数字电子技术第七章存储器分析.pptVIP

1024字×4位（2114） SRAM结构 二、SRAM的静态存储单元 图 9-13 SRAM存储单元 (a) 六管NMOS存储单元； (b)六管CMOS存储单元 是由六个NMOS管(V1~V6)组成的存储单元。V1、V2构成的反相器与V3、V4构成的反相器交叉耦合组成一个RS触发器，可存储一位二进制信息。Q和Q是RS触发器的互补输出。V5、V6是行选通管，受行选线X(相当于字线)控制，行选线X为高电平时Q和Q的存储信息分别送至位线D和位线D。V7、V8是列选通管，受列选线Y控制，列选线Y为高电平时，位线D和D上的信息被分别送至输入输出线I/O和I/O，从而使位线上的信息同外部数据线相通。 《数字电子技术基础》 本章的重点： 1．存储器的基本工作原理、分类和每种类型存储器的特点； 2．扩展存储器容量的方法； 3．用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法。 因为存储器几乎都作成LSI器件，所以这一章的重点内容是如何正确使用这些器件。存储器内部的电路结构不是课程的重点。 第七章 半导体存储器 7.1 概述 存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。 用途：在计算机或数字系统中存储数据。 与寄存器的区别：以字为单位存取，每字包含若 干 位。各个字的相同位通过同一引脚与外