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螺位错是另一种形式的基本位错,如图(a)所示,ABCD面为滑移面,其两侧晶体相对滑移一个伯格斯矢量b,局部滑移的分界线AD为位错线。存在螺位错时,晶面结构像是以位错线AD为轴的螺旋形楼梯。从图(b)可以看出,由滑移面左侧最上端晶面的B点出发,顺时针绕位错线一周便进入滑移面的左侧的第二个晶面。继续不断地绕行可以走遍晶体所有的晶面。这正是螺位错名称的由来。图(c)给出了在螺位错线出D附近原子排列的情况,图中o和 ? 分别代表滑移面前、后两侧的原子。 (4) 螺位错 7.4 面缺陷 * 第七章 晶体中的缺陷和运动 在第一章中,我们介绍了理想晶体的结构。将原子(基元)排列在布拉维格子上,便构成理想晶体结构。 实际的晶体中总是存在着杂质、空位等偏离周期性结构的情况,这些偏离晶体周期性结构的情况都称为晶体的缺陷。 本章将按缺陷的维数依次介绍点缺陷(空位、填隙原子、替代式杂质原子和填隙杂质原子) ,线缺陷(刃位错错和螺位错) ,面缺陷(晶界、堆垛层错)的几何形式、运动规律,以及对晶体性质的影响。 7.1 点缺陷 一、几种典型的点缺陷 空位又称肖特基缺陷。原子在其平衡位置附近作热振动。由于统计涨落,个别原子的动能可能大到克服势垒的束缚而跑到晶体表面格点上去,从而在晶体内部的格点上留下空缺的位置。 图 (a)肖特基缺陷 (1) 空位 由于热运动的起伏,晶体表面上个别原子可能获得足够的动能,进入晶体内部格点的间隙位置(理想情况下不为原子占有的位置)成为填隙原子。按这种机制,填隙原子的出现不伴有空位的产生。 (2) 填隙原子 图 (b)填隙原子 由于上述缺陷发生在一个或几个晶格常数的范围内,故称点缺陷,又因为其产生的根源是热运动,所以也称热缺陷。热缺陷不断产生,复合,在一定温度下热缺陷有一定的平衡浓度。 (3)弗仑克尔缺陷 晶格格点上的原子可能获得一定动能脱离格点位置进入晶体内部格点的间隙位置,成为填隙原子,同时产生空位,二者数目相等。 图(c)弗仑克尔缺陷 组成晶格的原子称为基质原子,晶体中非基质原子称为杂质,若杂质原子占据基质原子的位置,则形成替位式杂质缺陷。 例如,刚玉晶体(白宝石) ?-Al2O3 中掺入少量Cr2O3,使Cr+++取代Al+++便形成替位式杂质缺陷。由于C+++对绿光强烈吸收,白光照射掺Cr+++的?-Al2O3 晶体呈现红色,故称红宝石。红石室是重要的激光晶体材料。 又如,三价的硼、嫁、钢等原子取代硅单晶体中的硅原子形成P型半导体;五价的磷、砷、锑等原子取代硅单晶体中的硅原子形成N型半导体都是替位式杂质缺陷。 (4) 杂质 杂质原子除了可以形成替位式缺陷以外,还可以进入晶格间隙位置形成填隙杂质缺陷。 奥氏钢是填隙杂质缺陷的另一个例子,它是体心立方结构的铁中掺入填隙杂质碳所构成的。原子半径较小杂质原子常常以填隙方式出现在晶体之中。 二、热平衡时热缺陷数目的统计 在一定的温度下达到平衡时,热缺陷的数目总是一定的。现在用热力学统计物理的方法来给出热缺陷在热平衡条件下的统计数目。 设热平衡时,晶体中含有N个点阵原子和n个空位,通常n1N。系统的自由能 F=U - TS 热平衡时自由能应取极小值,其条件是 (1) 产生一个空位所需的能量若为u1,则晶体中有n1个空位时,内能的增加为 ?U=n1u1 晶体中有n1个空位时,整个晶体将包含N+n1格点。N 个相同的原子在N+ n1个格点上有W个不同排列方式 W=(N+n1)!/N!n1! 这将使熵的增加为 ? S=kBlnW (2) (3) (4) 从而,系统自由能的增加 ?F= ?U - T?S =nu1- TkBln[(N+n1)!/N!n1! 利用斯特林公式,当x很大时 lnx!?xlnx-x, 并用n1N 和(1)式,则有 系统自由能 F=U0+nu1 - TkBln[(N+n1)!/N!n1! U0是完整晶体的内能。 (5) (6) (7) 式中N为晶体中间隙位置的数目,u2产生一个填隙原子所需的能量。通常u2约为u1的5~10倍,故可能出现的空位数比填隙原子数要大得多。 类似地,填隙原子的平衡数目n2为 (8) (7)式和 (8)式的指数因子 exp(-u1/kBT)和exp(-u2/kBT)分别是产生一个空位和填隙原子的几率,也可看作体内格点上的原子获得u1的动能和表面格点上原子获得u2动能的几率。它们满足玻耳兹曼统计。 由(7)式和(8)式可以得到弗仑克尔缺陷的统计数目 由此可见,对于一定的晶体,热缺陷在一定温度下有确定的平衡数目,这是达到热平衡的必然结果。 原子处在不停的热振动状态中,因而时刻有原子获得足够的能量产生空位与
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