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Ⅰ.模拟电路 (共75分) 一 填空题 (每小题1.5分，共15分) 1、晶体管“集一基”极间反向饱和电流为ICBO，则“集一 射”极间的反向饱和电流ICEO为__________________。 2、在BJT三种组态放大电路中，电流放大倍数最高的是________________，输入电阻最小的是_____________. 3、_________的影响；低频时放大倍数下降的主要原因是________________________的影响。 4、一个理想运算放大器的主要条件是：(1)_________, (2)_______, （3）________。理想运放线性应用工作状态的两个重要特性是_____和__________。 5、在桥式整流电路中，负载为纯电阻。如变压器次级交流电压有效值V2=20伏，则整流输出直流电压为________，加上滤波电容时为 。 6、N型半导体多数载流子是________，而P型半导体多数载流子是_________。 7、有两个晶体 管，A管β=200，ICEO=100μA；B管的β=100，ICEO=20μA两管其他参数大致相同，相比较而言___________管比较好。 8、射极输出器的主要特点是(1)_____，(2)______，(3)_____。 9、E-NMOS FET构成的对称差分