金属化.ppt

表 12.5.6双大马士革法的铜金属化 6：刻蚀互连槽和通孔 说明： 在层间介质氧化硅中干法刻蚀沟道，停止在 SiN 层。穿过 SiN.层中的开口继续刻蚀形成通孔窗口。 Table 12.5.6 表 12.5.7双大马士革法的铜金属化 7：淀积阻挡金属层 说明： 在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的PVD淀积钽( TaN）和氮化钽扩散层。 阻挡层金属 Table 12.5.7 表 12.5.8双大马士革法的铜金属化 8：淀积铜种子层 说明： 用 CVD. 淀积连续的铜种子层，种子层必须是均匀的并且没有针孔。 铜种子层 Table 12.5.8 表 12.5.9双大马士革法的铜金属化 9：淀积铜填充 说明： 用电化学淀积 (ECD).淀积铜填充，即填充通孔窗口也填充槽。 铜层 Table 12.5.9 表 12.5.10双大马士革法的铜金属化 10：用CMP清除额外的铜 说明： 用CMP 清除额外的铜，这一过程平坦化了表面并为下道工序做了准备。最后的表面是一个金属镶嵌在介质内，形成电路的平面结构。 Copper Table 12.5.10 金属化质量测量 检查的质量参数： 溅射金属的附着； 溅射薄膜的应力； 溅射的膜厚； 溅射薄膜的均匀性 小 结 金属化淀积的金属薄膜，在芯片上形成了互连金属线和接触孔或通孔连接。有6类金属用于硅片制造业，各有不同的特点满足不同的性能要求。 铝用作传统的互联金属线。欧姆接触是硅和互连金属之间的低阻接触。 铝也常和铜形成合金最大程度地解决电迁徒稳定性问题，铜的含量在0.5％～4％之间 新的互连金属化建立在铜冶金的基础上以减小金属电阻。铜和具有低K值的介质联合使用将减小芯片的互连延迟。 连接金属时常使用阻挡层金属，不同的阻挡层金属是否具有合适的特性取决于应用。 硅化物是难熔金属和硅形成的合金，用于减小接触电阻和附着。 自对准硅化物是一种特殊的硅化物，它被用于对准源、漏和栅结构。 应用最广泛的系统是溅射。溅射的物理特性是轰击靶，以轰击出原子，并在硅片表面淀积这些原子形成薄膜。 三类最普通的溅射类型是 RF、磁控和粒子化金属等离子体。 Chapter 12 Review Quality Measures 329 Troubleshooting 330 Summary 331 Key Terms 331 Review Questions 332 Equipment/Suppliers’ Web Sites 332 References 333 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * * * * 自对准硅化物 由于在优化超大规模集成电路的性能方面，需要进一步按比列缩小器件的尺寸，因此在源/漏和第一金属层之间电接触的面积是很小的。这个小的接触面积将导致接触电阻增加。一个可提供稳定接触结构、减小源/漏区接触电阻的工艺被称为自对准硅化物技术。它能很好地与露出的源、漏以及多晶硅栅的硅对准。许多芯片的性能问题取决于自对准硅化物的形成（见下图）。 自对准硅化物的主要优点是避免了对准误差。 与自对准硅化物有关的芯片性能问题 STI TiSi2 STI S G D TiSi2 TiSi2 TiSi2 减少的方阻 减少栅的电阻 减少的接触电阻 减少的二极管 漏电 Figure 12.12 自对准金属硅化物的形成 2. 钛淀积 Silicon substrate 1. 有源硅区 场氧化层 侧墙氧化层 多晶硅 有源硅区 3. 快速热退火处理 钛硅反应区 4. 去除钛 TiSi2 形成 Figure 12.13 金属填充塞 多层金属化产生了对数以十亿计的通孔用金属填充塞填充的需要，以便在两层金属之间形成电通路。接触填充薄膜也被用于连接硅片中硅器件和第一层金属化。目前被用于填充的最普通的金属是钨，因此填充薄膜常常被称为钨填充薄膜(见下图)。钨具有均匀填充高深宽比通孔的能力，因此被选作传统的填充材料。钨可抗电迁徒引起的失效，因此也被用作阻挡层以禁止硅和第一层之间的扩散及反应。 钨是难熔材料，熔点为：3417℃，在20℃时，体电阻率是52.8μΩ-cm。 铝虽然电阻率比钨低，但溅射的铝不能填充具有高深宽比的通孔，基于这个原因，铝被用作互连材料，钨被限于做填充材料。 多层金属的钨填充塞 早期金属化技术 1. 厚氧化层淀积 2.