速度选择器 ~ 原理:回旋共振频率不变 回旋加速器 初始时D2处于高压区,q粒子受电场力后以 进入D1内做圆周运动。 缝隙间的电场恰好相反,粒子通过缝隙时又被加速,以较大的 进入D2内做圆周运动。 经过 后,粒子又回到缝隙处,若此期间 注意:虽然 但绕过半个圆周所用时间 是一样的 若D形盒半径为R,则粒子最终速度 所获动能为: 当 可与光速比较时 粒子回旋周期 回旋加速器 三、带电粒子荷质比的测定 K A C S O 磁聚焦法 离子经过速度选择器后 离子在磁场 B2 中: 质谱仪 四、霍耳效应 厚度b,宽为a的导电薄片,沿x轴通有电流强度I,当在y轴方向加以匀强磁场B时,在导电薄片两侧 产生一电位差 ,这一现象称为霍耳效应 RH---霍耳系数 霍耳效应原理 带电粒子在磁场中运动受到洛仑兹力 q0 + + + + + + + + + + + + 此时载流子将作匀速直线运动,同时 两侧停止电荷的继续堆积,从而在 两侧建立一个稳定的电势差 + + + + + + + + + + + + q0 + + + + + + + + + + + + 总结 (1) q0时,RH0, (2) q0时,RH0, 霍耳效应的应用 2、根据霍耳系数的大小的测定, 可以确定载流子的浓度 n型半导体载流子为电子 p型半导体载流子为带正电的空穴 1、确定半导体的类型 霍耳效应已在测量技术、电子技术、计算技术等各个领域中得到越来越普遍的应用。 例2、 半导体的大小a×b×c=0.3×0.5×0.8cm3 , 电流I=1mA(方向沿x轴), 磁场B=3000Gs(方向沿z轴),如图所示;测得A、B两面的电势差uA-uB=5mv, 问: (1)这是P型还是N型半导体?(2)载流子浓度n=? 解 (1) 由A面比B面电势高,判定这是N型半导体。 (2)由公式 代入I=10-3A, B=0.3T, b=0.3×10-2m, VH=5×10-3v, 得: n=1.25×1020个/m3。 I a b c x y z B A B (2)电流I一定与回路“link”,故电流必须是闭合的 (3)若一根导线多次穿过同一回路,则须多次计入I S l μ (4)稳恒磁场为有旋场。 静电场 稳恒磁场 磁场没有保守性,它是 非保守场,或无势场 电场有保守性,它是 保守场,或有势场 电力线起于正电荷、 止于负电荷。 静电场是有源场 磁力线闭合、 无自由磁荷 磁场是无源场 I R 当场源分布具有高度对称性时,利用安培环路定理计算磁感应强度 1、 无限长载流圆柱导体的磁场分布 分析对称性 电流分布——轴对称 磁场分布——轴对称 已知:I、R 电流沿轴向,在截面上均匀分布 二、安培环路定理的应用举例 分析对称性 磁场分布——轴对称 I R 作积分环路并计算环流 如图 利用安培环路定理求 作积分环路并计算环流 如图 利用安培环路定理求 I R 结论:无限长载流圆柱导体。已知:I、R 讨论:长直载流圆柱面。已知:I、R r R O 练习:同轴的两筒状导线通有等值反向的电流I, 求 的分布。 电场、磁场中典型结论的比较 外 内 内 外 长直圆柱面 电荷均匀分布 电流均匀分布 长直圆柱体 长直线 已知:I、n(单位长度导线匝数) 分析对称性 管内磁力线平行于管轴 管外靠近管壁处磁场为零 . . . . . . . . . . . . . . . 2、长直载流螺线管的磁场分布 计算环流 利用安培环路定理求 . . . . . . . . . . . . . . . 已知:I 、N、R1、R2 N——导线总匝数 分析对称性 磁力线分布如图 作积分回路如图 方向 右手螺旋 r R 1 R 2 . . + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3、环形载流螺线管的磁场分布 . . B r O 计算环流 利用安培环路定理求 r R 1 R 2 . . + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 一导体,由“无限多”根平行排列的细导线组成, 每根导线都“无限长”且均
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