毫米波第二六章毫米波固态电路剖析.ppt

毫米波理论与技术第二章 毫米波固态源第六章 毫米波固态电路 2015年4月 毫米波真空管分类 慢波型 正交场放大器（CFA） 磁控管（Magnetron） 速调管（Klystron） 行波管（TWT） 返波管（BWO） 快波型 回旋管（Gyrotron） 莱达管（Ledatron） 潘努管（Peniotron） 毫米波固态源分类 二端器件 IMPATT Gunn 三端器件 MESFET HEMT FET PHEMT FET 倍频器 §2.1 固态振荡器的一般理论 振荡器 换能器：DC→AC 放大器：G→∞ 非线性电路 负阻振荡的基本原理 直流静态电阻永远为非负值 R=V/I ≥0 负阻是就动态电阻而言的，即器件V-A特性曲线上某处的斜率 r=dv/di 0 振荡的三种条件 只考虑稳态振荡时器件中的电流基波分量 i(t)=Acos(ωt+φ) 设器件的微分阻抗和电路阻抗分别为 Zd(A)=-Rd(A)+jXd(A) Zc(ω)=Rc(ω)+jXc(ω) 则 起振条件 Rd(A)Rc(ω) 平衡条件 Zd(A)+Zc(ω)=0 稳定条件 振荡器噪声分析 任何原因引起的噪声源在振荡器噪声分析中都可以看成是一个与器件阻抗串联的电压源，它将引起器件电流的振幅和相位起伏。 注入锁定 注入锁定技术经常用来改善振荡器输出相位和频率稳定度。利用频率靠近自由振荡器频率的小信号注入，振荡频率就被同步到注入信号频率上。 §2.2 IMPATT振荡器 1958年Read提出模型 1965年Johnston首次从工作在雪崩区的p+n二极管中观察到了微波振荡 单双漂结构对比 毫米波IMPATT二极管的封装结构和热模型 IMPATT二极管CW功率随频率变化 IMPATT二极管脉冲功率随频率变化 IMPATT二极管封装结构（100GHz以下） IMPATT二极管开放结构（100GHz以上） 毫米波二极管波导型振荡电路 频率稳定方法 腔稳法（不适合毫米波） 注入锁定 锁相环 §2.3 Gunn振荡器 1963年Gunn发现在外加电场作用下半导体能级间电子转移产生负阻效应 RWH（ Radley, Watkins, Hilsum ）双谷理论模型 1964年Kromer证明了二者是同一种效应 Gunn与IMPATT对比 与IMPATT对比，Gunn器件 不是结效应器件，而是体效应器件，也称电子转移器件 优点：噪声低，适合作低噪声本振 缺点：输出功率较低 Gunn与IMPATT二极管CW功率 Gunn与IMPATT二极管脉冲功率 §6.1 鳍线振荡器 鳍线振荡器=鳍线谐振器+有源器件 鳍线谐振器用一段带有偏置电路和适当调谐电路的鳍线制作 有源器件可以是Gunn、IMPATT等二端器件，也可以是FET、HEMT FET等三端器件 简单的鳍线振荡器 鳍线压控振荡器 平面柱鳍线振荡器 周期栅鳍线振荡器 单栅鳍线振荡器 鳍线FET振荡器 并联双管合成振荡器 P=P1+P2 理论合成效率可达100% 串联双管合成振荡器 P=2(P1+P2) 理论合成效率可达200% 这是因为串联可使Gunn管比单个时有更大的负阻，也更容易与阻抗较高的传输线匹配 关键：等幅同相合成 鳍线串联双管合成振荡器 等效电路 Gunn二极管和串联双管合成振荡器的等效电路 鳍线串联双Gunn管合成振荡器的输出功率 鳍线串联双Gunn管合成振荡器的输出功率稳定度和频率稳定度 HMSIW Gunn Oscillator D-band (110-140GHz) quasi-optical oscillator Grooved mirror type Fabry-Perot quasi-optical oscillator §2.5 二端器件倍频源 倍频器将交流能量转换为其谐波频率的交流能量，与振荡器将直流能量转换为交流能量不同。倍频器与其说是信号源，不如说是频率变换电路。 倍频器分类 按功能 信号倍频 功率倍频 按器件 二端 电抗性二极管 变容二极管 阶跃二极管 电阻性二极管 三端 毫米波源和倍频器可获得的最大功率 基频固态源和倍频器可获得的最大功率（左） 基频电子管型振荡源可获得的最大功率（右） 变容二极管的管芯结构和等效电路 平面管芯结构和台面管芯结构 等效电路 变容二极管的非线性特性 结电容 结电容变化系数 γ=1/3 缓变结 γ=1/2 突变结 γ1 超突变结 二极管倍频电路的基本形式 并联型（电流激励型）和串联型（电压激励型） 二极管倍频电路两种形式的特点 并联型（电流激励型） 特点：二极管上只有f1和Nf1频率的电流 优点：二极管可接地，利于散热，适合大功率倍频 缺点：二极管与输入输出回路均为并联，使得输入输出阻抗都较低 串联型（电压激励型） 特点：二极管