第1章 常用半导体器件[精选].pptVIP

第一章 半导体器件基础 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型三极管 一.BJT的结构 二． BJT的内部工作原理（NPN管） 2．电流分配关系 (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 四. BJT的主要参数 3.极限参数 （3）反向击穿电压: ※半导体三极管的型号 五、三极管的模型及分析方法 1.4 场效应三极管 一、 结型场效应管 2. 结型场效应管的工作原理 （2）漏源电压对沟道的控制作用 二、绝缘栅型场效应管 2、N沟道耗尽型MOSFET 3、P沟道耗尽型MOSFET 三.场效应管的主要参数: （二）交流参数： 1、 低频跨导gm 反映了栅源电压对漏极电流的控制作用，单位是mS(毫西门子) (0.1---20之间。 ) 本章小结 +VCC +VBB Rb Rc (+12V) (+6V) 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC 0.7V βIB e c b IC +VCC Rc (+12V) 4KΩ + UBE — IB +VBB Rb (+6V) 150KΩ + UCE — 解：设三极管工作在放大状态，用放大模型代替三极管。 UBE=0.7V 2. 图解法 VCC VBB Rb Rc 12V 6V 4KΩ 150KΩ + uCE — IB=40μA iC 非线性部分 线性部分 iC=f(uCE)? iB=40μA M(VCC,0) (12 , 0) (0 , 3) i C CE (V) (mA) =60uA I B u =0 B B I I =20uA B I =40uA B =80uA I =100uA I B 直流负载线 斜率： UCEQ 6V ICQ 1.5mA IB=40μA IC=1.5mA UCEQ=6V 直流 工作点 Q BJT是一种电流控制电流的元件(iB~ iC)，俗称流控元件.工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 FET分类： 绝缘栅型场效应管 结型场效应管 N沟道 P沟道 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制电流的器件 (uGS~ iD) ，俗称压控元件 . 工作时，只有一种载流子参与导电，因此称为单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高，易集成等优点，得到了广泛应用。 增强型 耗尽型 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 两个PN结夹着一个N型沟道（P区高掺杂）。 三个电极： G：栅极 D：漏极 S：源极 符号： N沟道 P沟道 1. 结型场效应管的结构（以N沟为例）： （1）栅源电压对沟道的控制作用 ②当│uGS│↑时，PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会完全合拢。 定义： 夹断电压UP——使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 由于uGS =0，所以导电沟道最宽。 ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。 ③当uDS ↑，使uGD=uG S- uDS=UP时，在靠漏极处夹断——预夹断。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。 预夹断后，uDS↑→iD 几乎不变。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 （3）栅源电压uGS和漏源电压uDS共同作用 iD=f（ uGS 、uDS）,可用输两组特性曲线来描绘。 （1）输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数 3、 结型场效应三极管的特性曲线 uGS=0V uGS=-1V 设：UP= -3V 四个区： 恒流区的特点： △ iD /△ uGS = gm ≈常数 即： △ iD = gm △ uGS （放大原理） （a）可变电阻区（预夹断前）。 （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 IDSS是饱和漏极电流 一个重要参数——跨导