十~十一绝缘,电容材料.pptVIP

電容器 各種常用的電容器 漏电流：除与材料性质、表面状态及杂质含量有关外，还与材料的比表面积即电容量大小有关。 2） 铝电解电容器用铝箔 铝箔：阳极，表面用阳极氧化的方法形成的氧化膜就是电容器的电介质，因此铝箔本身的化学纯度及表面状态是十分重要的。 要求：表面光滑，机械缺陷如深度划痕、裂痕应尽量避免。 此外，铝表面的晶型结构影响铝箔的腐蚀系数，从而影响铝电容器的电容量；铝箔的强度影响电容器制作过程中铝箔适应机械化操作的能力。对阴极引箔的纯度要求工作电压低于50V的也得与阳极箔的要求相同，至于高工作电压用的阴极引箔可降低纯度要求。 纯度：以铁杂质的影响最为严重，以分散的金属互化物FeAl3颗粒形式出现，在形成氧化膜介质时阻碍该处的介质形成，并成为绝缘性差的导电通道。纯度愈差耐蚀性也越差，从长寿命需要来说杂质铜引起的隐患是很大的 杂质的影响首先表现出来的是漏电流大，其次是寿命短。 3） 钽电解电容器用钽粉的质量标准及生产工艺 钽粉：阳极材料。用于低压电容器的钽粉可以得到较高的比电容；高压钽粉的比电容较低，虽然也希望它有尽可能高的比电容，但首先要满足耐压的要求。 我国电容器用钽粉质量标准根据其使用范围划分为： A系列：适用于制作阳极形成(贼能)电压100V，工作电压25V以下的电解电容器，即高比容钽粉。 B系列：适用于制作阳极形成 (赋能)电压200V，工作电压50V以下的电解电容器，即中压钽粉。 C系列：适用于制作阳极形成 (赋能)电压270V，工作电压50V以 上的电解电容器，即高压钽粉。 a b 图5-6 电容器钽粉颗粒形貌 a –高压钽粉， b-高比容钽粉 表5-4 电容器用钽粉的分类 钠还原法 钠还原法、电子轰击或烧结氢化法 电子轰击法，或烧结氢化法 3500 ～18000 2000 ～7000 300 ～4000 6.3～25 32～40 50～125 高比容钽粉 中压钽粉 高压钽粉 钽粉生产方法 比电容 (?f?V/g) 应用的电压范围(V) 类型 电解电容器钽粉的生产工艺流程 A 高压电容器钽粉的生产工艺流程 由于高压钽粉对纯度及粉末物理性能的要求，一股都采用精炼提纯。提纯的方法有两种： (1)真空烧结提纯；(2)电子束熔炼 提纯。精炼得到的钽锭经氢化破碎制成高纯钽粉。 表5-5 几种新型高比容钽粉的性能 击穿电压 (V) 漏电K值 (μA/ μf?V) 比电容 (?f?V/g) 烧结条件 (℃，min) 比表面积 (cm2/g) －400目比例（%） 平均粒径 (μm) 松装密度 （g/cm3） 102 104 104 120 120 2.6×10 －4 2×10 －4 4.2×10 －4 18000 15000 17600 18000 22000 1500, 30 1500, 30 1500, 30 1550, 20 1550, 20 3000 2982 2750 60~70 60 85 100 100 3.12 3.21 4.1 0.9~1.8 0.9~1.3 1.45~1.8 2.35 1.72 0.9~1.3 0.9~1.3 FTU 180 FTU 150 SGZR 144 PL 18000R PL 22000 电　性　能 物　理　性　能 牌号 热处理 分析检验 去超细粉 调 配 压 型 垂熔烧结 电子束熔炼 酸洗除铁 氢化破碎 磨细筛分 水 洗 高纯钽锭 Ta2O5 原料钽粉 产 品 b 后处理 分析检验 分 级 脱 氢 配料，混合，压型 一段还原 二段还原 烧结精炼 脱 氧 压 型 氢化破碎 破 碎 石墨粉 产 品 a 图5-7 高压钽粉生产工艺流程图 a-碳还原真空烧结法 b-电子轰击氢化法 B 高比容钽粉的生产工艺流程 高比容银粉主要是用钠还原法生产，也有一部分采用碳还原法及氢还原法。 当前国内外主要用搅拌钠还原生产。 热处理 分析检验 烘 干 调 配 混合搅拌 还 原 酸 洗 水 洗 分 级 水 洗 破 碎 K2TaF2 NaCl Na 产 品 图5-8 钠还原法生产高比容钽粉工艺流程图 4） 电解电容器材料电性能测试方法 A 铝箔腐蚀系数的测试方法 腐蚀：获得腐蚀坑以扩大表面积，而获得较大的电容量。 方法：一般采用盐酸水溶液。低压