“半导体物理、器件物理与集成电路”801.docVIP

“半导体物理半导体物理半导体物理半导体器件物理要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律重点半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识器件物理要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性；MESFET器件的基本工作原理；MOSFET器件的频率特性；MOSFET器件中的非理想效应；MOSFET器件按比例缩小理论；阈值电压的影响因素；MOSFET的击穿特性；掌握器件特性的基本分析方法。要求生的相关基础理论，重点的半导体物理（一） 1.复习内容 半导体晶体结构与化学键性质， 2.具体要求 半导体中的电子状态和能带半导体中电子的运动和有效质量本征半导体的导电机构空穴的概念回旋共振及其实验结果Si、Ge和化合物半导体的能带结构 （二） 1.复习内容 元素半导体中的杂质能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。 Si和Ge晶体中的杂质能级杂质的补偿作用深能级杂质Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质能级等电子杂质与等电子陷阱半导体中的缺陷与位错能级（三） 1.复习内容 状态密度，Fermi能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简