场效应晶体管[精选].pptVIP

場效應晶體管 組員：文淩 文利 劉懷 張翔 潘紅銳 辜海金 製作人：全體組員 场效应管的实物图 場效應晶體管的概念 概念： 場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET）），簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。 P沟道结型场效应管的符号和主要特性参数  符号： 場效應晶體管的特點 特點： 它具有輸入電阻高（108~109歐）,噪音小，功耗低，動態範圍大，易於集成，沒有二次擊穿現象，安全工作區域寬等優點，先已成為雙極性晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應晶體管的作用 場效應管可應用於放大。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 場效應管很高的輸入阻抗非常適合做阻抗交換。常用於多級放大器的輸入級做阻抗交換 場效應管可以用作可變電阻。 場效應晶體管可以方便的用作橫流源。 場效應管還可以用作開關。 場效應晶體管的分類 場效應晶體管分結型和絕緣型(MOS)兩大類 按溝道材料：結型和絕緣型各分N溝道和P溝道兩種。 按導電方式：耗盡星與增強型，結型場效應晶體管均為耗盡星，絕緣柵型場效應晶體管既有耗盡型的也有增強型的 場效應晶體管可以分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。 場效應晶體管的主要參數 场效应管的封装方式 ａ、采用基本成型模具，该模具是由薄树脂印刷板制成；ｂ、粘片，将切割后粘贴好的硅片置放在模具的相应位置；ｃ、烘烤，将粘贴好硅片的模具置入烘箱内，在小于１００度的温度下进行烘烤；ｄ、超声压焊；ｅ、注胶封装，将经过烘烤的硅片在模具上进行注胶封装；ｆ、定型烘干；本发明具有方法相对简单，成本较低，且封装效果良好的优点。 N沟道结型场效应管符号型號和主要参数 V型槽MOS场效应管的符号型號和主要参数 N沟道增强型绝缘栅场效应管符号型號和主要参数 P沟道结型场效应管符号型號和主要参数 P沟道增强型绝缘栅场效应管的符号型號和主要参数 IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 P沟道耗尽型绝缘栅场效应管的符号型號和主要参数 　Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. 　　Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. 　　Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.　 N沟道增强型绝缘栅场效应管的符号型號和主要参数 开启电压VT ：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小 |VGS | 值 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发生预夹断时的漏极电流。 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF 低频跨导 gm ：表示VGS对iD的控制作用。 最大漏极电流 IDM 最大漏极耗散功率 PDM 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS 使用场效应管时的注意事项 　（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 　　（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏 　　?? 场效应管 压，等等。（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。 　　（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。 场效应管的应用特点 1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，