单晶和多晶氧化铝(图[精选].docVIP

5-39比较扩散氧离子在单晶和多晶氧化铝（图 ?????? 5月21日） 。什么可说的机制传播离子在这些材料的基础上的差异，这些价值观？ 5 - 40In固体的过程中扩散的原子和离子需要时间。解释是如何实现这是我们的优势而形成金属玻璃。 5-41为什么无机玻璃形式相对缓慢冷却后的融化，而快速凝固要形成金属玻璃。 5-42 0.2毫米厚的硅晶片处理，使一个统一的浓度梯度锑生产。一个表面含有1Sb原子每108Si原子和其他表面含有500锑原子每108硅原子。晶格参数泗是5.407A （附录A ） 。计算浓度梯度在： ?????? （一）百分之锑原子每厘米;和 ?????? （二）锑 5-43当铜锌合金巩固，一个部分的结构中包含25个原子百分之锌。晶格常数为催化裂化合金约3.63 × 10 - 8厘米。确定的浓度梯度在： ?????? （一）百分之锌原子每厘米， ?????? （二）重量百分比锌每厘米;和 ?????? （三）锌 5-44 0.001 - in.BCC铁箔是用来单独高氢气从低氢气在650 o部分C.5 × 108H原子/厘米3是平衡的一个方面箔， 2 × 103 H原子/厘米3是平衡的另一面。确定： ?????? （一）浓度梯度的氢气;和 ?????? （ b ）在通量的氢通过箔。 5-45 1毫米钢板催化裂化铁是用来在一个含有氮换热器在1200摄氏度。氮的centration一个表面原子百分之0.04浓度在第二表面原子百分之0.005 。确定氮通量的铝箔在N原子/厘米2 。县 5-46 4厘米，直径0.5毫米厚的球形容器举行的英国广播公司铁氮在700 ℃ 。浓度在0.05内表面原子百分之和外表面的原子百分之0.002 。计算人数，克氮的损失形式集装箱每小时。 5-47阿广铁结构是生产，使不超过50克的氢气将失去每年通过每平方厘米的铁在400 ℃ 。如果集中在一个表面氢为0.05 H原子单位是0.001细胞和H原子单位细胞在第二表面，确定的最小厚度铁。 5-48确定的最高允许温度将产生流量小于2000年H原子/厘米2 。县通过广铁箔当浓度梯度为-5 × 108 。 （注的负面迹象的流量。 ） 第5-7渗透性聚合物 5 49What的屏障聚合物？ 5 50What参数定义的阻隔性能的聚合物？ 5 51What因素以外，渗透，是重要的选择聚合物使塑料瓶？ 5-52无定形PET是渗透到更多的二氧化碳比聚酯包含微晶体。解释原因。 5-53解释为什么橡胶气球充满了氦气经济学家谢国忠认为随着时间的推移。 5 54Compared橡胶气球，为什么MylarTM气球放气更慢？ 第5-8组分剖面（ Fick第二定律） 5-55考虑2毫米厚的硅（ Si ）的晶圆将使用掺锑（锑） 。假设掺杂源（气体混合物氯化锑和其他草）提供了一个不断集中的1022年原子/立方米。如果我们需要这种掺杂个人资料锑的浓度，深度为1微米为5 × 1021 atoms/m3 。是什么时间的扩散热处理？假设硅片首先包含任何杂质或掺杂。承担活化能为传播锑硅380kJ/mole和D为某人扩散硅为1.3 × 1010米2 / s的。 5-56考虑掺杂镓（大会）的硅。假定扩散系数镓（大会）在1100 ℃硅是7 × 10 -一十三厘米2 / s的。计算浓度镓，深度为2.0微米，如果表面浓度是1023年的Ga原子/厘米3 。传播时间为1 ， 2,3和3个小时。 5 - 57In半导体加工我们要选择涂料不同地区的半导体基板。当我们漫P到硅，我们要引进P的某些其他地区。解释如何能做到这一点。 （提示：掺杂离子的扩散慢得多的是氧化硅比硅。 ） 5-58扩散系数磷（ p ）在硅是6.5 × 10 -一三厘米2 /秒，温度的1021atoms/cm 3和传播的时间是两个小时。假设硅片包含任何P首先，计算出的P浓度在深度0.5 ， 1 ， 0 ， 2.0micrometers 。 5-59电导率四氧化三锰是8 × 10 - 18ohm - 1 - cm - 1的在140 ℃和1 × 10-7欧姆- 1 - cm - 1的在400 ℃ 。确定活化能控制的温度依赖性电导率。解释过程中，温度控制电导率。 5-60比较的速度氧离子弥漫在氧化铝（氧化铝）的速度，铝离子在Al2O3弥漫在1500 ℃ 。解释其中的差别。 5-61扩散系数比较中的碳基底细胞癌和FCC铁在异形转变温度912 ℃ ，并解释其中的差别。 5-62比较扩散系数为氢气和氮气在催化裂化铁在1000 ℃ ，并解释差异，他们的价值观。 5 63What是渗碳？为什么这个过程预计将导致增加了表面硬度平原碳钢？ 5 64What是氮化热处理？ 5-65某机械组件正在使用