个组分按化学计量比共同沉淀出来，或者在溶液中先反应沉淀出一种中间产物(前驱物)，再把它煅烧分解，制备出微细粉末产品。 沉淀法、共沉淀法之优缺点： 优点 ①各种离子在沉淀物中以离子状态混合，混合程度通常非常良好，在溶解度限内不会有局部成份不均现象。 ②沉淀物是非晶态氢氧化物或低分解温度的草酸盐，且因混合程度本已良好，可以降低煅烧温度。 ③由于低温煅烧，研磨时间可缩短，较易获得没有受到磨球污染，粒径很细的粉末。 ④化学共淀法具有自清作用，一些有害的杂质可以尽量避免沉淀下来，以提高沉淀物的纯度。 溶胶－凝胶（Sol－Gel)法材料制备 溶胶—凝胶法制备的材料化学纯度高，均匀性好，此法易于控制化学剂量比，适合制备多组分材料。用于制备玻璃、涂料、纤维和薄膜等多种类型的材料。 溶胶是指有胶体颗粒分散悬浮其中的液体。 豆浆，sol→豆腐, gel →水解，缩聚反应→材料 二实验设计凝胶注膜成型 特点：有机单体含量低，产品尺寸精度高，坯体强度高，可进行机械加工，明显优于其他复杂形状陶瓷部件的成型工艺，有机添加剂烧后不含残留杂质，在高质量、特殊形状精密陶