MEMS工艺[精].pptVIP

* 1、同步辐射光曝光（吸收结构、薄膜、光阻掩版、光阻、基板） 2、显影（光阻结构） 3、电铸（金属、光阻结构、导基板） 4、模仁（模穴） 5、填模料（塑胶模、复合模型） 6、脱模成形（塑胶结构） * 利用LIGA技术配合分离层技术还可以制造可动微结构。如图，在典型LIGA工艺电铸完成之后，进行有选择性的刻蚀，如利用与光刻胶附着性较好的金属钛作为分离层，在刻蚀后再将金属钛层牺牲掉，形成可动空间 * LIGA技术虽然具有突出的优点，但是它的工艺步骤比较复杂，成本费用昂贵。为了获得Ｘ光源，需要复杂而又昂贵的同步加速器。相对于LIGA加工技术而言，激光微机械加工技术具有工艺简单、成本低等优点，它代表未来MEMS加工技术发展的方向。 * 深等离子体刻蚀技术 深等离子刻蚀一般是选用硅作为刻蚀微结构的加工对象，也即高深宽比硅刻蚀（HARSE），它有别于VLSI中的硅刻蚀，因此又称为先进硅刻蚀（ASE）工艺。该技术采用感应耦合等离子体（ICP）源系统，与传统的反应离子刻蚀（RIE），电子回旋共振（ECR）等刻蚀技术相比，有更大的各向异性刻蚀选择比和更高的刻蚀速率，且系统结构简单，使高密度硅离子刻蚀技术真正发展成了一项实用的刻蚀技术。这一技术的最大优越性是只采用氟基气体作为刻蚀气体和侧壁钝化用聚合物生成气体，从根本上解决了系统腐蚀和工艺尾气的污染问题。这一技术的关键是采用了刻蚀与聚合物淀积分别进行而且快速切换的工艺过程。同时还采用了射频电源相控技术使离子源电源和偏压电源的相位同步，以确保离子密度达到最高时偏压也达到最高，使高密度等离子刻蚀的优势得到充分发挥。 ICP刻蚀技术可以达到很高的深宽比（＞２５：１），选择性好，可以完成接近90°的垂直侧壁。 * 紫外线厚胶刻蚀技术 由于ＭＥＭＳ结构的特殊性，在传统的ＩＣ工艺基础上研究与之相适应的新工艺是ＭＥＭＳ持续发展的基础。深度光刻是其核心技术之一，其中紫外线厚胶光刻工艺作为高深宽比微机械制造的关键工艺，成为微机械工艺研究中的热点。使用紫外光源对光刻胶曝光，其工艺分为两个主要部分厚胶的深层紫外光刻和图形中结构材料的电镀。其主要困难在于稳定、陡壁、高精度厚胶模的形成。对于紫外厚胶光刻适用光刻胶的研究，做得较多的是ＳＶ－８系列负性胶［２］这种胶在曝光时，胶中含有少量的光催化剂发生化学反应，产生一种强酸，能使ＳＶ－８胶发生热交联。ＳＶ－８胶具有高的热稳定性，化学稳定性和良好的力学性能，在紫外光范围内光吸收度低，整个光刻胶层可获得均匀一致的曝光量。因此将ＳＶ－８胶用于紫外光刻中，可以形成图形结构复杂，深宽比大，侧壁陡峭的微结构。清华大学微电子所的李雯等人，利用ＳＶ８－５０负胶工艺，通过Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ公司的ＭＡ－６双面对准光刻机曝光，获得了胶膜厚度为１１０ μｍ，深宽比值为１０，侧壁陡峭直度达８５°以上的高深宽比，高陡直度的光刻图形。［３］ 对于ＭＥＭＳ器件厚胶图形的曝光，设备应满足大焦深，大面积和严格的ＣＤ均匀性以及适应各种特殊形状衬底的曝光要求。对于分步重复曝光设备，还必须保证满足大面积图形曝光的精密子场图形拼接技术要求。目前要这一领域应用较成功的光学光刻设备有奥地利的ＥＶＧ公司的ＥＶ６００系列双面对准键合机，德国Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ公司的ＭＡ－６双面光刻机以及荷兰ＡＳＭＬ公司的Ｍｉｃｒａｌｉｇｎ ７００系列和ＳＡ５２００系列扫描投影和分步投影光刻机。 * 标准的传统旋涂技术用于三维结构的片子时，由于沟槽和凹槽的出现，抗蚀剂的涂覆是不均匀的，它甚至妨碍了旋转片子上抗蚀剂的分离。片子旋转引起的离心力与重力一起驱使抗蚀剂流向边缘。当表面张力超过时，抗蚀剂便甩离片子。这些力在片子表面开孔处分布是不相同的，使厚抗蚀剂覆盖了孔部图形。当抗蚀剂被曝光时，在片子不同位置的抗蚀剂厚度是不同的，因此抗蚀剂所吸收的能量也是不均匀的，它影响了部分显影或导致关键尺寸图形均匀性的降低。 为了避免极限形貌片子涂胶的不均匀性，近几年发明了几项新的涂胶技术。其中正在研究推广的抗蚀剂喷涂技术最引人注目。与现有的在极端三维结构的片了上均匀抗蚀剂涂覆技术所不同，通过一种产生微滴烟雾剂的超声喷嘴式直接喷涂分配系统在高度三维结构化的片子上进行均匀地抗蚀剂喷涂沉积。由于采用喷涂分配技术，抗蚀剂呈雾状微滴形状。与抗蚀剂旋涂技术相比，这种技术有效地减少了片子上抗蚀剂流动力影响。微滴停留的地方抗蚀剂便沉积在其上，它有助于抗蚀剂在三维结构的片子上均匀分布。在喷涂中，片子在缓慢地旋转，同时，喷嘴分配装置的转臂在片子的半径范围内移动。这种集成技术便是由澳地利ＥＶＧ公司独家享有的Ｏｍｎｉ Ｓｐｒａｙ技术。使用该技术通过对深度结构片子的锐凸角喷涂抗蚀剂已实现了从片了顶部到１５０μｍ深的１１１面的斜面上产生连续的金属条图形。并结合新颖的“３１１”硅刻