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GaN半导体材料及其应用 摘要：介绍了半导体的基本概念及分类，重点阐述GaN半导体的基本知识及其主要的应用方面。GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料, 这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中, 并可用于大功率微波器件.最近几年,由于GaN蓝光二极管的成功研制, 使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课题.GaN，半导体，制备，应用 半导体是指室温时电阻率约在1MΩ·cm～1GΩ·cm之间的材料。半导体材料种类很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（GaAs、GaP等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 在半导体产业的发展中，一般将Si、Ge称为第一代半导体材料；将GaAs、InP、GaP、InAs、AlAs称为第二代半导体材料；而将宽禁带的GaN、SiC和金刚石称为第三代半导体材料。GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料，因这种材料及相关器件可以在高温高辐射等恶劣环境中工作等特性。GaN半导体的制备及性能研究日益受到人们的关注。 第二代半导体材料在过去的半个世纪中发挥了巨大的作用尤其是在计算机和移动通讯设备领域可以说如果没有这两代半导体的出现那是绝对不可能出现的。但是随着技术的发展和人们对设备性能要求的日益提高，传统的半导体材料因其在耐高温和抗辐射等恶劣环境下工作的局限性使得人们不得不开发新的替代型的新一代半导体。 以GaN为代表的Ⅲ—Ⅴ族宽直接带隙的第三代半导体由于带隙宽、发光光效率高、电子漂移饱和速度高、热导率高、硬度大、介电常数小、化学性质稳定以及抗辐射、耐高温等特点，在高亮度发光二极管、紫外—蓝光激光器和紫外探测器等光电子器件以及抗辐射、高频、高温、高压等电子器件领域有着巨大的应用潜力和广阔的市场前景，所以第三代半导体又被称为高温半导体。第三代半导体一起优越的性能已经引起人们的极大兴趣和广泛关注。 GaN是一种极稳定，坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃。GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个晶胞中有4个原子。因为其硬度高，又可以作为良好的涂层保护材料。 在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中溶解速度又非常缓慢。但是NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，这种方法可以用来检测质量不高的GaN晶体。GaN在HCL或H2气氛高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。 GaN基材料是直接跃迁型半导体材料,具有优良的光学性能,可作出高效率的发光器件,GaN基LED的发光波长范围可从紫外到绿色光 Ⅲ族氮化物主要包括GaN、ALN、InN、ALInN、GaInN、ALInN和ALGaInN等，其禁带宽度覆盖了红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围。GaN是Ⅲ族氮化物中的基本材料，也是目前研究最多的Ⅲ族氮化物材料。 GaN的电学性质是决定器件性能的主要因素。目前GaN的电子室温迁移率可以达到900cm2/（V * s）。GaN材料所具有的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和速度高是制作高温、大功率器件的最佳材料。 由于GaN体单晶非常难以获得，即便是已有一些研究报道对GaN体单晶生长取得了一定进展，但它们的质量还无法达到作衬底的要求。因此现今对GaN的研究都集中在以异质材料(如A1203、SiC、Si等)为衬底的外延生长薄膜上。随着异质外延技术的进步，现在已经可以在特定的衬底材料上外延生长获得质量优良的GaN外延层，这也使得GaN材料体系的应用得到了迅速发展，异质外延技术成为了制备GaN薄膜的主要方法。GaN的外延生长一般有以下几种工艺：金属有机化学气相沉积(Metal OrganicChemical Vapor Deposition)，分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)，卤化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy)，此外还有比较新颖的横向外延过生长(LateralEpitaxially Overgrown)以及悬空外延(PE)等工艺。其中MOCVD和MBE是制各GaN及其相关多层结构薄膜的两大主流技术，它们各有独自的特点。然而从实用商品化技术方面考虑，MOCVD方法由于其设备相对简单、造价相对较低、生长速度快等特点成为了外延生长GaN最主流的方法。本文所研究的GaN均采用MOCVD方法制备，因此这里只以其为例作简要介绍。 MOCVD又