界面性质和结构分解.ppt

a过程：从扭折处将一个原子移到台阶上的孤立位置，破坏一个原子键（能量2?1），产生2个扭折； b过程：自台阶任一位置将原子移到台阶上另一孤立位置，破坏二个键（能量4 ?1），产生4个扭折； c过程：自台阶上的扭折位置将原子移到另一台阶的扭折位置，破坏的键数为零（不需能量），无扭折产生. ?一个扭折的形成能为 ?1。 在台阶上任一位置形成正、负扭折的相对几率为 T?0K， 扭折间距?? 扭折密度为0 有限温度，台阶上存在扭折 ?1?0.1eV T=600K，扭折的平均距离＝4－5个原子间距 由热涨落产生的扭折密度相当高！ §8 界面相变熵和界面的平衡结构 一、杰克逊界面理论 单原子层界面模型 假定界面层内原子完全无关分布，忽略偏聚效应 考察一单元系统：生长单元是单个原子 问题的提出： 假定原界面层中N个原子全为流体原子，求当其中有NA个原子转变为晶相原子所引起的系统吉布斯自由能的改变?G ?求?G 关于x的函数。 在恒温、恒压下界面中NA个流体原子转变为晶相原子所引起的吉布斯自由能的变化为 ?G＝－?u － P?v+T?s P：压强 ?u、?v、?s分别为界面内NA个流体原子转变为晶相原子所引起的内能、体积、熵的变化 单原子层模型 假设：流体原子间、流体原子与晶相原子间无相互作用；仅晶相原子间有相互作用 A、内能的改变 流体原子转变为晶相原子形成键合 B、熵的改变 界面层内的原子座位数为N，其中NA个为减小原子占有，N－NA个为流体原子占有，可能的组合方式有W个 考虑气相生长： 与气相体积相比，晶相体积可以忽略（同为NA个原子） 气相近似为理想气体 若： T＝TE 又由 ?＝2?o+?1 考虑熔体生长： ?v可忽略 T＝TE（熔体生长时生长温度接近凝固点） 溶液生长的热力学系统为二元系统或多元系统 泰勒等、克尔等的推广 结果与单元系统的相同 其中 x=(NA+NB)/N NA、NB： 组元 A和 B的原子数 吉布斯自由能最小?系统平衡态?相应的 x 值确定界面的平衡结构 ?：界面相变熵 ?2：粗糙界面 ?2：光滑界面 面心立方晶体：?＝12 {111}：?1＝6??1/?=1/2 {100}：?1＝4??1/?=1/3 二、熔化熵 在熔体生长系统中，相变潜热就是熔化潜热，相变熵就是熔化熵。 氧化物: Lo/kTE较大 ? 低指数面?2，光滑界面 金属：大多数金属Lo/kTE2 ? ?2，粗糙界面 半导体介于其间：硅－?1/?{111}=3/4 ? 光滑界面 * 重点： §5 曲率半径对平衡参量的影响 §8 界面相变熵和界面的平衡结构 §1 界面能和界面张力 界面能是一个热力学函数 只有在相平衡曲线上才有意义 在单元系统中，界面能只是一个自变量的函数 固体的自由表面可以看作为晶体结构周期的一种二维缺陷。处在晶体内部的原子或离子，受到最近邻的和次近邻的原子或离子的对称力场的作用。但处在晶体表面的原子或离子，受到的是一个不对称力场的作用。 表面上原子（离子）的键是不饱和 ?? 影响界面附近原子（离子）组合的几何图形、电子结构、点缺陷以及线缺陷的分布。 固体和液体的表面能与周围的环境条件，如晶面、温度、第二相的性质等条件有关。 液－汽界面和液－液界面 接触角－界面张力?Lv和 ?SL的夹角 浸润与否取决于相交诸相的性质?界面能?界面张力 §2 界面交接 §3 弯曲界面的相平衡 弯曲界面的力学平衡－界面压强 具有表面的系统的自由能 在可逆定温、定容过程中，外界对系统作的功等于自由能的增量。现在考虑一个体积为V，表面积为A的液滴，如果在定温、定容条件下，表面积改变为dA，外界对系统作的功为?dA，则有 dF= ?dA 其中?仅为温度的函数，故在定温条件下它是常数，积分上式得 F＝ ?A＋Fo(T, V)=F表+ Fo(T, V) 表面张力是单位表面面积所具有的自由能。 表面张力对平衡条件的影响 定温、定容条件下液滴的平衡态－自由能最小 T、V不变条件下，设几何形状改变，则有 ?F＝ ? ?A＝0 ?? A应取极小值?? 球形 室温?＝73达因/cm2 1大气压＝106达因/cm2 r 10-3mm，才需考虑表面张力引起的附加压强 面元abcd的面积 A＝r1?1?r2?2 面元A向?相位移dr，则该面元的面积为 A’＝( r1+dr)?1?(r2+dr)?2 面元A位移dr后，?相的体积增量为 dV?=Adr 定义： 曲率中心在晶体中，称晶体的界面为凸形，曲率半径取正号；反之，曲率半径取负号。 熔体 熔体 p’ p’+?p 熔体生长系统 §5 界面曲率对平衡参量的影响 熔体生长系统 一、界面曲率对凝固点的影响 r 0 ??凝固较难，熔化较易 r 0 ??凝固较易，熔化较难 p’ p’+?p 二、界面曲