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RF CMOS集成电路设计 课程 实验报告 报告题目：RF CMOS集成电路设计实验报告 学 院： 电子信息工程学院 专 业： 学生姓名： 学 号： 实验一、 Please use SMIC PDK to design a fully integrated amplifier with the following small-signal specifications:(请使用SMIC PDK设计一个完全集成的放大器，具有以下小信号规格：) |voltage gain|:10, measured at “moderately low” frequency; Bandwith(-3dB):500MHz Source resistance: 50 ohm Load:1pF, purely capacitance Total supply power:50mW Assume the supply voltage is 3.3V. You may use up to 20nH of on-chip inductance and 5nH of bondwire inductance. Assume on chip spirals have a Q of 5 at 1GHz and pretend that the corresponding effective series resistance remains constant at all frequencies. Ignore self-resonance of all inductors. You are also permitted up to 20pF of on-chip capacitance. You may assume that the capacitor is ideal in all respects. (可以使用20nH片上电感和5nH键合线电感。假设有一个1GHz时Q为5的片上螺旋电感，在所有频率相应的等效串联电阻保持不变。忽略所有电感的自共振。您也被允许到20pF的芯片上的电容。你可以假设在各方面的电容是理想的。) 1、原理图如下： 实验二、 Please use SMIC PDK to design a cascode 900MHz LNA as following figure, Specifications are as following:（请使用SMIC PDK设计一个共源共栅900MHz的低噪声放大器，如下图，规格如下） IIP3-10dBm, Gain15dBm, NF2.0dB, power dissipation50dBm. Estimate its bandwidth and compare the calculation and simulation results. 估计其带宽，并比较计算结果和仿真结果。 1、增益的仿真结果如下图： 2、输入谐振频率点仿真如下： 3、输出谐振频率点仿真如下： 4、噪声系数和最小噪声系数仿真如下： 5、IIP3仿真如下： 从仿真结果中可以看到，指标基本满足要求。 实验三、 Use SMIC 0.18um PDK to design a classic linear amplifier that delivers 2W to 50 ohms load for 2.4 GHz operation frequency with 200MHz bandwidth communication system, the DC-supply voltage is 3.3V and assume the input power is 5dBm. Estimate the drain efficiency of this amplifier and give out simulation results, also layout the amplifier. 使用SMIC0.18PDK设计一款经典线性放大器，可提供2W到50欧姆负载为2.4 GHz工作频率200MHz带宽的通信系统，直流电源电压是3.3V，假设输入功率为5dBm。估计该放大器的漏极效率并给出仿真结果，同时布局该放大器 分析及设计步骤: 题目要求中,功率放大器的输入的是功率，输入功率为5dBm，所以需要设计输入匹配网络（IMN）来将输入功率尽可能多地输送到MOS管中；然后检查是否需要阻抗变换。负载得道的最大功率为： 因此，要使50Ω的负载上得到