《单晶铜键合线.doc

一、概述： 国家的改革开放，促进了国民经济的稳步发展。随着我国高技术产业发展规划的不断推进，我公司依托高校的科研基础，研究和开发了系列的工业化技术项目,部分项目技术已得到了充分的推广和转化。单晶铜键合引线替代键合金丝新项目的又一突破，更进一步体现了我公司研发项目的专业水准和技术实力。经过多年的探索和研究，在技术工艺和工艺装备上都得到了初步的推广和完善。使单晶铜键合引线走向实现引线框架全铜化全面替代集成电路中键合金丝的关键产品在高保真方面也作为半导体封装的大基础材料之一的键合金丝是芯片与框架之间的内引线是集成电路的专用材料集成电路向体积小能高密集多芯片方向集成电路键合金丝键合工艺窄间距、长距离键合技术指标要求超细间距球形键合工艺封装引脚数的增多引脚间距的减键合金丝键合断裂现象器件包封密度的强度成弧能力的也随之键合金丝金丝细线径高强度低弧度长弧形并保持良好导电性，随着集成电路和分立器件产业的发展，键合金丝无论从质量上数量上都不能满足国内市场需求，特别是低弧度超细金丝，主要依赖于进口，占总进口量的45%以上开发集成电路集成电路我国微电子封装应用填补了我国这一领域的空白节省货币金属黄金消耗,增加我国黄金战略储备(VLSI)和甚大规模集成电路（ULSI）的芯片与外部引线的连接方法中, 过去、现在和将来引线键合仍是芯片连接的主要技术手段。集成电路引线键合也是实现集成电路芯片与封装外壳多种电连接，并传递芯片的电信号、散发芯片内产生的热量，最通用、最简单而有效的一种方式，所以键合引线已成为电子封装业四大 重要结构材料之一。引线键合封装的方式如图所示： 键合引线的中心作用是将一个封装器件或两个部分焊接好并导电。因此，焊接的部分尤其是焊接点的电阻是此工艺的关键环节。在元素周期表中过渡组金属元素中银、铜、金和铝四种金属元素具有较高的导电性能。此外，封装设计中键合引线在焊接所需要的间隙主要取决于丝的直径，对键合引线的单位体积导电率有很高的要求，所以可能的选择被局限在几种金属元素中。另外，所选择的金属必须具有足够的延伸率，以便于能够被拉伸到 0.016~0.050mm,为了避免破坏晶片，这种金属必须能够在足够低的温度下进行热压焊接和超声焊接；它的化学性能、抗腐蚀性能和冶金特性必须与它所焊接的材料相熔合，不会对集成电路造成严重影响。在集成电路的键合引线中，主要应用的键合引线有键合金丝、硅铝丝、单晶铜键合丝等。 1、键合金丝 金丝作为应用最广泛的键合引线来说，在引线键合中存在以下几个方面的问题： 1）在硅片铝金属化层上采用金丝键合，Au-AI金属学系统易产生有害的金属间化合物，这些金属间化合物晶格常数不同，机械性能和热性能也不同，反应会产生物质迁移，从而在交界层形成可见的柯肯德尔空洞（Kirkendall Void），使键合处产生空腔，电阻急剧增大，破坏了集成电路的欧姆联结，致使导电性严重下降，或易产生裂缝，引起器件焊点脱开而失效。 2）金丝的耐热性差，金的再结晶温度较低（150℃），导致高温强度较低，球焊时，焊球附近的金丝由于受热而形成再结晶组织，若金丝过硬会造成球颈部折曲，焊球加热时，金丝晶粒粗大化会造成球颈部断裂；另外，金丝还易造成塌丝现象和拖尾现象，严重影响了键合的质量。 3）金丝的价格不断攀升，特别昂贵，导致封装成本过高，企业过重承受。 2、硅铝丝（AI-1%Si） 硅铝丝作为一种低成本的键合引线受到人们的广泛重视，国内外很多科研单位都在通过改变生产工艺来生产各种替代金丝的硅铝丝，但仍存在较多的问题。 1）普通硅铝丝在球焊时加热易氧化，生产一层硬的氧化膜，此膜阻碍球的形成，而球形的稳定性是硅铝丝键合强度的主要特性，实验证明，金丝球焊在空气中焊点圆度高，硅铝丝球焊由于表面氧化的影响，空气中焊点圆度低。 2）硅铝丝的拉伸强度和耐热性不如金丝，容易发生引线下垂和塌丝。 3）同轴硅铝丝的性能不稳定，特别是延伸率波动大，同批次产品的性能相差大，且产品的成材率低，表面清洁度差，并较易在键合处经常产生疲劳断裂。 3、单晶铜键合丝（目前逐步推广使用、代替键合金丝，未来“封装焊接之星”） 单晶铜键合丝是无氧铜的技术升级换代新材料，代号为“OCC”。单晶铜即单晶体铜材是经过“高温热铸模式连续铸造法”所制造的导体，即将普通铜材微观多晶体结构运用凝固理论，通过热型连续铸造技术改变其晶体结构获得的具有优异的导电性、导热性、机械性能及化学性能稳定的更加优越的一种新型铜材，其整根铜材仅