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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.1.2 实际的元件和电路 4. 电感线圈 实际电感线圈的等效电路 R表示线圈中的能量损耗，其中包括绕线电阻损耗（铜损）和磁芯中的涡流损耗（铁损），C为绕线间存在的分布电容。 由于L、C的作用，在某个频率点可能形成并联谐振，这个频率决定了该电感线圈所能工作的最高频率。 2.1.2 实际的元件和电路 4. 电感线圈 电感线圈的磁场 2.1.2 实际的元件和电路 4. 电感线圈 两个不希望相互干扰的电感线圈在电路中必须尽量远离并相互垂直安放，以尽量减少磁力线从轴向穿过对方的线圈。更多的时候是将电感线圈屏蔽起来，把它们的电场和磁场约束在一个有限的空间范围内。用低电阻率的铜或铝材做成的屏蔽体（有时表面还需镀银）能有效地约束电场，也能阻止高频交变磁力线穿过，这是因为交变磁场会在屏蔽体上产生涡流而将辐射功率消耗殆尽。 在收音机中，接收外部射频信号的天线线圈和本机振荡线圈总是相互垂直放置的，而本机振荡线圈和两个中频谐振线圈则是分别屏蔽在铜制屏蔽壳内，且屏蔽壳与参考地线要有良好连接。这是防止多个电感线圈相互耦合的典型实例。 在低频时，则必须采用高导磁率的材料做屏蔽体才能约束磁场，并避免外部杂散磁场的干扰。坡膜合金即是一种优良的低频高导磁率材料。 2.2 半导体二极管 2.2.1 半导体二极管的主要特性 2.2.2 二极管的建模 2.2.3 特殊性能二极管 2.2.1 半导体二极管的主要特性 1. V-I特性 2.2.1 半导体二极管的主要特性 1. V-I特性 2. IS的特性 当两个不同的电压VD1和VD2正向偏置于二极管上，得到两个不同电流ID1和ID2之比为 等号两边取对数可得VD1-VD2≈2.3?VTlg(ID1/ID2)。当ID1/ID2=10时，VD1-VD2≈2.3?VT，即?=1则VD1-VD2≈60mV，?=2则VD1-VD2≈120mV。工程上可用0.1V/(10iD)近似估算vD和iD的关系。 反向饱和电流IS对决定着二极管的实际V-I特性，无论二极管处于正向还是反向工作时，iD都正比于IS。在实际应用中，如大功率二极管的正向电流特性和反向漏电流特性、二极管和三极管的简化建模和温度特性、现代大规模集成电路中纳米尺度场效应管的工作特性，均与IS的特性密切相关。 2.2.1 半导体二极管的主要特性 2. IS的特性 式中，A为PN结断面面积；q为电子电荷；ni为本征半导体中载流子浓度，即每cm3体积中自由电子和空穴的总量；Dp和Dn分别为N型半导体中空穴和P型半导体中电子的扩散系数，即PN结双方少数载流子的扩散系数；τP和τN分别为N区和P区中非平衡少数载流子寿命，即少数载流子与多数载流子复合的平均时间；ND和NA分别为N区和P区的掺杂浓度，在N区是施主原子浓度，在P区则是受主浓度。很明显，式右边除常量q外，其他参数均与半导体材料、物理结构和制造工艺直接相关，而ni还是强烈依赖于温度的函数 结论：（1）IS是强烈依赖于温度的函数。 结论：（2） IS与PN结截面积成正比——比例电流 所以可以用增大PN结截面积的办法，在不增大正向电压的情况下增大正向电流。正是基于这一点，在下边二极管建模中，多数情况下可以忽略工作电流的大小，只用电压参数建模。 2.2.1 半导体二极管的主要特性 2. IS的特性 大功率硅二极管的IS已不可小觑，加上其他漏泄电流，其反向电流一般都能用普通万用表测量出来。IS因PN结截面积的增大而增大，会影响大功率器件的诸多特性。当大功率电路与小功率电路使用同一电源时，如果需要在电源管理电路中将二者同时关断，不可仅用一个电子开关（如大功率晶闸管、功率三极管、固态继电器等），小功率电路应当单独使用一个电子开关控制，否则当大功率电路关断时，小功率电路仅凭大功率开关电路的漏电流就能继续维持工作而不能关断。 设二极管上的电压vD=VD+vd，vd=?vD，则 2.2.2 二极管的建模 1. 大信号建模 2. 小信号建模 如果vdλVT，则可将上式指数项展开为幂级数，并忽略第二项以后的各项，于是 条件： λ=2时，vd10mV； λ=1时，vd5mV 2.2.2 二极管的建模 2. 小信号建模 将上式分解为iD=ID+id，则 即rd与流过二极管的电流成反比。由此可得室温下 例如，当ID=1m