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附件5： 辽宁省优秀硕士学位论文中英文摘要格式 作者姓名：张粲 论文题目：TiO2薄膜的制备及其性能研究 中 文 摘 要 Fujishima A和Honda K于1972在TiO2电极上发现光致分解水的现象，自此，TiO2作为半导体催化材料在工业上的潜在应用吸引了众多研究者的注意。作为半导体光催化剂，TiO2可以利用部分太阳光能，使光催化反应在常温常压下进行，并且具有反应速度快、对污染物治理彻底、没有二次污染等特点，十分符合环境治理中高效率低消耗的要求。随着世界范围内环境问题的日益严重，利用TiO2光催化剂进行环境净化已经引起了广泛的重视。当前，TiO2光催化剂的应用主要集中在水和空气的净化和处理。然而，传统粉体TiO2光催化剂在应用中存在许多缺点，如反应过程中必须搅拌、反应后催化剂难于分离和回收等。TiO2薄膜光催化剂可以克服这些缺点并拓展其工业用途，如用作抗菌陶瓷釉面砖、自洁净玻璃等。由于纳米TiO2薄膜在环境保护方面的突出优点和潜力，使其成为国际上环境净化处理研究中的前沿领域之一。 目前TiO2薄膜的制备方法较多，包括化学气相沉积(CVD)，溶胶-凝胶法(Sol-gel)，离子束沉积法，溅射法等。同过控制沉积参数，TiO2薄膜可以具有不同的光催化性能、晶体结构、元素配比、及表面形貌等，甚至可以形成单晶TiO2薄膜。现在已有研究表明，通过CVD或Sol-gel方法制备的TiO2薄膜，其性能及晶体结构强烈依赖于薄膜中的C及H元素含量，同时，通过上述方法制备的薄膜性能也依赖于沉积温度或热处理温度。已有研究表明，通过CVD或Sol-gel方法制备的TiO2薄膜，至少需要300°C的沉积温度或热处理温度。这严重制约了TiO2薄膜的应用范围，例如，在PET等非耐高温基体上沉积TiO2薄膜。因此，溅射方法成为唯一的能够在室温下直接沉积高密度高结晶性能的TiO2薄膜的方法。然而，现在关于利用溅射方法制备TiO2薄膜的报道还不多，目前仅有Sicha等发现通过直流脉冲反应磁控溅射可以在200°C下沉积晶态TiO2薄膜。通过利用基片偏压及附助等离子体源等方法，可以进一步降低沉积温度。所以，为了进一步扩展TiO2薄膜在非耐高温基体方面的应用，研究在室温条件下TiO2薄膜的生长机制、晶体结构与溅射参数之间的关系具有重要实际应用意义。 最近研究发现，通过分析薄膜的尺寸效应可以得到薄膜生长机制。通过动力学尺度理论(DST)，薄膜表面形貌与沉积时间之间的关系越来越引起人们的注意。薄膜的粗糙度因子(α) 和生长因子(β)可以通过DST理论得出，通过薄膜的粗糙度因子(α)和生长因子(β)可以进一步得出薄膜的生长机制，如扩散效应，阴影效应，晶体定向生长效应等。基于DST理论，沉积时间与测试尺度之间的关系可以通过式(1)表示： (1) 式中W是薄膜粗糙度(RMS值)，L是测试尺度，t是沉积时间，Z=α/β。在t LZ条件下，式(1)可以简化为式(2)： (2) 这样通过粗糙度因子(α)可以得出薄膜的生长机制。 由于TiO2薄膜可以广泛地应用在处理污水中有机物污染方面，因此，无论在基础理论研究方面，还是在实际应用研究方面，TiO2薄膜的生长机制研究都是具有重要意义。然而，除了Borrás A等人研究了PECVD方法制备的TiO2薄膜的生长机制，大多数研究者都将研究重点放在TiO2薄膜的光催化性能方面。本硕士论文重点研究在室温下通过直流脉冲磁控溅射方法制备高结晶性能的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)，原子力显微镜(AFM)，X光电子能谱(XPS)，紫外-可见分光光度计(UV－Vis)，接触角测量仪等研究了研究沉积气压，O2/Ar流量比例等对TiO2薄膜晶体结构，表面形貌，元素配比，透光性能，光催化性能，亲疏水性能等的影响。结果发现： 1.制备TiO2薄膜时，在其他条件不变的情况下，随着O2/Ar流量比的增加，薄膜的沉积速率单调降低，TiO2薄膜的结晶质量不断提高，锐钛矿(101)面的衍射峰的强度逐渐增强，TiO2薄膜表面颗粒不断增大，薄膜对水的接触角不断降低，TiO2薄膜的对甲基橙的降解率随着O2/Ar比例的增大先增大后减小，在O2/Ar比例为6/14时TiO2薄膜的对甲基橙的降解率取得最大值，为29.32%(退火前)，因此在制备具有光催化活性的TiO2薄膜时，O2/Ar比例不宜过大； 2.制备TiO2薄膜时，在其他条件不变的情况下，随着真空室内工作压强的增加，TiO2薄膜的沉积速率单调降低；平均透过率随着工作气压的增大。在本实验范围内(0.5～1.4pa)，工作气压的增大，能够提高TiO2薄膜的结晶质量，随着工作气压的增大，锐钛矿(101)面的结晶性变好；同时当溅射气压较高时，