第15章平衡状态的半导体详解.pptVIP

第15章 平衡状态的半导体 15.1 半导体的能带结构 15.2 本征半导体和杂志半导体 15.3 热平衡载流子的统计分析 15.4 简并半导体 15.3 热平衡载流子的统计分析——统计分布 非简并半导体服从玻尔兹曼统计分布 非简并半导体 载流子浓度低 同一能级被两个电子占据的几率低 不受泡利不相容原理限制 费米分布与经典分布统一 选择玻尔兹曼统计分布 费米分布 玻尔兹曼分布 电子统计分布 空穴统计分布 E-EFkBT EF-EkBT 费米能级位于禁带中并且与导带底和价带顶的距离远大于kBT 简并半导体必须服从费米分布 15.3 热平衡载流子的统计分析——统计分布 无法区分处 15.3 热平衡载流子的统计分析——载流子浓度公式 平衡非简并半导体电子浓度公式的讨论：n0 1、我们已经讨论了状态密度和统计分布的公式； 2、积分限的讨论：由于电子在导带顶以上分布基本为0，故可以将积分上限由EC/变为∞，不影响结果； 15.3 热平衡载流子的统计分析——载流子浓度公式 平衡非简并半导体电子浓度公式的讨论：n0 15.3 热平衡载流子的统计分析——载流子浓度公式 电子浓度公式的理解：n0 导带底的玻尔兹曼统计分布几率 导带的有效状态密度 假设导带中所有的量子态都集中在导带底EC时的状态密度 同理可得，空穴浓度公式：p0 价带顶的玻尔兹曼统计分布几率 价带的有效状态密度 假设量子态都集中在EC,其状态密度为NC，则NC再乘以EC处的统计分布就是导带的电子浓度 15.3 热平衡载流子的统计分析——载流子浓度公式 从公式上看，影响载流子浓度的因素 1、T 2、EF 3、材料 15.3 热平衡载流子的统计分析——载流子浓度公式 15.3 热平衡载流子的统计分析——n0p0 温度一定，材料一定，平衡非简并半导体的电子浓度和空穴浓度之积为常数 本征载流子浓度的平方 温度一定时为常数 与掺杂无关 15.3 热平衡载流子的统计分析——本征半导体讨论 讨论步骤 电中性条件 EF讨论 n0p0讨论 结论 从本征半导体的电中性条件开始…… 本征费米能级 几个数据说明 硅、锗 砷化镓 常温下（300K） 对于硅锗砷化镓而言 禁带中央 对于硅锗砷化镓而言，本征费米能级Ei位于禁带中央附近 15.3 热平衡载流子的统计分析——本征半导体讨论 关于本征载流子的讨论 常温下 15.3 热平衡载流子的统计分析——本征半导体讨论 本征半导体的一些结论 1、电中性方程 2、对于常见半导体，本征费米能级位于禁带中央附近 3、本征载流子ni的唯一来源是本征激发，其浓度随着温度T的增加呈指数迅速增加；常温下，本征激发不显著； 15.3 热平衡载流子的统计分析——杂质半导体讨论 假设一个施主和受主共掺的半导体，其施主浓度为ND，受主浓度为NA EA →NA EC →NC EV →NV ED→ND 本征激发 施主电离 受主电离 NC、NV、ND、NA分别为EC、EV、ED、EA能级上的状态密度（或有效状态密度） 电子 空穴 正电中心 负电中心 先不考虑杂质补偿 15.3 热平衡载流子的统计分析——杂质半导体讨论 导带电子的来源：本征激发+施主电离 价带空穴的来源：本征激发+受主电离 半导体中正电荷：价带空穴+正点中心 半导体中负电荷：导带电子+负电中心 电中性条件 15.3 热平衡载流子的统计分析——杂质半导体讨论 类型 环境条件 电中性条件 载流子来源 本征 完全来源于本征激发 n型 低温弱电离 本征激发不显著（忽略），载流子来源于不完全电离的施主电离 常温 本征激发不显著（忽略），施主电离完全 高温 本征激发非常显著 高温过渡区 本征激发不可忽略，施主电离完全 15.3 热平衡载流子的统计分析——杂质半导体讨论 类型 环境条件 电中性条件 载流子来源 p型 低温弱电离 本征激发不显著（忽略），载流子来源于不完全电离的受主电离 常温 本征激发不显著（忽略），受主电离完全 高温 本征激发非常显著 高温过渡区 本征激发不可忽略，受主电离完全 15.3 热平衡载流子的统计分析——杂质半导体讨论 类型 环境条件 电中性条件 载流子来源 施受同掺 常温 完全电离的杂质电离 低温 本征激发不显著（忽略），载流子来源于不完全电离的杂质电离 考虑杂质补偿 15.3 热平衡载流子的统计分析——杂质半导体讨论 关于电离施主浓度和电离受主浓度的讨论 施主能级上的电子浓度 孤立杂质能级上费米分布的修正 15.3 热平衡载流子的统计分析——杂质半导体讨论 受主能级上的空穴浓度 孤立杂质能级上费米分布的修正 15.3 热平衡载流子的统计分