二极管的特性及简介剖析.docVIP

二极管的特性与参数 ?几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 ??? 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 ??? 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流，如下图导通区所示。 ??? 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0，如下图截止区所示。 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象，如下图击穿区所示。 二极管的导电特性 ??? 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 正向特性 ??? 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压称为二极管的正向压降。 2、反向特性 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 二极管测试中的主要参数 ??? 用来测试二极管的性能好坏的技术指标称为二极管的参数。以下是二极管测试中的几个主要参数： 额定正向工作电流IF是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。当更大的电流通过二极管时会使dice发热，温度上升,当温度超过容许限度时，就会使dice过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如:DFM的额定正向工作电流为1A 正向压降 VF是指通过二极管额定正向工作电流IF时，二极管两端的电压值例如: 通过DFM的正向工作电流为1A时，二极管两端的电压值约为0.9V. 最高反向工作电压VR当二极管两端的反向电压提高到一定值时,会将二极管击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如:DF10M最高反向工作电压为1100V,而击穿电压约为1400V. 反向电流 IR是指二极管两端加最高反向工作电压VR时，流过二极管的反向电流。反向电流越小，二极管的单向导电性能越好例如:DF10M反向电压为1100V时，VR约为0.2uA(微安). 反向临界电流 IZ是指二极管反向电流急剧增大到接近击穿现象时的电流例如:设定DF10M的IZ为0.1mA(毫安)即100微安。 反向临界电压 VZ是指二极管反向电流为IZ时的反向电压值,若反向电压大于此值，则反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿例如:DF10M的IZ为0.1mA 时，VZ约为1300V。 反向恢复时间 Trr二极管在较低频率的应用时，一般不需要考虑其导通到截止，或截止到导通的转换时间。但是如果二极管工作在高速的开关电路环境中，当二极管从正向偏置的导通状态，突然转为反向偏置时，需要一定的时间才能变成截止状态，这段时间称为反向恢复时间例如:EDF1DM的Trr最大为50nS(纳秒)。 正向压降差 DVF-Delta VF目的是测试二极管焊接质量的好坏，先给二极管通过一个小正向电流Im，二极管两端的电压为VF1，再给二极管通过一个大的正向电流并持续一定时间，使二极管发热，最后再通过一个小电流Im，二极管两端的电压为VF2, 正向压降差为两个电压之差（DVF=VF1-VF2），晶粒被加热后VF2值会比VF1值小，故DVF为正值。DVF越小且不为0时，焊接质量越好。对于焊接中虚焊的二极管，由于晶粒接触面积变小，此二极管发热量更大使VF2变得更小，使DVF变大。例如: 设定DF10M的Im为0.01A 时，大的正向电流为5A并持续75mS, 焊接中无虚焊件的DVF约为0.06V。虚焊件的DVF会大于0.08V。 电子技术发展的里程碑——晶体管 谈到晶体管，也许很多人会感到很陌生．然而，