冷氢化技术[精选].docVIP

冷氢化技术综述 （上） 20世纪70年代美国喷气推进实验室(JPL)在美国能源部的支持下组织研究新硅烷法工艺过程中，采用多晶硅工厂的副产物四氯化硅（STC）作原料，将其转化为三氯氢硅（TCS），然后将三氯氢硅通过歧化反应生产硅烷。 80年代初，为得到低成本、高纯度的多晶硅，又进行了一系列的研究开发。其中高压低温氢化工艺（以下简称冷氢化）就是一项能耗最低、成本最小的STC转化为TCS的工艺技术。该工艺被UCC（Union Carbide Corporation）公司在80年代中后期进一步的完善，实现了从实验装置到工业化运行的跨越，目前REC在华盛顿州的多晶硅工厂所采用的此项工艺仍在运行中。因此，毋庸置疑，冷氢化技术的原创应当是UCC，目前流行的各类流化床冷氢化工艺只是在UCC的基础上“整容，而非变性”（易中天语）！ 90年代，为了提高多晶硅产品纯度，满足电子工业对多晶硅质量的要求，开发了高温低压STC氢化工艺，这两种工艺的比较如下： 项目名称 高温低压热氢化 低温高压冷氢化 操作压力：Bar 6 15～35 操作温度：℃ 1250 500～550 主要反应 SiCl4＋H2＝SiHCl3＋HCl Si＋3HCl＝SiHCl3＋H2 3SiCl4＋Si＋2H2＝4SiHCl3 优点 汽相反应；不需催化剂；连续运行；装置单一、占地少；易操作和控制，维修量小；氢化反应不加硅粉，无硼磷及金属杂质带入，后续的精镏提纯工艺较简单，提纯工作量小；STC转化率一般为（17%～24%） 流化床反应；三氯氢硅合成与四氯化硅氢化可在同一装置内进行，可节省投资；反应温度低、电耗低，单耗指标为≤1kWh/kg-TCS； STC转化率为20％以上； 缺点 反应温度高、电耗高，单耗指标为≤2.2～3kWh/kg-TCS； 加热片为易耗材料，运行费用较高，有碳污染的可能性。 ? 气固反应，操作压力较高，对设备的密封要求很高，维修工作量大；操作系统较复杂，；氢化反应加入硅粉，有硼磷及金属杂质带入，提纯工作量大，增加精馏提纯费用（如蒸汽、电力、冷却水等消耗）；需硅粉干燥及输送系统；需加入催化剂。 ????综上比较，二者各有优缺点，但低温高压冷氢化工艺耗电量低，在节能减排、降低成本方面具有一定的优势。国内多晶硅新建及改、扩建单位可以根据项目的具体情况、自身的优势及喜好，择优选定。 ????冷氢化主要反应式如下： Si+ 2H2?+ 3SiCl4???催化剂???4SiHCl3??（主反应） SiCl4+Si+2H2??= 2SiH2Cl2?（副反应） 2SiHCl3??= SiCl4+SiH2Cl2?（副反应） ????典型的冷氢化装置组成如下： ? ????一个完整的冷氢化系统大致包括以下6大部分： ?????1、技术经济指标：包括，1）金属硅、催化剂、补充氢气、STC、电力的消耗，2）产品质量指标，3）STC转化率，4）公用工程（氮气、冷却水、冷媒、蒸汽及导热油）； ?????2、主装置：包括，1）流化床反应器、2）急冷淋洗器，3）淋洗残液的处理系统，4)气提，5）加热及换热装置； ?????3、原料系统：包括，1）硅粉输送，2）催化剂选用及制备，3）原料气体的加热装置； ?????4、粗分离系统：包括，1）脱轻，2）脱重，3）TCS分离； ?????5、热能回收系统，包括：1）流化床出口氢化气的热量回收，2）急冷塔出口淋洗气的热能回收，氯硅烷物流热量综合利用；热能回收系统，包括：1）流化床出口氢化气的热量回收，2）急冷塔出口淋洗气的热能回收； ?????6、物料处置及回收系统：包括，1）淋洗残液中的氯硅烷回收，2）脱重塔残液中的氯硅烷回收，3）轻组分中的氯硅烷回收，4）固废处理，5）氯硅烷废液处理。 （中） ?????上文说到，一个完整的冷氢化系统大致要考虑六个方面的因素，包括：技术经济指标、主装置、原料系统、粗分离系统、热能回收系统、物料处置及回收系统，现就这六个方面的因素作一些简单的点评： ?????1、技术经济指标： ?????技术经济指标是厂家最关心的基础数据，现在江湖上流传的这些数据有些乱，有的低得离谱，有的高得让人无法接受，根据目前掌握的各厂家运行数据来看： ???????? 金属硅消耗在0.056-0.061kg/kgTCS之间； ?????? 氢气消耗在0.009-0.011kg/kgTCS之间； ????????四氯化硅在0.9-1.0kg/kgTCS之间； ????????催化剂消耗在0.0002-0.0005kg/kgTCS之间； ????????电力消耗在0.58-0.9度/kgTCS之间； ????????转化率在24%-28%之间； 还都算比较靠谱的数据，消耗太低了不现实，消耗高了就让人无法接受。 2、主装置