光刻工艺[精选].pptVIP

等离子体刻蚀系统的类型 圆桶刻蚀机中的等离子体刻蚀方式 平行板系统中的等离子体刻蚀-等离子体模式 平行板系统中的等离子体刻蚀-反应离子刻蚀模式 高密度等离子体系统中的刻蚀 溅射刻蚀和离子铣 圆桶刻蚀机中的等离子体刻蚀方式 电极包在石英腔外面，硅片垂直放在反应腔中部的载片台上 腔内抽真空，引入反应气体，电极上加RF电源 等离子体被硅片和电极键的刻蚀通道隔离，活性化学粒子，扩散到硅片表面进行刻蚀 刻蚀是纯化学刻蚀，选择性高，具有各向同性刻蚀 整个硅片表面的刻蚀均匀性不好，从外部到中间 主要用于氧气等离子体去除光刻胶的工艺，用于无掩膜刻蚀工艺 平行板系统中的等离子体刻蚀-等离子体模式 硅片放在一个电极上，面向另一电极，可以获得较好的均匀性 允许离子轰击硅片表面，产生了物理刻蚀 系统中也会有中性活性物质引起的化学刻蚀 腔内气压为100mtorr到1torr 当电极自身尺寸相同，放硅片的底电极接地，使底电极有效尺寸增大，轰击作用变小 平行板系统中的等离子体刻蚀-反应离子刻蚀模式 将放置硅片的电极尺寸缩小到小于另一电极的尺寸 将上电极与反应腔壁共同接地，使得上电极的有效尺寸增加很多 等离子体到硅片的电压降显著增大，在100-700V的范围内，离子轰击硅片的能量相应的提高了 刻蚀的方向性很好 降低气压可以获得更好的方向性刻蚀，但降低气压会使等离子体密度降低，通常离子刻蚀系统在10-100mtorr范围内 通常采用单一硅片系统，有效的控制每一硅片的均匀性 高密度等离子体系统中的刻蚀 采用第二个激励电源控制硅片电极偏压，实现对等离子体密度和离子能量的分别控制 采用电子回旋共振源和感应耦合等离子体源来产生等离子体 产生高密度（1011－1012cm-3）的等离子体 采用的电压为1-10mtorr，还能获得较高的离子流量和刻蚀速度 离子和具有活性的化学物质是协同作用，可以得到良好的方向性和合理的选择性。 溅射刻蚀和离子铣 属于单纯的物理刻蚀方式 阳极由反应腔构成，阴极尺寸相对于阳极已经最小化，可以最大化离子轰击能力 离子能量很高，大于500eV 溅射刻蚀的优点是可以刻蚀所有材料，刻蚀极具定向性，主要缺点是它的选择性很低。 溅射的问题 边缘挖槽或称微槽化是刻蚀过程中经常出现的问题之一 另一个问题是再淀积问题，离子轰击对其他层材料会产生溅射作用，这些溅射的材料会再淀积到硅片上的其他区域 第三个问题是晶格或辐射损伤 第四问题是表面电荷，这与带电离子或电子轰击有关 等离子体系统与机理总结 气压 能量 选择性 各向异性 溅射刻蚀和离子铣 高密度等离子体刻蚀，离子体刻蚀 反应离子刻蚀 等离子体刻蚀 湿法化学腐蚀 物理过程 化学过程 刻蚀均匀性问题 在同一硅片内部和不同硅片之间腐蚀速率要保持一致，通常情况下，外部刻蚀速率要高于内部刻蚀速率，这是由于刻蚀气体从硅片外部流动到内部的过程中产生的耗尽效应造成的 负载效应，分为宏观和微观二种；宏观负载效应指当反应腔中硅片过多，或硅片上待刻区域面积过大时，导致刻蚀速率降低的现象。微观负载效应指硅片表面极小区域内刻蚀速率的不同 刻蚀会受到薄膜局部特征的影响 需要一定程度的过刻以保证整个硅片上的完全刻蚀，过刻量一般取10-20％ 用于IC制造中薄膜的典型或代表性等离子体气体 材料 刻蚀剂 简要介绍 多晶硅 SF6,CF4 各向同性或接近各向同性（有严重钻蚀）；对SiO2很少或没有选择性 CF4/H2,CHF3 非常各向异性，对SiO2没有选择性 CF4/O2 各向同性或接近各向同性，对SiO2有选择性 HBr,Cl2,Cl2/HBr/O2 非常各向异性，对SiO2选择性很高 单晶硅 与多晶硅的刻蚀剂相同 SiO2 SF6,NF3,CF4/O2,CF4 接近各向同性（有严重钻蚀）；增大离子能量或降低气压能够改进各向同性程度；对硅很少或没有选择性 CF4/H2,CHF3/O2,C2F6,C3F8 非常各向同性；对硅有选择性 CHF3/C4F8,CO 各向同性；对Si3N4有选择性 Si3N4 CF/4O2 各向同性，对SiO2有选择性, 但对硅没有选择性 CF4/H2 非常各向异性，对硅有选择性，但对SiO2没有选择性 CHF3/O2,CH2F2 非常各向异性，对硅和SiO2都有选择性， Al Cl2 接近各向同性（有严重钻蚀） Cl2/CHCl3, Cl2/N2 非常各向异性，经常加入BCl3以置换O2 W CF4,SF6 高刻蚀速率，对SiO2没有选择性 Cl2 对SiO2有选择性 Ti Cl2,Cl2/CHCl3,CF4 TiN Cl2,Cl2/CHCl3,CF4 TiSi2 Cl2,Cl2/CHCl3,CF4/O2 光刻胶 O2 对其他薄膜选择性极高 未来趋势 在2003年最小特