核分析技术-2[精选].pptVIP

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核分析技术-2[精选]

第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福背散射分析原理 能量损失因子 当入射粒子从靶样品表面穿透到靶内某一深度处发生大角度散射时,离子在这段入射路径上要损失一小部分能量,同样,在发生散射后,背散射粒子从靶内射出样品表面到达探测器,在这段出射路径上也要损失一小部分能量。 第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福背散射分析原理 能量损失因子 离子在样品中入射和出射路径上的电离能量损失,使在样品深部发生背散射的粒子的能量在能谱上相对于样品表面发生背散射的粒子能量往低能量侧展宽。 第四章 带电粒子弹性散射分析 背散射几何和散射能量与深度的关系 第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福背散射分析原理 能量损失因子 能量宽度ΔE正比于靶厚度和离子在靶物质中的背散射能量损失因子。这能谱曲线向低能侧的展宽,反映出了靶原子随深度的分布情况。因此,由背散射能谱分析,可以获得靶原子的深度分布信息,可以建立背散射谱峰宽度与靶厚度之间的关系。 第四章 带电粒子弹性散射分析 背散射能谱 第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福背散射分析工作方法 1.卢瑟福背散射对轻元素基体中的重元素杂质分析最为合适。典型的分析深度为1μm(Si)。 2.选用2~3MeV的4He+离子来做背散射分析最为合适。在这能量范围内,不会出现核共振,散射截面遵循卢瑟福公式,探测器对4He+的能量分辨率也好。 第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福背散射分析工作方法 3. 分析装置 从静电加速器获得的2MeV 4He+束,经磁分析器选择后进入离子管道,经过两个准直孔后进入靶室,打到样品上。样品安装在一个可以旋转角度的定角计上,可用步进马达控制转动。 样品上的束斑大小为~1mm2,束流强度为十几nA,用束流积分仪记录束流。 第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福背散射分析工作方法 3. 分析装置 为抑制次级电子发射,在样品架前放置一抑制电极,加上-200~-300V电压。样品表面求平整,对于电绝缘性能较好的样品,为防止电荷堆积,应在样品表面喷镀上一层薄的导电层。离子管道和靶室中的真空度为10-4Pa。为减少样品表面的C沾污,应尽量使用无油真空泵和在管道及靶室中加液氮冷却。 第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福背散射分析工作方法 3. 分析装置 在散射角为170°方向放置一金硅面垒半导体探测器,探测样品上的背散射离子。探测器的信号经前置放大器和主放大器送入多道分析器记录能谱,能谱数据存入计算机中。 在实验时,应控制样品上的离子轰击剂量不能太高,否则会引起样品辐射损伤。 第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福背散射分析工作方法 3. 分析装置 第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福背散射分析应用实例 卢瑟福反散射分析可用于:样品表面层杂质成分和深度分布分析,材料表面各种薄膜组成和厚度分析,薄膜界面特性分析,化合物的化学配比分析,以及离子束混合材料分析等。 第四章 带电粒子弹性散射分析 应用实例 例:表面杂质含量分析 在玻璃碳基体上,用真空镀膜法镀上一层极薄的Au元素。用2MeV的4He+束做RBS分析,测到的背散射能谱如图所示 第四章 带电粒子弹性散射分析 应用实例 例:表面杂质含量分析 图中用箭头标出了Au和C的背散射峰位。C基体很厚,它的能谱是连续的,Au层很薄,背散射能谱呈一高斯形状的峰 第四章 带电粒子弹性散射分析 卢瑟福反散射分析的特点 1. 无损快速; 2. 不需要标准样品; 3. 特别适于分析轻基体中的重元素; 4. 分析灵敏度好,一般为10-6 g·g-1量级; 5. 分析样品深度为μm量级,深度分辨率为10.0~20.0nm。 第二章 带电粒子活化分析 C:12C(d,n)13N N:14N(d,n)15O O:16O(3He,p)18F 第三章带电粒子核反应瞬发分析 带电粒子核反应分析包括 带电粒子缓发分析(即带电粒子活化分析) 带电粒子瞬发分析。 带电粒子核反应瞬发分析法是直接测量核反应过程中伴随发射的辐射确定反应原子核的种类和元素浓度的方法。 第三章带电粒子核反应瞬发分析 伴随发射的辐射包括出射的带电粒子、γ射线,以及出射的中子。 这种分析方法较之带电粒子活化分析法具有更多的优越性:方法简便、分析速度快,可利用不同的核反应道、不同的出射粒子和核反应运动学关系更有利地鉴别元素和消除干扰反应,特别是它能在不破坏样品结构的情况下提供元素深度分布信息。 第三章带电粒子核反应瞬发分析 带电粒子与轻元素的反应Q值大,产额高,只用几个MeV能量的带电粒子就可以进行高灵敏度元素分析。 带电粒子核反应瞬发分析是样品表面层轻元素分析不可缺少的一种分析方法。它的应用范围很广,早在60年代就被用来分析靶物质中的杂质成分。近些年来在提高分析灵敏度和深度分辨率方面有了不少进展。 第三章带电粒子核反应瞬发分

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