电磁场实验指导书[精选].docVIP

电磁场实验 指导书 北京信息科技大学 目 录 实验一 球形载流线圈的场分布与自感 …………………………………………1 磁悬浮 ……………………………………………………………………7 静电除尘 …………………………………………………………………10  实验一：球形载流线圈的场分布与自感 一、实验目的 研究球形载流线圈（磁通球）的典型磁场分布及其自感参数； 掌握工程上测量磁场的两种基本方法──感应电势法和霍耳效应法； 在理论分析与实验研究相结合的基础上，力求深化对磁场边值问题、自感参数和磁场测量方法等知识点的理解，熟悉霍耳效应高斯计的应用。 二、实验原理 （1）球形载流线圈（磁通球）的磁场分析 如图1(1所示，当在z向具有均匀的匝数密度分布的球形线圈中通以正弦电流i时，可等效看作为流经球表面层的面电流密度K的分布。显然，其等效原则在于载流安匝不变，即如设沿球表面的线匝密度分布为W′，则在与元长度对应的球面弧元上，应有 因在球面上，， 代入上式，可知对应于球面上线匝密度分布W′，应有 即沿球表面，该载流线圈的线匝密度分布W′正比于， 由上式可见，面电流密度K周向分布，且其值正比于。, 所以, 可采用标量磁位(m为待求场量，列出待求的边值问题如下： 上式中泛定方程为拉普拉斯方程，定解条件由球表面处的辅助边界条件、标量磁位的参考点，以及离该磁通球无限远处磁场衰减为零的物理条件所组成。 通过求解球坐标系下这一边值问题，可得标量磁位(m1和(m2的解答，然后，最终得磁通球内外磁场强度为 (1-1) 和 (1-2) 基于标量磁位或磁场强度的解答，即可描绘出磁通球内外的磁场线分布，如图1(3所示。 由上述理论分析和场图可见，这一典型磁场分布的特点是： ⅰ）球内H1为均匀场，其取向与磁通球的对称轴（z轴）一致，即 (1-3) ⅱ）球外H2等同于球心处一个磁偶极子的磁场。 （2）球形载流线圈自感系数L的分析计算 在已知磁通球的磁场分布的情况下，显然就不难算出其自感系数L。现首先分析如图1-4所示位于球表面周向一匝线圈中所交链的磁通(，即 然后，便可分析对应于球表面上由弧元所界定的线匝dW所交链的磁通链 这样，总磁通链 ( 就可由全部线匝覆盖的范围，即由0到 ( 的积分求得 最终得该磁通球自感系数L的理论计算值为 (1-4) 在实验研究中，磁通球自感系数L的实测值可通过测量相应的电压、电流来确定。显然，如果外施电源频率足够高，则任何电感线圈电阻在入端阻抗中所起的作用可被忽略。此时，其入端电压和电流之间的相位差约等于90°，即可看成一个纯电感线圈。这样，由实测入端电压峰值与电流峰值之比值，即可获得感抗ωL的实测值，由此便得L的实测值。 （3）感应电势法测磁感应强度 若把一个很小的测试线圈放置在由交变电流激磁的时变磁场中，则根据法拉第电磁感应定律，该测试线圈中的感应电动势 (1-5) 式中，ψ为与测试线圈交链的磁通链。 如果测试线圈的轴线与磁场方向相一致，且磁场由正弦交变电流激励，那末，对应于式(1-5)的有效值关系为 由于测试线圈所占据的空间范围很小，故测试线圈内的磁场可近似认为是均匀的，因此有(=BS=(0HS，从而，被测处的磁感应强度 (1-6) 式中，N1 为测试线圈的匝数； E 为测试线圈中感应电势的有效值（V）； B 为被测处磁感应强度的有效值（T）； f 为正弦交变电流的频率，本实验采用5 kHz的交流； S 为测试线圈的等效截面积（m2）(关于S的计算方法参阅附录1)。 （4）霍耳效应法测磁感应强度 霍耳元件被制备成一块矩形(b×l)半导体薄片，如图1(5所示。当在它的对应侧通以电流I，并置于外磁场B中时，在其另一对应侧上将呈现霍耳电压Vh，这一物理现象称为霍耳效应。霍耳电压为 (1-7) 式中，Rh为霍耳常数，取决于半导体材料的特性； d 是半导体薄片的厚度； f(l/b)是霍耳元件的形状系数。 由式(1-7)可见，在Rh 、d、I、fl/b)等参数值一定时，Vh ( B (Bn)。根据这一原理制成的霍尔效应高斯计，通过安装在探棒端头上的霍尔片，即可直接测得霍尔片所在位置的磁感应强度