《质谱操作交流.docxVIP

作者：shinejesseCID 英文是 collision－induced dissociation 碰撞诱导解离。通常在真空接口处调节电压发生CID现象，一般是去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。这是一级质谱的原理。CAD collision-activated dissociation 碰撞活化解离。 做二级质谱时，应该是发生在Q2处吧，选择的母离子的进入Q2后 碰撞活化产生子离子，这个过程称为 CAD。我们用的API3200，CID指的是Q0里面的诱导碰撞的气体，CAD指的是Q3里面的诱导碰撞气体，也就是说，API里的CIDCAD都是指氮气。 ????还有一种叫作：源内CID在串联质谱还不普及的三年前，很多人夸大单级质谱的作用，比如：单级四极杆、LC-TOF、MALDI-TOF，说，液质你不是只看到分子离子峰么？你不是需要更多的碎片信息么？这里，我就可以做CID（其实是源内CID），给你想要的碎片。然后，他就拿一张标样的图，给你show一下，显示低电压时是分子离子峰，提高skimmer或orifice电压后，就可以得到碎片峰。后来，人们在真正实验中，认识到我们其实不是在做标样，液质的基质干扰和溶剂本底干扰很大，如果不分离出要的离子，直接作CID，会给出一系列不能解释的峰。所以，现在大家都喜欢LCMSMS了。在串联四极杆中，源内CID指在离子源内加一定的电压（Source CID），对化合物的离子化进行优化，可减弱溶剂加合离子的影响。对于Thermo的TSQ仪器，Source CID建议设置在8-12之间，此外加不加Source CID对信号影响应在20％左右，否则可能是仪器出现问题的征兆。源内CID不能取代LC-MS-MS（即真正的CID或CAD）作者：exw这位同学，你们的API3200有Q0，Q1，Q2，Q3这么多Q啊？？？我们的API4000这么只有Q1，Q2，Q3三个四级杆啊，CID和CAD都发生在Q2。源内CID这个概念是什么时候提出的啊？这个说法与原来的PSD的概念有什么区别啊？作者：shinejesseQUOTE:Originally posted by exw at 2009-9-6 11:22:这位同学，你们的API3200有Q0，Q1，Q2，Q3这么多Q啊？？？我们的API4000这么只有Q1，Q2，Q3三个四级杆啊，CID和CAD都发生在Q2。源内CID这个概念是什么时候提出的啊？这个说法与原来的PSD的概念有什么区别 ... Q0是离子束在进入四级杆前的一个六级杆装置，相当于离子透镜。源内CID就是在离子源处的离子隔离法处，若电压高可以使得离子片段化。时可以调节的作者：yuzhanQUOTE:Originally posted by exw at 2009-9-6 11:22:这位同学，你们的API3200有Q0，Q1，Q2，Q3这么多Q啊？？？我们的API4000这么只有Q1，Q2，Q3三个四级杆啊，CID和CAD都发生在Q2。源内CID这个概念是什么时候提出的啊？这个说法与原来的PSD的概念有什么区别 ... PSD一般指post source decay（源后分解），一般都只在MALDI-TOF上实现，你们讨论的是QqQ吧。PSD不会在QqQ上实现的。PSD一般是指经过MALDI的解析与离子化后，会产生高内能的离子，这时与内能极低的气体（空气或氮气）碰撞后，导致的分解。虽然看起来与In-source CID很像（无法选择特定离子，都属于低能碰撞分解范围），但是实现的机理是不同的。QqQ没有用过，LCQ之类的EST-IT MS或者是一般的ESI-TOF上都有In-source CID功能，可能是由于专利或商标的原因，名称不尽相同，但是道理都是一样的。就是在离子刚刚产生后，在通过第一个Orifice时，加入一个低电压（几十到几百左右，不同仪器不一样，我的是ESI-TOF，最高在250V），使离子发生碰撞。产生碰撞的位置距离源很近或属于源的一部分，气压比较高。有时候不止一个Orifice，我的仪器就有两个Orifice可以调节。对于ESI来说，In-source CID可以去除cluster离子的产生，对于提高多肽或蛋白的单电荷离子的强度也有帮助。个人理解，有不正确的地方请指出，一起提高。作者：shinejesseQUOTE:Originally posted by yuzhan at 2009-9-6 15:34:PSD一般指post source decay（源后分解），一般都只在MALDI-TOF上实现，你们讨论的是QqQ吧。PSD不会在QqQ上实现的。PSD一般是指经过MALDI的解析与离子化后，会产生高内能的离子，这时与内能极低的气体（空气 ... 但是in-source你说是为