集成電路工艺原理期末论文.docVIP

期末考试特殊考试方式 电子科学与技术学院 集成电路工艺原理 期末成绩考核报告 姓名： 学号： 1)在离子注入工艺中,有一道工艺是”沟道器件轻掺杂源(漏)区”,其目的是减小电场峰植和热电子效应!请详尽解释其原理。 【10分, 减小工作电压也可以减小漏端电场, 但工作电压不能等比例下降.因此, 只有改变器件的结构, 使漏端电场下降以抑制短沟道效应。 轻掺杂漏区（LDD）结构用栅作为掩膜中低剂量在栅下紧贴沟道区边缘注入形成（n-或p-注入），随后是大剂量的源漏注入（n+或p+注入）。源漏注入用栅氧化物侧墙作为掩膜。在高浓度源漏区和低浓度沟道区之间形成渐变的浓度梯度，使本体的+n 漏区离开高场区, 有效的减小了漏端电场的峰值，减少了热载流子，解决了短沟道效应这一难题。 2)在电极形成工艺中,用到金属Ti,请详尽说明金属Ti的相关工艺, 以及金属Ti在相关电极结构中的作用。 【10分1、双辉等离子表面冶金Ti-Cu阻燃合金的制备工艺?利用双层辉光离子渗金属技术，在Ti-6Al-4V的表面渗入Cu元素，在其表面形成Ti-Cu阻燃合金层。合适的工艺参数为：870C?渗铜3.5h，渗层厚度可达到200um以上。阻燃合金层的成分呈梯度分布，显微组织为基体组织加弥散分布的Ti2Cu金属间化合物。 ?2、电化学还原TiO2制备金属钛的工艺? 采用熔盐电解法，在900C?熔盐CaCl2中以烧结TiO2为阴极，石墨棒为阳极制备出金属钛。? 3、钛及钛合金熔炼技术工艺? 工业化生产中最有历史的并且最常用的钛熔炼设备是VAR炉（真空电弧熔炼炉），今年来发展最快的是电子束冷床熔炼炉和等离子束冷床熔炼炉，首先是用电子束，然后是离子束，随后该技术快速发展并加入到了过去由VAR熔炼主导的工业领域中。?? 金属钛在电路中的作用：? 钛金属在CMOS制作过程的接触形成工艺中可以使硅和随后淀积的导电材料更加紧密地结合起来。钛的电阻很低，同时能够与硅发生充分反应。当温度大于700C?时，钛跟硅发生反应生成钛的硅化物。钛和二氧化硅不发生反应，因此这两种物质不会发生化学的键合或者物理聚合。因此钛能够轻易的从二氧化硅表面除去，而不需要额外掩膜。钛的硅化物在所有有源硅的表面保留了下来。? 1、?金属钛淀积：一薄阻挡层金属钛衬垫于局部互连沟道的底部和侧壁上。这一层钛充当了钨与二氧化硅间的粘合剂。? 2、?氮化钛淀积：氮化钛立即淀积于钛金属层的表面充当金属钨的扩散阻挡层。 3)在超大规模集成电路刻蚀工艺中,会出现侧壁的横向钻刻现象,如何在工艺中改善此现象。【1分】【1分】【15分】Piranha配料 Piranha是一种强效的清洗溶液，它联合使用硫酸和过氧化氢去除硅表面的有机物和金属杂质。 HF步骤 许多清洗方法都是最后一步把硅片暴露于氢氟酸，以去除硅表面的自然氧化层。HF浸泡之后，硅片表面完全被氢原子终止，在空气中具有很高的稳定性，避免了再氧化。 化学蒸气清洗 用化学蒸气也可以去除工艺室内单个硅片上的残存氧化物和金属玷污。 总的来说，RCA清洗工艺是现今主流的清洗工艺，它能够有效的清洗颗粒.金属杂质.有机物玷污以及自然氧化层。如今没有其他任何工艺可以完全代替RCA清洗工艺。 2.超声清洗 超声清洗是利用声能振动槽底,其振动频率大于20kHz。硅片置于槽内液体中,能由振子通过槽底传给液体,并以声波波前的形式通过液体。振动足够强时,液体被撕开,产生许许多多的微空腔,叫空腔泡。超声清洗的能量就存在于这些泡中,泡遇到硅片表面将崩溃。巨大的能量将起到清洗的作用。 超声清洗主要用在切磨后除去大粒子,随着粒子尺寸的减小,清洗效果下降。为了增加超声清洗效果,有时在清洗液中加入表面活性剂。但表面活性剂和其它化学试剂一样,也是脏的有机物。无机物被除去后,化学试剂本身的粒子却留下了。同时由于声能的作用,会对片子造成损伤。 3.兆声清洗 兆声清洗也是利用声能进行清洗 ,但其振动频率更高,约为850kHz,输出能量 密度为2～5W/cm2 ,仅为超声清洗能量密度的1/50。因为兆声的频率很高,不是产生空腔泡,而是产生高压波。它以850kHz的频率在片子表面推动粒子。片架中的硅片在液体中机械运动,使硅片在波中进出,这样增加了去除粒子的均匀性,尤其对去除粒度 013μm以下的粒子效果更明显。这也是区别于超声清洗的一个突出特点。 兆声清洗为了达到可湿性的目的,亦常使用表面活性剂,使粒子不再沉积在表面上。兆声清洗的频率较高,不同于会产生驻波的超声清洗。兆声清洗不会损伤硅片。同时在兆声清洗过程中,无机械移动部件。因此可减少在清洗过程本身所造成的沾污。 4.离心喷洗 离心喷洗是浸型清洗的变型。各系统分别贮于不同的化学试剂,