半导体刻蚀[精选].pptVIP

3．接触金属刻蚀 在MOS器件制造中，接触金属的刻蚀是很关键的，因为尺寸的控制会影响到器件的沟道长度。接触金属等离子体刻蚀可以采用氟基或氯基气体。 四. 去除光刻胶 刻蚀以后的步骤之一是去除光刻胶，光刻胶用来作为从光刻掩膜版到硅片表面的图形转移媒介以及被刻蚀区域或被离子注入区域的阻挡层。一旦刻蚀或注入完成，光刻胶在硅片表面就不再有用，必须完全去除。另外，刻蚀过程带来的任何残留物也必须去掉。等离子体用氧气来干法去胶，是批量去胶的一种主要工艺。但是，需要关注由于离子轰击和硅片充电所带来的对硅片上器件的等离子体损伤。 12.3 湿法腐蚀 湿法腐蚀在漂去氧化层、去除残留物、表层剥离以及大尺寸图形腐蚀应用方面仍然起着重要的作用。与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比；对器件不会带来等离子损伤；并且设备简单。 湿法腐蚀的缺点是在掩蔽层材料边缘下面会产生钻蚀，形成各向同性的侧壁；腐蚀槽的安全性；可能带来的光刻胶脱落和起泡；难以控制腐蚀槽的参数以保证均匀性；化学试剂的处理费用昂贵等。 12.3.1 湿法腐蚀的应用 一．湿法腐蚀氧化硅 氧化硅能够用氢氟酸（HF）来进行湿法腐蚀，常用被氟化铵缓冲的稀氢氟酸喷射或浸泡硅片来有选择地去除氧化硅。氧化硅的腐蚀速率与它是热氧化硅还是淀积的氧化硅有关（见表12.3），因为干氧要比湿氧致密，干氧的腐蚀速率较慢。另外，掺杂的氧化硅腐蚀与未掺杂的氧化硅腐蚀不同，通常掺杂的氧化硅腐蚀速率要快。 二．湿法化学剥离 由于湿法腐蚀的高选择比特性，湿法化学剥离有时用于去除包括光刻胶和掩蔽层的表面层材料，如氮化硅、在接触中用作硅化物的钛。 12.4 刻蚀质量测量 典型的刻蚀检测中的质量测量方法如表12.4所示。 使用干法刻蚀也有一些缺点。主要的缺点是对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备。 12.2.1 刻蚀作用 干法刻蚀系统中，刻蚀作用是通过化学作用或物理作用，或者是化学和物理的共同作用来实现的。在纯化学机理中，等离子体产生的反应元素与硅片表面的物质发生反应. 为了获得物理机理的刻蚀，等离子体产生的带能离子（轰击的正离子）在强电场下朝硅片表面加速，这些离子通过溅射刻蚀作用去除未被保护的硅片 表面材料。这种机械刻蚀的好处在于它很强的刻蚀方向性，从而可以获得高的各向异性刻蚀剖面，以达到好的线宽控制目的。这种溅射刻蚀速率高，然而选择比差。另一个问题是被溅射作用去除的元素是非挥发性的，可能会重新淀积到硅片表面，带来颗粒和化学污染。 还有一种是物理和化学混合作用机理，其中离子轰击改善化学刻蚀作用。刻蚀剖面可以通过调节等离子体条件和气体组分从各向同性向各向异性改变。这种物理和化学混合作用机理刻蚀能获得好的线宽控制并有不错的选择比，因而在大多数干法刻蚀工艺中被采用。表12.2总结了化学作用、物理作用和化学/物理结合作用刻蚀中的不同刻蚀参数。 12.2.2 等离子体刻蚀反应器 一个等离子体干法刻蚀系统的基本部件包括：发生刻蚀反应的反应腔、一个产生等离子体的射频电源、气体流量控制系统、去除刻蚀生成物和气体的真空系统。刻蚀系统包括传感器、气体流量控制单元和终点触发探测器。 在干法等离子体刻蚀中不同的控制参数有：真空度、气体混合组份、气流流速、温度、射频功率和硅片相对于等离子体的位置。这些不同的参数之间的互作用是干法刻蚀工艺控制器的功能。 干法等离子体反应器有下面不同的类型： 一．圆筒式等离子体刻式机 (图12.10） 化学刻蚀，各向同性。 二．平板（平面）反应器 (图12.11) 物理和化学刻蚀，各向异性和各向同性。 三．顺流刻式系统 (图12.12) 化学刻蚀，各向同性。 四．三极平面反应器(图12.13） 物理刻蚀，各向异性。 五．离子铣 (图12.14) 物理和化学刻蚀，各向异性。 六．反应离子刻蚀 (图12.15) 物理刻蚀，各向异性。 七．高密度等离子体刻蚀机 物理刻蚀，各向异性。 高密度等离子体刻蚀机中等离子体通常处于磁场中。在等离子体刻蚀中采用磁场的理由是： 1）产生的等离子体能更有效地获得进入高深宽比窗口的高方向性低能离子以及较少的硅片损伤； 2）等离子体密度较大，有更多的反应基和带电粒子以增大刻蚀速率； 3）能减小硅片上的直流偏置电压，从而可减少粒子轰击（或损伤）